Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактЗащелки(2930)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | Количество портов | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Количество элементов | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Семья | Количество битов | Выходной ток | Тип выхода | Схема | Включить время задержки | Эмкость нагрузки | Логическая функция | Задержка распространения | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Сегодняшний день | Ток — выходной высокий, низкий | Количество входных строк | Выходные характеристики | Независимые схемы | Тип триггера | Количество выходных линий | фмакс-мин | Максимальный ток источника питания (ICC) | Тип логики | Макс I(ол) | Опора Delay@Nom-Sup | Время задержки — |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC74AC259NG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74AC | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,44 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc74ac259mg-datasheets-0729.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | 5В | Без свинца | 16 | 16 | да | Нет | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 2,54 мм | 74AC259 | 16 | 6В | 2В | 40 | 1 | ФФ/защелки | переменного тока | 8 | Стандартный | 1:8 | 6,5 нс | 50пФ | Тип D, ступенчатый регистр | 22,5 нс | 24 мА 24 мА | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | Тип D, адресный | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC74ACT573N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АКТ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mc74ac573dwr2g-datasheets-0988.pdf | 20-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Содержит свинец | 20 | 20 | 2 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | 74ACT573 | 20 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | 5В | Не квалифицирован | ДЕЙСТВОВАТЬ | 8 | Три штата | 1:8 | 10,5 нс | 50пФ | Буфер, тип D, защелка | 10,5 нс | 24 мА 24 мА | 8 | 1 | 3 | Прозрачная защелка D-типа | 0,024 А | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E150FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e150fn-datasheets-0655.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 25 недель | 28 | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 62 мА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10Э150 | 28 | 5,7 В | 40 | ФФ/защелки | 2 | Не квалифицирован | 10Е | 6 | Дифференциальный | 6:6 | 375 пс. | Тип D, защелка | 550 пс | -50 мА | 32 мА | 52 мА | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 6 | 900 МГц | Прозрачная защелка D-типа | 0,55 нс | |||||||||||||||||||||||||||
| 74LVQ373MTR | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74LVQ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | /files/stmicroelectronics-74lvq373ttr-datasheets-0583.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | Без свинца | 20 | 20 | 2 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 2,7 В | 74LVQ373 | 20 | 2В | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | 8 | Не квалифицирован | LVQ | 8 | Три штата | 8:8 | 5,8 нс | 50пФ | Тип D, защелка | 9 нс | 24 мА 24 мА | 1 | 3 | Прозрачная защелка D-типа | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E150FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e150fn-datasheets-0655.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 25 недель | 28 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | ТР | 1 | 62 мА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100Е150 | 28 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | 1 | ФФ/защелки | -4,5 В | Не квалифицирован | 6 | Дифференциальный | 6:6 | 375 пс. | Тип D, защелка | 550 пс | -50 мА | 32 мА | 52 мА | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 6 | 900 МГц | 72 мА | Прозрачная защелка D-типа | 0,55 нс | ||||||||||||||||||||||||||
| MC100E150FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e150fn-datasheets-0655.pdf | 28-LCC (J-вывод) | 28 | 24 недели | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -4,2 В до -5,7 В. | совместимый | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100Е150 | 28 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | ФФ/защелки | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицирован | S-PQCC-J28 | 6 | Дифференциальный | 6:6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 900 МГц | 72 мА | Прозрачная защелка D-типа | 0,55 нс | 375пс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC74AC259MG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | 2,05 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | /files/onsemiconductor-mc74ac259mg-datasheets-0729.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,275 мм | 5В | Без свинца | 16 | 16 | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 74AC259 | 16 | 6В | 2В | 40 | 1 | ФФ/защелки | Не квалифицирован | переменного тока | 8 | Стандартный | 1:8 | 6,5 нс | 50пФ | Тип D, ступенчатый регистр | 10 нс | 24 мА 24 мА | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | Тип D, адресный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E175FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e175fng-datasheets-0648.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 24 недели | 28 | да | 1 | 132 мА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | 4,2 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10Э175 | 28 | 5,5 В | 40 | ФФ/защелки | 3 | Не квалифицирован | 10Е | 9 | Стандартный | 9:9 | 800 пс | Тип D, защелка | 975 пс. | 110 мА | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 700 МГц | Прозрачная защелка D-типа | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14044BD | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4000Б | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2000 г. | /files/onsemiconductor-mc14044bdg-datasheets-1722.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 4044 | 16 | 3В | 30 | 1 | 4 | Не квалифицирован | 4 | Три штата | 1:1 | 60 нс | 50пФ | защелка | 120 нс | 6нА | 8,8 мА 8,8 мА | 8 | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | СР-защелка | 350 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14598BCP | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4000Б | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc14598bcp-datasheets-0736.pdf | 18-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Содержит свинец | 18 | 18 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | 4598 | 18 | 3В | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | 3 | Не квалифицирован | 8 | Стандартный | 1:8 | 100 нс | 50пФ | Тип D, защелка | 12 мА 12 мА | 1 | ВЫСОКИЙ УРОВЕНЬ | 8 | Тип D, адресный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H175P | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 4,44 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h175fnr2g-datasheets-0668.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | 97 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 4,94 В~5,46 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 10Х175 | 16 | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | Не квалифицирован | 10 ч. | 5 | Три штата | 5:5 | 1 нс | Тип D, защелка | 1,6 нс | 50 мА | 50 мА | 5 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | Прозрачная защелка D-типа | 2,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СКАН18373TSSCX | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СКАНИРОВАНИЕ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Соответствует RoHS | /files/onsemiconductor-scan18373tssc-datasheets-0602.pdf | 56-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 5В | Без свинца | 56 | Нет | 32 мА | Неинвертирующий | 4,5 В~5,5 В | 18373 | 2 | 18 | Три штата | 9:9 | 2,5 нс | Тип D, защелка | 9 нс | 24 мА 48 мА | 18 | Прозрачная защелка D-типа | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H175PG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | 4,44 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h175fnr2g-datasheets-0668.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Без свинца | 16 | 16 | неизвестный | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | 97 мА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | 4,94 В~5,46 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 10Х175 | 16 | 40 | ФФ/защелки | Не квалифицирован | 10 ч. | 5 | Три штата | 5:5 | 1 нс | Тип D, защелка | 1,6 нс | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 5 | Прозрачная защелка D-типа | 2,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC14042BCPG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 4000Б | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc14042bcpg-datasheets-0747.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 19,5326 мм | 3,429 мм | 6,858 мм | Без свинца | 16 | 4.535924г | Нет СВХК | 16 | да | Нет | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | 3В~18В | ДВОЙНОЙ | 5В | 4042 | 16 | 3В | 1 | ФФ/защелки | 4 | 4 | 8,8 мА | Дифференциальный | 1:1 | 60 нс | 50пФ | Тип D, защелка | 180 нс | 6нА | 8,8 мА 8,8 мА | ВЫСОКИЙ УРОВЕНЬ | Прозрачная защелка D-типа | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC74AC259D | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74AC | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Не соответствует требованиям RoHS | 2003 г. | /files/onsemiconductor-mc74ac259mg-datasheets-0729.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 74AC259 | 16 | 6В | 2В | 30 | ФФ/защелки | 3,3/5 В | Не квалифицирован | переменного тока | 1 | Стандартный | 1:8 | 6,5 нс | 50пФ | Тип D, ступенчатый регистр | 10 нс | 24 мА 24 мА | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 8 | Тип D, адресный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC74AC259N | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74AC | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 4,44 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | /files/onsemiconductor-mc74ac259mg-datasheets-0729.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 2В~6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | 74AC259 | 16 | 6В | 2В | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | 3,3/5 В | Не квалифицирован | переменного тока | 1 | Стандартный | 1:8 | 6,5 нс | 50пФ | Тип D, ступенчатый регистр | 10 нс | 24 мА 24 мА | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 8 | Тип D, адресный | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H130FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h130p-datasheets-0662.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,965 мм | 8,965 мм | Содержит свинец | 20 | 20 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 35 мА | е0 | Неинвертирующий | 4,94 В~5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 10Х130 | 20 | 30 | 1 | 2 | Не квалифицирован | 10 ч. | 2 | Дифференциальный | 1:1 | 1 нс | защелка | 1,7 нс | -50 мА | 32 мА | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | СР-защелка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H175FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h175fnr2g-datasheets-0668.pdf | 20-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 20 | 20 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 97 мА | е0 | Неинвертирующий | 4,94 В~5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 10Х175 | 20 | 30 | ФФ/защелки | Не квалифицирован | 10 ч. | 5 | Три штата | 5:5 | 1 нс | Тип D, защелка | 1,6 нс | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 5 | Прозрачная защелка D-типа | 2,4 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H175FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h175fnr2g-datasheets-0668.pdf | 20-LCC (J-вывод) | Без свинца | 20 | 20 | неизвестный | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | 97 мА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | 4,94 В~5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х175 | 20 | 40 | ФФ/защелки | Не квалифицирован | 10 ч. | 5 | Три штата | 5:5 | 1 нс | Тип D, защелка | 1,6 нс | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 5 | Прозрачная защелка D-типа | 2,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E175FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e175fng-datasheets-0648.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 25 недель | 28 | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 132 мА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | 4,2 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100Э175 | 28 | 5,5 В | 40 | ФФ/защелки | -4,5 В | 3 | Не квалифицирован | 9 | Стандартный | 9:9 | 800 пс | Тип D, защелка | 975 пс. | 110 мА | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 700 МГц | Прозрачная защелка D-типа | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E150FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e150fn-datasheets-0655.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 62 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э150 | 28 | 5,7 В | 30 | ФФ/защелки | 2 | Не квалифицирован | 10Е | 6 | Дифференциальный | 6:6 | 375 пс. | Тип D, защелка | 550 пс | -50 мА | 32 мА | 52 мА | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 6 | 900 МГц | Прозрачная защелка D-типа | 0,55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E150FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e150fn-datasheets-0655.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | да | 1 | 62 мА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | 4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10Э150 | 28 | 5,7 В | 40 | ФФ/защелки | 2 | Не квалифицирован | 10Е | 6 | Дифференциальный | 6:6 | 375 пс. | Тип D, защелка | 550 пс | -50 мА | 32 мА | 52 мА | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 6 | 900 МГц | Прозрачная защелка D-типа | 0,55 нс | |||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E175FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e175fng-datasheets-0648.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 132 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 4,2 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100Э175 | 28 | 5,5 В | 30 | ФФ/защелки | -4,5 В | 3 | Не квалифицирован | 9 | Стандартный | 9:9 | 800 пс | Тип D, защелка | 975 пс. | 110 мА | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 700 МГц | Прозрачная защелка D-типа | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74AVC16373DGG,512 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74АВК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует RoHS | 1998 год | /files/nexperiausainc-74avc16373dgg518-datasheets-0644.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 6,1 мм | 48 | 48 | 2 | Нет | 2 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | Неинвертирующий | 1,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 1,4 В | 0,5 мм | 74AVC16373 | 48 | 3,6 В | 30 | 2 | АВК | 16 | Три штата | 8:8 | 1,4 нс | Тип D, защелка | 2 нс | 12 мА 12 мА | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 16 | Прозрачная защелка D-типа | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 74LVC162373ADGG,51 | Нексперия США Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 74ЛВК | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | 2013 год | /files/nexperiausainc-74lvch162373adgg5-datasheets-0658.pdf | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 6,1 мм | 48 | 2 | 2 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | 1,2 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 2,7 В | 0,5 мм | 74LVC162373 | 48 | 3,6 В | 30 | истинный | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г48 | ЛВК/LCX/Z | 8 | Три штата | 8:8 | 50пФ | 12 мА 12 мА | 3-СОСТОЯНИЕ С ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫМ РЕЗИСТОРОМ | 2 | Прозрачная защелка D-типа | 3,3 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H130FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h130p-datasheets-0662.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,965 мм | 8,965 мм | Без свинца | 20 | 20 | неизвестный | 1 | 35 мА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | 4,94 В~5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х130 | 20 | 40 | Не квалифицирован | 10 ч. | 2 | Дифференциальный | 1:1 | 1 нс | защелка | 1,7 нс | -50 мА | 32 мА | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | СР-защелка | 1,9 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H175L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h175fnr2g-datasheets-0668.pdf | 16-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | 7,62 мм | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 1 | 97 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 4,94 В~5,46 В | ДВОЙНОЙ | 235 | 10Х175 | 16 | НЕ УКАЗАН | ФФ/защелки | Не квалифицирован | 10 ч. | 5 | Три штата | 5:5 | 1 нс | Тип D, защелка | 1,6 нс | 50 мА | 50 мА | 5 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | Прозрачная защелка D-типа | 2,4 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E175FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e175fng-datasheets-0648.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 132 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | Неинвертирующий | 4,2 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э175 | 28 | 5,5 В | 30 | ФФ/защелки | 3 | Не квалифицирован | 10Е | 9 | Стандартный | 9:9 | 800 пс | Тип D, защелка | 975 пс. | 110 мА | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 700 МГц | Прозрачная защелка D-типа | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H130FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h130p-datasheets-0662.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,965 мм | 8,965 мм | Без свинца | 20 | 20 | неизвестный | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 35 мА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | 4,94 В~5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х130 | 20 | 40 | Не квалифицирован | 10 ч. | 2 | Дифференциальный | 1:1 | 1 нс | защелка | 1,7 нс | -50 мА | 32 мА | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | СР-защелка | 1,9 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E175FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e175fng-datasheets-0648.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 25 недель | 28 | да | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | 132 мА | е3 | Олово (Вс) | Неинвертирующий | Без галогенов | 4,2 В~5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10Э175 | 28 | 5,5 В | 40 | ФФ/защелки | 3 | Не квалифицирован | 10Е | 9 | Стандартный | 9:9 | 800 пс | Тип D, защелка | 975 пс. | 110 мА | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | НИЗКИЙ УРОВЕНЬ | 700 МГц | Прозрачная защелка D-типа |
