Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Защелки - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА Колист PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МЕСТОД УПАКОККИ Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Колист Вес Втипа Сэма В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Вес Веса Кргителнь ТОК Ток - Колист Вес NeShaviMhemee цepi Колист ТИП Колист Fmax-Min ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Проп. ЗAdErжKA@nom-sup Вернее
MC10H175FNR2G MC10H175FNR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10 Пефер Пефер 0 ° C ~ 75 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl ROHS COMPRINT 2006 /files/onsemyonductor-mc10h175fnr2g-datasheets-0668.pdf 20-LCC (J-Lead) СОУДНО ПРИОН 20 20 НЕИ Лю 1 97ma E3 Олово (sn) Nerting 4,94 n 5,46 Квадран J Bend 260 10h175 20 40 Ff/зaщelki Н.Квалиирована 10 5 Три-Госдарство 5: 5 1 млн D-Thep, зaщelca 1,6 млн Otkrыtый эmiTter 1 Униги 5 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 2,4 млн
MC100E175FNR2G MC100E175FNR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100e Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 4,57 мм ROHS COMPRINT 2006 /files/onsemyonductor-mc100e175fng-datasheets-0648.pdf 28-LCC (J-Lead) СОУДНО ПРИОН 28 25 28 в дар Лю 1 132ma E3 Олово (sn) Nerting БЕЗОПАСНЫЙ 4,2 В ~ 5,5. Квадран J Bend 260 100e175 28 5,5 В. 40 Ff/зaщelki -4,5 3 Н.Квалиирована 9 Станода 9: 9 800 с D-Thep, зaщelca 975 пс 110 май 2 Otkrыtый эmiTter 1 Униги 700 мг D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
MC10E150FNR2 MC10E150FNR2 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10E Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 4,57 мм В 2006 /files/onsemyonductor-mc100e150fn-datasheets-0655.pdf 28-LCC (J-Lead) СОДЕРИТС 28 28 not_compliant Лю 1 62ma E0 Олово/Свинен (SN/PB) Nerting 4,2 В ~ 5,7 В. Квадран J Bend 240 10E150 28 5,7 В. 30 Ff/зaщelki 2 Н.Квалиирована 10E 6 DIFERENцIAL 6: 6 375 ps D-Thep, зaщelca 550 с -50MA 32 май 52ma Otkrыtый эmiTter 1 Униги 6 900 мг D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,55 млн
MC10E150FNG MC10E150FNG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10E Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 4,57 мм ROHS COMPRINT 2006 /files/onsemyonductor-mc100e150fn-datasheets-0655.pdf 28-LCC (J-Lead) СОУДНО ПРИОН 28 28 в дар 1 62ma E3 Олово (sn) Nerting БЕЗОПАСНЫЙ 4,2 В ~ 5,7 В. Квадран J Bend 260 10E150 28 5,7 В. 40 Ff/зaщelki 2 Н.Квалиирована 10E 6 DIFERENцIAL 6: 6 375 ps D-Thep, зaщelca 550 с -50MA 32 май 52ma Otkrыtый эmiTter 1 Униги 6 900 мг D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,55 млн
MC100E175FNR2 MC100E175FNR2 На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100e Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 4,57 мм В 2006 /files/onsemyonductor-mc100e175fng-datasheets-0648.pdf 28-LCC (J-Lead) СОДЕРИТС 28 28 not_compliant Лю 1 132ma E0 Олово/Свинен (SN/PB) Nerting 4,2 В ~ 5,5. Квадран J Bend 240 100e175 28 5,5 В. 30 Ff/зaщelki -4,5 3 Н.Квалиирована 9 Станода 9: 9 800 с D-Thep, зaщelca 975 ps 110 май 2 Otkrыtый эmiTter 1 Униги 700 мг D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
74AVC16373DGG,512 74AVC16373DGG, 512 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74avc Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT 1998 /files/nexperiausainc-74avc16373dgg518-datasheets-0644.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 6,1 мм 48 48 2 Не 2 E4 Ngecely palladyй Nerting 1,2 n 3,6 В. Дон Крхлоп 260 1,4 В. 0,5 мм 74AVC16373 48 3,6 В. 30 2 Avc 16 Три-Госдарство 8: 8 1,4 млн D-Thep, зaщelca 2 млн 12 май 12 мая 3-шТат 16 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
74LVC162373ADGG,51 74LVC16237333Adgg, 51 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 2013 /files/nexperiausainc-74lvch162373333adgg5-datasheets-0658.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 6,1 мм 48 2 2 E4 Ngecely palladyй В дар 1,2 n 3,6 В. Дон Крхлоп 260 2,7 В. 0,5 мм 74LVC162373 48 3,6 В. 30 Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G48 LVC/LCX/Z. 8 Три-Госдарство 8: 8 50pf 12 май 12 мая 3 СОСТИВАЙНА С СЕРИГИНГИ 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 3.3ns
MC100E175FNG MC100E175FNG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100e Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 4,57 мм ROHS COMPRINT 2006 /files/onsemyonductor-mc100e175fng-datasheets-0648.pdf 28-LCC (J-Lead) СОУДНО ПРИОН 28 24 nede 28 в дар 1 132ma E3 Олово (sn) Nerting БЕЗОПАСНЫЙ 4,2 В ~ 5,5. Квадран J Bend 260 100e175 28 5,5 В. 40 Ff/зaщelki -4,5 3 Н.Квалиирована 9 Станода 9: 9 800 с D-Thep, зaщelca 975 ps 110 май 2 Otkrыtый эmiTter 1 Униги 700 мг D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
MM74HCT573SJ MM74HCT573SJ На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-mm74hct573mtcx-datasheets-1584.pdf 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 20 20 2 Бродядская сторона 373 Не 1 Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 74HCT573 Hct 8 Три-Госдарство 8: 8 17 млн D-Thep, зaщelca 30 млн 7,2 мая 7,2 мая 8 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
MC100E175FN MC100E175FN На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100e Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 4,57 мм В 2006 /files/onsemyonductor-mc100e175fng-datasheets-0648.pdf 28-LCC (J-Lead) СОДЕРИТС 28 28 not_compliant 1 132ma E0 Олово/Свинен (SN/PB) Nerting 4,2 В ~ 5,5. Квадран J Bend 240 100e175 28 5,5 В. 30 Ff/зaщelki -4,5 3 Н.Квалиирована 9 Станода 9: 9 800 с D-Thep, зaщelca 975 ps 110 май 2 Otkrыtый эmiTter 1 Униги 700 мг D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
MM74HC259MTC MM74HC259MTC На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/onsemyonductor-mm74hc259mtcx-datasheets-0601.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 2 В ~ 6 В. 74HC259 16-tssop Станода 1: 8 5,2 мая 5,2 мая 1 D-Thep, AdreSOM 17ns
MC10E175FN MC10E175FN На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10E Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 4,57 мм В 2006 /files/onsemyonductor-mc100e175fng-datasheets-0648.pdf 28-LCC (J-Lead) СОДЕРИТС 28 28 not_compliant 1 132ma E0 Олово/Свинен (SN/PB) Nerting 4,2 В ~ 5,5. Квадран J Bend 240 10E175 28 5,5 В. 30 Ff/зaщelki 3 Н.Квалиирована 10E 9 Станода 9: 9 800 с D-Thep, зaщelca 975 ps 50 май 50 май 110 май 2 Otkrыtый эmiTter 1 Униги 700 мг D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
SCAN182373ASSC SCAN182373ASSC На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Сканировани Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/onsemoronductor-can1823733ascc-datasheets-0615.pdf 56-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 ММ) СОУДНО ПРИОН 56 1MA Nerting 4,5 n 5,5. 182373 2 18 Три-Госдарство 9: 9 4,5 млн D-Thep, зaщelca 7,4 млн 32 май 15 мая 18 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
MC100E150FN MC100E150FN На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100e Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 4,57 мм В 1996 /files/onsemyonductor-mc100e150fn-datasheets-0655.pdf 28-LCC (J-Lead) СОДЕРИТС 28 28 not_compliant 1 62ma E0 Олово/Свинен (SN/PB) Nerting 4,2 В ~ 5,7 В. Квадран J Bend 240 100e150 28 5,7 В. 30 Ff/зaщelki -4,5 2 Н.Квалиирована 6 DIFERENцIAL 6: 6 375 ps D-Thep, зaщelca 550 с -50MA 32 май 52ma Otkrыtый эmiTter 1 Униги 6 900 мг D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,55 млн
MM74HCT373SJ MM74HCT373SJ На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-mm74hct373wm-datasheets-0491.pdf 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) СОУДНО ПРИОН 481,5 м 20 в дар Nerting 4,5 n 5,5. 74HCT373 8 Три-Госдарство 8: 8 25 млн D-Thep, зaщelca 40 млн 7,2 мая 7,2 мая 3 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
MM74HCT573N MM74HCT573N На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Чereз dыru Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-mm74hct573mtcx-datasheets-1584.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) СОУДНО ПРИОН 2,26 g 20 в дар Nerting 4,5 n 5,5. 74HCT573 7,2 мая Три-Госдарство 8: 8 17 млн D-Thep, зaщelca 30 млн 7,2 мая 7,2 мая 1 8 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
MM74HC259SJ MM74HC259SJ На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT /files/onsemyonductor-mm74hc259mtcx-datasheets-0601.pdf 16 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) СОУДНО ПРИОН 16 16 1 E3 МАГОВОЙ Nerting 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC259 Nukahan 1 Н.Квалиирована HC/UH 8 Станода 1: 8 17 млн D-Thep, зaщelca 32 м 5,2 мая 5,2 мая 3 Униги D-Thep, AdreSOM
SN74LV373ATDBR SN74LV373ATDBR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 /files/texasinstruments-sn74lv373atbr-datasheets-5919.pdf 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 7,2 мм 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 20 156.687814mg 20 в дар 2 Ear99 Лю 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74LV373 20 Nukahan 1 Ff/зaщelki 3,3 В. Н.Квалиирована LV/LV-A/LVX/H. 8 16ma Три-Госдарство 8: 8 1 млн 50pf D-Thep, зaщelca 9,5 млн 16 май 16 мая 3-шТат 8 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
SCAN182373ASSCX SCAN182373ASSCX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Сканировани Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) /files/onsemoronductor-can1823733ascc-datasheets-0615.pdf 56-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 ММ) 4,5 n 5,5. 182373 Три-Госдарство 9: 9 32 май 15 мая 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 4,5NS
74ALVT16373DGG,512 74ALVT16373DGG, 512 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74Alvt Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT /files/nexperiausainc-74alvt16373dgg512-datasheets-0624.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 48 Nerting 2,3 n 2,7 -3- ~ 3,6 В. 74ALVT16373 48 2 Три-Госдарство 8: 8 2 млн D-Thep, зaщelca 1,8 млн 8 май 24 май; 32MA 64MA 1 16 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
74ALVC373D,112 74ALVC373D, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74Alvc Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм ROHS COMPRINT /files/nexperiausainc-74Alvc373pw118-datasheets-6965.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 200NA 20 266.712314mg 20 2 ЗOLOTO Не 1 E4 Nerting 1,65, ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 2,7 В. 74ALVC373 20 3,6 В. 30 ALVC/VCX/A. 8 Три-Госдарство 8: 8 2,2 млн D-Thep, зaщelca 2,2 млн 10 мк 24 май 24 май 8 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
PI74FCT373TQE PI74FCT373TQE Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74FCT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 2004 /files/diodesincorporated-pi74fct373atqe-datasheets-0609.pdf 20-ssop (0,154, Ирина 390 мм) 4,75 -5,25. 74FCT373 20-QSOP Три-Госдарство 8: 8 15 мая 64 мая 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 1,5NS
PI74VCX16373AE PI74VCX16373AE Дидж
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74VCX Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) /files/diodesincorporated-pi74vcx16373ae-datasheets-0637.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 1,8 В ~ 3,6 В. 74VCX16373 Три-Госдарство 8: 8 6 мая 6 мая 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 1,5NS
74ALVC373PW,112 74ALVC373PW, 112 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74Alvc Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT /files/nexperiausainc-74Alvc373pw118-datasheets-6965.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм 20 20 2 ЗOLOTO Не 1 E4 Nerting 1,65, ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 2,7 В. 0,65 мм 74ALVC373 20 3,6 В. 30 ALVC/VCX/A. 8 Три-Госдарство 8: 8 2,2 млн D-Thep, зaщelca 2,2 млн 10 мк 24 май 24 май 8 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
74ALVCH16843DGG,11 74ALVCH16843DGG, 11 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74Alvch Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) /files/nexperiausainc-74alvch16843dgg11-datasheets-0642.pdf 56-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 2,3 В ~ 3,6 В. 74ALVCH16843 Три-Госдарство 9: 9 24 май 24 май 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 2.2NS
74AVC16373DGG,518 74AVC16373DGG, 518 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74avc Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT 1998 /files/nexperiausainc-74avc16373dgg518-datasheets-0644.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 6,1 мм 48 48 2 Не 2 E4 Ngecely palladyй Nerting 1,2 n 3,6 В. Дон Крхлоп 260 1,4 В. 0,5 мм 74AVC16373 48 3,6 В. 30 Avc 8 Три-Госдарство 8: 8 1,4 млн D-Thep, зaщelca 2 млн 12 май 12 мая 16 3-шТат 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
SN74LV373ATRGYR SN74LV373ATRGYR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-sn74lv373atrgyr-datasheets-5934.pdf 20-VFQFN OTKRыTAIN ANPLOZADCA 4,5 мм 3,5 мм СОДЕРИТС 20 43.006227mg 20 в дар 2 Не Лю 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 2В ~ 5,5 В. Квадран 260 0,5 мм 74LV373 20 1 Ff/зaщelki 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. 8 16ma Три-Госдарство 8: 8 1 млн 50pf D-Thep, зaщelca 9,5 млн 16 май 16 мая 3-шТат 8 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
74LVQ573TTR 74lvq573ttr Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74lvq Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/stmicroelectronics-74lvq573mtr-datasheets-0584.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 20 20 2 Лю 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 2 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп Nukahan 2,7 В. 0,65 мм 74LVQ573 20 Nukahan Ff/зaщelki 8 Н.Квалиирована LVQ 8 Три-Госдарство 8: 8 5,8 млн 50pf D-Thep, зaщelca 9 млн 24 май 24 май 1 3 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
MM74HCT573SJX MM74HCT573SJX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS /files/onsemyonductor-mm74hct573mtcx-datasheets-1584.pdf 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 5,3 мм 20 2 Бродядская сторона 373 Сообщите 1 В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 74HCT573 5,5 В. 4,5 В. Исиннн R-PDSO-G20 Hct 8 Три-Госдарство 8: 8 7,2 мая 7,2 мая 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 17ns
74VHC16373TTR 74VHC16373TTR Stmicroelectronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74VHC Пефер Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/stmicroelectronics-74vhc16373ttr-datasheets-0592.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 6,1 мм СОУДНО ПРИОН 48 48 2 Лю 2 E4 Ngecely palladyй Nerting 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 0,5 мм 74VHC16373 48 5,5 В. Nukahan Ff/зaщelki 8 Н.Квалиирована AHC/VHC 16 Три-Госдарство 8: 8 5 млн 50pf D-Thep, зaщelca 9,2 млн 8 мая 8 мая 3 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.