Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Защелки - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МЕСТОД УПАКОККИ Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Колист Вес Втипа Сэма В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Кргителнь ТОК Ток - Колист Вес NeShaviMhemee цepi ТИП Токпитания. ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) ТИП Псевдод Проп. ЗAdErжKA@nom-sup Вернее
74HCT563D,652 74HCT563D, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HCT Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hct563d653-datasheets-8477.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 4,5 n 5,5. 20 Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 18ns
74ABT573AD,112 74ABT573AD, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74abt Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74abt573adb112-datasheets-8459.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 4,5 n 5,5. 20 Три-Госдарство 8: 8 32MA 64MA 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 3.3ns
74LV259PW,112 74LV259PW, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2007 /files/nxpusainc-74lv259pw118-datasheets-8514.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 1 E4 Ngecely palladyй В дар 1 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV259 16 3,6 В. 1V 30 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована LV/LV-A/LVX/H. 1 Станода 1: 8 50pf 6 мая 6 мая 1 Униги D-Thep, AdreSOM 0,006 а 36 млн 36NS
74AHC259PW,118 74AHC259PW, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AHC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2008 /files/nxpusainc-74ahct259pw112-datasheets-8507.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 в дар Лю 8 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74AHC259 16 5,5 В. 30 Ff/зaщelki Исиннн 2/5,5. Н.Квалиирована Ахк 1 Станода 1: 8 50pf 8 мая 8 мая 1 Униги D-Thep, AdreSOM 0,008 а 4.1NS
74LVCH32373AEC,518 74LVCH32373AEC, 518 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVCH Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 4 (72 чACA) В /files/rochesterelectronicsllc-74lvch32373aec518-datasheets-8550.pdf 96-LFBGA 2,7 В ~ 3,6 В. 96-LFBGA (13,5x5,5) Три-Госдарство 8: 8 24 май 24 май 4 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 3ns
74AHCT373D,112 74AHCT373D, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74ahct Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм Rohs3 2008 /files/nexperiausainc-74ahc373pw112-datasheets-6607.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 2 1 E4 Ngecely palladyй В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74AHCT373 20 5,5 В. 4,5 В. 30 Ff/зaщelki Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G20 AHCT/VHCT 8 Три-Госдарство 8: 8 50pf 8 мая 8 мая 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,008 а 4ns
74ABT16373BDL,118 74abt16373bdl, 118 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74abt Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74abt16373bdl118-datasheets-8551.pdf 48-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 мм) 4,5 n 5,5. 48-ssop Три-Госдарство 8: 8 32MA 64MA 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 2ns
74LV573PW,118 74LV573PW, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2009 /files/nxpusainc-74lv573pw118-datasheets-8552.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм 20 2 Бродядская сторона 373 Лю 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 1 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV573 20 5,5 В. 1V 30 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 LV/LV-A/LVX/H. 8 Три-Госдарство 8: 8 50pf 16 май 16 мая 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,008 а 29 млн 24ns
74ABT16373BDL,112 74abt16373bdl, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74abt Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74abt16373bdl118-datasheets-8551.pdf 48-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 мм) 4,5 n 5,5. 48-ssop Три-Госдарство 8: 8 32MA 64MA 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 2ns
74AHC259PW,112 74AHC259PW, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AHC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2008 /files/nxpusainc-74ahct259pw112-datasheets-8507.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 в дар 8 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 0,65 мм 74AHC259 16 5,5 В. 30 Ff/зaщelki Исиннн 2/5,5. Н.Квалиирована Ахк 1 Станода 1: 8 50pf 8 мая 8 мая 1 Униги D-Thep, AdreSOM 0,008 а 4.1NS
74LV373DB,112 74LV373DB, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 1998 /files/nxpusainc-74lv373pw118-datasheets-8559.pdf 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 7,2 мм 5,3 мм 20 в дар 2 ТИПИХНЕВОВОЙ 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 1 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV373 20 5,5 В. 1V 30 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 LV/LV-A/LVX/H. 8 Три-Госдарство 8: 8 50pf 16 май 16 мая 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,008 а 28 млн 20ns
74LVT16373ADGG,518 74LVT16373ADGG, 518 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74lvt16373Adgg518-datasheets-8570.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 2,7 В ~ 3,6 В. 48-tssop Три-Госдарство 8: 8 32MA 64MA 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 2.1NS
74LV259PW,112 74LV259PW, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74lv259db118-datasheets-8485.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 1 В ~ 3,6 В. 16-tssop Станода 1: 8 6 мая 6 мая 1 D-Thep, AdreSOM 36NS
74LV373PW,112 74LV373PW, 112 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 1998 /files/nxpusainc-74lv373pw118-datasheets-8559.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм 20 в дар 2 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 1 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV373 20 5,5 В. 1V 30 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 LV/LV-A/LVX/H. 8 Три-Госдарство 8: 8 50pf 16 май 16 мая 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,008 а 28 млн 20ns
74LV373DB,118 74LV373DB, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2 ММ Rohs3 1998 /files/nxpusainc-74lv373pw118-datasheets-8559.pdf 20-ssop (0,209, ширина 5,30 мм) 7,2 мм 5,3 мм 20 в дар 2 ТИПИХНЕВОВОЙ НЕИ 1 E4 Ngecely palladyй В дар 1 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV373 5,5 В. 1V 30 Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G20 LV/LV-A/LVX/H. 8 Три-Госдарство 8: 8 50pf 16 май 16 мая 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 20ns
74AHCT373D,118 74ahct373d, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74ahct Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 2008 /files/nexperiausainc-74ahct373d118-datasheets-8575.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 4,5 n 5,5. 74AHCT373 Три-Госдарство 8: 8 8 мая 8 мая 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 4ns
SN74ALS533AN SN74ALS533AN Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 1 мг Rohs3 /files/texasinstruments-sn74als533an-datasheets-5523.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 24,33 ММ 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 1.1991G НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в в дар 4,57 мм 2 Ear99 Не 1 26 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Иртировани 4,5 n 5,5. Дон 2,54 мм 74ALS533 20 Ff/зaщelki Ас 8 24ma Три-Госдарство 8: 8 6 м 50pf D-Thep, зaщelca 19 млн 2,6 мана 8 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,024 а В.К.И. N/a
74LV373D,118 74LV373D, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм Rohs3 1998 /files/nxpusainc-74lv373pw118-datasheets-8559.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 в дар 2 ТИПИХНЕВОВОЙ 1 E4 Ngecely palladyй В дар 1 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 74LV373 5,5 В. 1V 30 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 LV/LV-A/LVX/H. 8 Три-Госдарство 8: 8 50pf 16 май 16 мая 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,008 а 28 млн 20ns
74LV373PW,118 74LV373PW, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 1998 /files/nxpusainc-74lv373pw118-datasheets-8559.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм 20 в дар 2 1 E4 Ngecely palladyй В дар 1 В ~ 5,5 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV373 5,5 В. 1V 30 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G20 LV/LV-A/LVX/H. 8 Три-Госдарство 8: 8 50pf 16 май 16 мая 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,008 а 28 млн 20ns
54FCT573CTLB 54FCT573CTLB Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/renesaselectronicsamericainc-74fct573ctqg8-datasheets-7529.pdf 20-LCC Exposed Pad 12 4,5 n 5,5. Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 8ns
74HC563N,652 74HC563N, 652 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Чereз dыru -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74hct563d653-datasheets-8477.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 2 В ~ 6 В. 20-Dip Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 14ns
74ABT573AN,112 74abt573an, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74abt Чereз dыru -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74abt573adb112-datasheets-8459.pdf 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 4,5 n 5,5. 20-Dip Три-Госдарство 8: 8 32MA 64MA 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 3.3ns
N74F573D,623 N74F573D, 623 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74f Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В 2,65 мм Rohs3 1999 /files/nxpusainc-n74f573d602-datasheets-8500.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 2 Бродядная сторона 373; Питани О. НЕИ 1 E4 Ngecely palladyй В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74F573 20 5,5 В. 4,5 В. 30 Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G20 F/bыstro 8 Три-Госдарство 8: 8 50pf 3MA 24MA 3-шТат 1 50 май D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 3,5NS
74LV259PW,118 74LV259PW, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2007 /files/nxpusainc-74lv259pw118-datasheets-8514.pdf 16-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 5 ММ 4,4 мм 16 Лю 1 E4 Ngecely palladyй В дар 1 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74LV259 16 3,6 В. 1V 30 Ff/зaщelki Исиннн 3,3 В. Н.Квалиирована LV/LV-A/LVX/H. 1 Станода 1: 8 50pf 6 мая 6 мая 1 Униги D-Thep, AdreSOM 0,006 а 36 млн 36NS
74LV259BQ,115 74LV259BQ, 115 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2007 /files/nxpusainc-74lv259pw118-datasheets-8514.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 1 В ~ 3,6 В. 74LV259 16-dhvqfn (2,5x3,5) Станода 1: 8 6 мая 6 мая 1 D-Thep, AdreSOM 36NS
74HC75DB,118 74HC75DB, 118 Nexperia USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS ROHS COMPRINT /files/nexperiausainc-74hc75d653-datasheets-0687.pdf 16-ssop (0,209, ширин 5,30 мм) 5,3 мм 16 16 ЗOLOTO Не 2 E4 Nerting 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 0,65 мм 74HC75 16 HC/UH 2 DIFERENцIAL 2: 2 11 млн D-Thep, зaщelca 11 млн 8 мка 5,2 мая 5,2 мая 4 2 В. D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA
74HC563D,653 74HC563D, 653 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74HC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм Rohs3 1997 /files/nxpusainc-74hc563d653-datasheets-8524.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 2 Broadside - 533 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар 2 В ~ 6 В. Дон Крхлоп 260 74HC563 20 30 Пефернут Н.Квалиирована R-PDSO-G20 HC/UH 8 Три-Госдарство 8: 8 50pf 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 14ns
74ABT16373BDGG,112 74abt16373bdgg, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74abt Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74abt16373bdgg112-datasheets-8526.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 4,5 n 5,5. 48-tssop Три-Госдарство 8: 8 32MA 64MA 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 2ns
N74F373D,602 N74F373D, 602 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74f Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-n74f373d623-datasheets-8478.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 4,5 n 5,5. 20 Три-Госдарство 8: 8 3MA 24MA 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 2ns
74LV259BQ,115 74LV259BQ, 115 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LV Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74lv259db118-datasheets-8485.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 1 В ~ 3,6 В. 16-dhvqfn (2,5x3,5) Станода 1: 8 6 мая 6 мая 1 D-Thep, AdreSOM 36NS

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.