Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Защелки - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МЕСТОД УПАКОККИ Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Napraheneee - posta Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ПАКЕТИВАЕТСЯ Колист Вес Втипа Сэма Бросит Коунфигура В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Вес Веса Кргителнь ТОК Ток - Колист Вес NeShaviMhemee цepi ТИП Колист Токпитания. ЛОГЕЕСКИЯ ТИП Maks i (ol) ТИП На nanapravyenee -o Псевдод Проп. ЗAdErжKA@nom-sup Вернее
54FCT573TLB 54FCT573TLB Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/renesaselectronicsamericainc-74fct573ctqg8-datasheets-7529.pdf 20-LCC Exposed Pad 12 4,5 n 5,5. Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 15NS
74ABT373AD,112 74ABT373AD, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74abt Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74abt373ad112-datasheets-8458.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 4,5 n 5,5. 20 Три-Госдарство 8: 8 32MA 64MA 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 3,6NS
74AHCT373D,118 74ahct373d, 118 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74ahct Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74ahct373d118-datasheets-8432.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 4,5 n 5,5. 20 Три-Госдарство 8: 8 8 мая 8 мая 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 4ns
54FCT373CTLB 54FCT373CTLB Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/renesaselectronicsamericinc-74fct373atsog-datasheets-1137.pdf 20-LCC Exposed Pad 12 4,5 n 5,5. Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 8ns
SN74ALS667DW SN74ALS667DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) SMD/SMT В 1 мг Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м НЕТ SVHC 24 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм 2 С.С.С. И ПРЕДУАНАНОВЛЕННА; С д. С. ТЕЗЕВЕМ Не 1 79 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Иртировани 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS667 24 Ff/зaщelki Ас 8 24ma Три-Госдарство 8: 8 9 млн 50pf D-Thep, зaщelca 20 млн 400 мк 8 мая 8 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA В.К.И. ОДНОАНАПРАВЛЕННА N/a
MC74VHCT259AD MC74VHCT259AD Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74VHCT Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS В /files/rochesterelectronicsllc-mc74vhct259adtr2-datasheets-4236.pdf 16 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 9,9 мм 3,9 мм 16 в дар 1 E0 Олейнн В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 235 16 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Исиннн Коммер AHCT/VHCT Станода 1: 8 8 мая 8 мая 1 D-Thep, AdreSOM 6ns
74ACT373SCX 74act373scx Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74act Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 2,65 мм Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74act373mtcx-datasheets-4311.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм 20 в дар 2 НЕИ 1 E3 МАГОВОЙ В дар 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 20 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Исиннн R-PDSO-G20 Дельфан 8 Три-Госдарство 8: 8 24 май 24 май 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 8ns
54FCT373ATLB 54fct373atlb Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/renesaselectronicsamericinc-74fct373atsog-datasheets-1137.pdf 20-LCC Exposed Pad 12 4,5 n 5,5. Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 9.8ns
TPIC6A259DWRG4 TPIC6A259DWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м 24 Активна (Постенни в в дар 2,35 мм Не Тргенд 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6A259 24 1 6A 8 600 май DMOS 8: 8 30 млн D-Thep 125 м Otkrыtый drenaж D-Thep, AdreSOM
CY74FCT16841ATPVC CY74FCT16841ATPVC Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74FCT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 56-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 ММ) 18,41 мм 2,79 мм 7,49 мм СОУДНО ПРИОН 56 6 694.790113mg 56 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 2,59 мм 2 Ear99 ЗOLOTO Не 2 20,5 мая E4 Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 0,635 мм 74FCT16841 56 2 Ff/зaщelki Фт 20 64ma Три-Госдарство 10:10 1,5 млн 50pf D-Thep, зaщelca 23 млн 5 Мка 32MA 64MA 3-шТат 20 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,064 а В.К.И. N/a 9 млн
54FCT573ATLB 54fct573atlb Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/renesaselectronicsamericainc-74fct573ctqg8-datasheets-7529.pdf 20-LCC Exposed Pad 12 4,5 n 5,5. Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 9.8ns
SN74AS573ADW SN74AS573ADW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AS Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 1 мг Rohs3 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 500.709277mg НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 2,35 мм 2 Бродядская сторона 373 Не 1 90 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74AS573 20 Ff/зaщelki Кап 8 48 май Три-Госдарство 8: 8 6 м 50pf D-Thep, зaщelca 8 млн 65 май 2,6 мана 8 3-шТат 1 93ma D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA Клшит ОДНОАНАПРАВЛЕННА
54FCT573CTDB 54FCT573CTDB Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/renesaselectronicsamericainc-74fct573ctqg8-datasheets-7529.pdf 20-CDIP (0,300, 7,62 ММ) 10 nedely 4,5 n 5,5. 20-CDIP Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 8ns
SN74ALS990N SN74ALS990N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 70 ° С 0 ° С 1 мг Rohs3 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 24,33 ММ 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 6 1.1991G НЕТ SVHC 5,5 В. 4,5 В. 20 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) 4,57 мм Не 70 май Nerting 4,5 n 5,5. 74ALS990 1 8 20-pdip 8 24ma Три-Госдарство 8: 8 6 м D-Thep, зaщelca 24 млн -2,6 май 24ma 400 мк 8 мая 8 1 8 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 6ns
MC74LCX573DT MC74LCX573DT Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74lcx Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-mc74lcx573dw-datasheets-6415.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) в дар НЕИ 2 В ~ 3,6 В. 20 Три-Госдарство 8: 8 24 май 24 май 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 1,5NS
54FCT373CTDB 54FCT373CTDB Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/renesaselectronicsamericinc-74fct373atsog-datasheets-1137.pdf 20-CDIP (0,300, 7,62 ММ) 12 4,5 n 5,5. Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 8ns
SN74ALS990DWG4 SN74ALS990DWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В Rohs3 /files/texasinstruments-sn74ac373dwr-datasheets-0415.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 500.709277mg 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм С. ТЕЗЕВЕМ 1 70 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS990 20 Nukahan Ff/зaщelki Н.Квалиирована Ас 8 24ma Три-Госдарство 8: 8 6 м 50pf D-Thep, зaщelca 24 млн 400 мк 8 мая 8 3-шТат 1 В. D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,024 а
SN74LVT573DW SN74LVT573DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos Rohs3 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 12,8 мм 2,65 мм 7,5 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 20 6 500.709277mg НЕТ SVHC 20 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 2,35 мм 2 Ear99 Бродядская сторона 373 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 2,7 В ~ 3,6 В. Дон Крхлоп 260 3,3 В. 74LVT573 20 3,6 В. 2,7 В. 1 Восточный Nedrenee 8 64ma Три-Госдарство 8: 8 3,5 млн 50pf D-Thep, зaщelca 2,7 млн 32MA 64MA 3-шТат 8 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,064 а В.К.И. ОДНОАНАПРАВЛЕННА N/a 4,3 м
54FCT373TLB 54FCT373TLB Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/renesaselectronicsamericinc-74fct373atsog-datasheets-1137.pdf 20-LCC Exposed Pad 12 4,5 n 5,5. Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 15NS
SN74ABTH162260DL SN74ABTH162260DL Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74abth Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos Rohs3 56-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 ММ) 18,41 мм 2,79 мм 7,49 мм СОУДНО ПРИОН 56 6 694.790113mg НЕТ SVHC 56 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 2,59 мм 3 Ear99 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 0,635 мм 74abth162260 56 1 Drugie -lohikicki -ics Абт 12 64ma Три-Госдарство 12:24 3,6 млн 50pf D-Thep, зaщelca 6,4 млн 32MA 64MA 3 СОСТИВАЙНА С СЕРИГИНГИ 24 63 май D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA NeShaviymый koantroly N/a
SN74ALS563BNSRG4 SN74ALS563BNSRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) В Rohs3 20 SOIC (0,209, Ирин 5,30 мм) 12,6 ММ 2 ММ 5,3 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 266.712314mg 20 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 1,95 мм 2 Тргенд 1 26 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Иртировани 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS563 20 Nukahan Ff/зaщelki Н.Квалиирована Ас 8 24ma Три-Госдарство 8: 8 6 м 50pf D-Thep, зaщelca 18 млн 2,6 мана 8 3-шТат 1 29 май D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,024 а ОДНОАНАПРАВЛЕННА N/a
SN74ALS666DW SN74ALS66666DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) SMD/SMT В Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м НЕТ SVHC 24 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 2,35 мм 2 Ear99 С.С.С. И ПРЕДУАНАНОВЛЕННА; С д. С. ТЕЗЕВЕМ Не 1 73 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS666 24 Восточный Ас 8 24ma Три-Госдарство 8: 8 6 м 50pf D-Thep, зaщelca 32 м 40 май 400 мк 8 мая 8 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA В.К.И. ОДНОАНАПРАВЛЕННА N/a
SN74ALS666DWE4 SN74ALS66666DWE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м 24 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,35 мм 2 С.С.С. И ПРЕДУАНАНОВЛЕННА; С д. С. ТЕЗЕВЕМ 1 73 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS666 24 Nukahan Ff/зaщelki Н.Квалиирована Ас 8 24ma Три-Госдарство 8: 8 6 м 50pf D-Thep, зaщelca 18 млн 400 мк 8 мая 8 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA В.К.И. ОДНОАНАПРАВЛЕННА N/a
74ACT16841DLG4 74ACT16841DLG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74act Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 56-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 ММ) 18,41 мм 2,79 мм 7,49 мм СОУДНО ПРИОН 56 6 694.790113mg 56 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 2,59 мм 2 ЗOLOTO Не 2 E4 Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 0,635 мм 74act16841 56 Ff/зaщelki Дельфан 10 24ma Три-Госдарство 10:10 7,7 млн 50pf D-Thep, зaщelca 13,7 млн 8 мка 24 май 24 май 20 3-шТат 2 0,08 Ма D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA В.К.И. N/a
SN74ALS666DWG4 SN74ALS66666DWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Пефер Пефер 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м 24 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 2,35 мм 2 С.С.С. И ПРЕДУАНАНОВЛЕННА; С д. С. ТЕЗЕВЕМ 1 73 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 74ALS666 24 Nukahan Ff/зaщelki Н.Квалиирована Ас 8 24ma Три-Госдарство 8: 8 6 м 50pf D-Thep, зaщelca 18 млн 400 мк 8 мая 8 3-шТат 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA В.К.И. ОДНОАНАПРАВЛЕННА N/a
SN74ABTH16260DL Sn74abth16260dl Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74abth Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Bicmos Rohs3 56-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 ММ) 18,41 мм 2,79 мм 7,49 мм СОУДНО ПРИОН 56 6 694.790113mg НЕТ SVHC 56 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар 2,59 мм 3 Ear99 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 0,635 мм 74abth16260 56 1 Drugie -lohikicki -ics Абт 12 64ma Три-Госдарство 12:24 SPDT 3,2 млн 50pf D-Thep, зaщelca 5 млн 32MA 64MA 3-шТат 24 63 май D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,064 а N/a
TPIC6A259DWG4 TPIC6A259DWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА TPIC Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м НЕТ SVHC 24 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 2,35 мм Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting 4,5 n 5,5. Дон Крхлоп 260 TPIC6A259 24 1 6A 8 600 май DMOS 8: 8 30 млн D-Thep 125 м Otkrыtый drenaж D-Thep, AdreSOM
54FCT373TDB 54FCT373TDB Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Чereз dыru -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/renesaselectronicsamericinc-74fct373atsog-datasheets-1137.pdf 20-CDIP (0,300, 7,62 ММ) 12 4,5 n 5,5. 20-CDIP Три-Госдарство 8: 8 1 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 15NS
74FCT162373ETPVG 74FCT162373ETPVG Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74FCT Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-74fct162373ctpag8-datasheets-7677.pdf 48-BSSOP (0,295, шIRINA 7,50 мм) 8 4,5 n 5,5. 74FCT162373 48-ssop Три-Госдарство 8: 8 24 май 24 май 2 D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 1,5NS
SN74ALS563BN SN74ALS563BN Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74 -LETNIй Чereз dыru Чereз dыru 0 ° C ~ 70 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) В 1 мг Rohs3 20-DIP (0,300, 7,62 ММ) 24,33 ММ 5,08 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 1.1991G НЕТ SVHC 20 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 4,57 мм 2 Ear99 Broadside - 533 Не 1 26 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Иртировани 4,5 n 5,5. Дон 2,54 мм 74ALS563 20 Восточный Ас 8 24ma Три-Госдарство 8: 8 6 м 50pf D-Thep, зaщelca 18 млн 2,6 мана 8 3-шТат 1 29 май D-TIPPROзRAчNAINAHNAHELCA 0,024 а ОДНОАНАПРАВЛЕННА N/a

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.