Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Количество цепей | Статус квалификации | Код JESD-30 | Уровень скрининга | Размер | Тип | Ширина шины данных | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 7015S17J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7015s17j-datasheets-4515.pdf | ПЛКК | 24 мм | 24 мм | 5В | Содержит свинец | 68 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 68 | Параллельно | 72 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 310 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 68 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17 нс | 26б | 8КХ9 | 0,015А | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S150PFGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | 150 МГц | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s150pfgi8-datasheets-4512.pdf | ЛКФП | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA20PHGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa20phgi8-datasheets-4500.pdf | СОИК | 20,95 мм | 3,3 В | 32 | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | неизвестный | 1 | 115 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 17б | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 709099Л12ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 33,3 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-709099l12pf-datasheets-4492.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 355 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 34б | 0,003А | 8б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||
| 71024S20YGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | 14,50 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71024s20ygi-datasheets-4476.pdf | 20,9 мм | 10,2 мм | 5В | Без свинца | 32 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | да | 2,2 мм | 1 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 17б | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В632С7ПФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 66 МГц | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v632s7pfg-datasheets-4475.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 7 недель | 3,63 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 2 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ТАКЖЕ ТРЕБУЕТСЯ ПИТАНИЕ 3.3VI/O. | Нет | 1 | 160 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 256 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 66 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7 нс | 16б | 64КХ32 | 32б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 71342LA25PFGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la25pfgi8-datasheets-4446.pdf | TQFP | 5В | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 32 КБ | 2 | EAR99 | Нет | 1 | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,8 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 2 | 4 КБ | ОЗУ, СРАМ | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 24б | 4KX8 | 8 | 0,0015А | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70T3519S166BCI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 85°С | -40°С | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70t3519s166bci8-datasheets-4441.pdf | 17 мм | 17 мм | 2,5 В | Содержит свинец | 7 недель | 2,6 В | 2,4 В | 256 | Параллельно | 9 Мб | 1,4 мм | 2 | Нет | 510 мА | ОЗУ, СРАМ | 12 нс | 36б | 36б | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S150PFGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 4 (72 часа) | 85°С | -40°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s150pfgi-datasheets-4420.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 3,8 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6116SA35TDB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Масса | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | 5,08 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-6116sa35tdb-datasheets-4414.pdf | КРИС | 32,51 мм | 7,62 мм | 5В | Содержит свинец | 24 | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,56 мм | 1 | Нет | 1 | 90 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ДВОЙНОЙ | 240 | 5В | 2,54 мм | 24 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | MIL-STD-883 Класс B | 2 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 11б | 2КХ8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В432С5ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v432s5pf8-datasheets-4412.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,63 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,2 мА | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 100 МГц | 32КХ32 | 32 | 1048576 бит | 0,015А | 5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA15TY | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,7592 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa15ty-datasheets-4410.pdf | 20,955 мм | 7,62 мм | 32 | 32 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 15 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67603С166БК8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | 166 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67603s166bq8-datasheets-4401.pdf | 15 мм | 1,2 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 340 мА | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | 1,2 мм | 1 | Нет | 340 мА | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 166 МГц | 3,5 нс | 18б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В2556СА100БГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 100 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556sa100bg-datasheets-4397.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 100 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5 нс | 17б | 0,04А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| 70В24Л25Дж | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 1 (без блокировки) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v24l25j-datasheets-4385.pdf | ПЛКК | 29,21 мм | 29,21 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 84 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 84 | Параллельно | 64 КБ | нет | 3,63 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 165 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 84 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 24б | 4КХ16 | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA20PHG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa20phg8-datasheets-4383.pdf | СОИК | Параллельно | ОЗУ, SRAM — асинхронное | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71342LA25PFGI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 85°С | -40°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71342la25pfgi-datasheets-4373.pdf | TQFP | 5В | 64 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 64 | Параллельно | 32 КБ | 2 | EAR99 | Нет | 1 | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,8 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 2 | 4 КБ | ОЗУ, СРАМ | 8б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 24б | 4KX8 | 8 | 0,0015А | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71024S20YGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71024s20ygi8-datasheets-4371.pdf | 20,9 мм | 10,2 мм | 5В | Без свинца | 32 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | да | 2,2 мм | 1 | Нет | 1 | 140 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 17б | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 6116SA55TDB | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | 125°С | -55°С | КМОП | 5,08 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-6116sa55tdb-datasheets-4369.pdf | КРИС | 32,51 мм | 7,62 мм | 5В | Содержит свинец | 24 | 10 недель | 5,5 В | 4,5 В | 24 | Параллельно | 16 КБ | нет | 3,56 мм | 1 | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПРОХОДНОЕ ОТВЕРСТИЕ | 240 | 5В | 2,54 мм | 24 | ВОЕННЫЙ | СРАМ | 5В | MIL-STD-883 Класс B | 2 КБ | СДР | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 55 нс | 11б | 2КХ8 | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3579С75ПФГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 117 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3579s75pfg8-datasheets-4332.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 255 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 117 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 18б | 0,03 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V65602S150PFG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | КМОП | 150 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v65602s150pfg8-datasheets-4313.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Оловянный свинец | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | Не квалифицированный | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 256КХ36 | 36 | 9437184 бит | 3,8 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7015Л12ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7015l12pf8-datasheets-4302.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 80 | Параллельно | 72 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 275 мА | 80 | 9 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 12 нс | 26б | 9б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7142SA25J | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7142sa25j-datasheets-4299.pdf | ПЛКК | 19 мм | 19 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 52 | Параллельно | 16 КБ | 3,63 мм | 2 | Нет | 220 мА | 2 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 25 нс | 22б | 8б | Асинхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V424S10PH8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v424s10ph8-datasheets-4289.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,18 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 512КХ8 | 8 | 4194304 бит | 0,02 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA20PH8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa20ph8-datasheets-4284.pdf | СОИК | 20,95 мм | 10,16 мм | 32 | Параллельно | нет | 3A991.B.2.B | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 225 | 3,3 В | 1,27 мм | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,095 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г32 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ8 | 8 | 1048576 бит | 0,01 А | 20 нс | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В657С10ВС | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,5 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v657s10bc-datasheets-4217.pdf | 17 мм | 17 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 256 | 7 недель | 3,45 В | 3,15 В | 256 | Параллельно | 1,1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 500 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 256 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 30б | 0,015А | 36б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В67603С133БКИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 85°С | -40°С | 133 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v67603s133bqi-datasheets-4202.pdf | 15 мм | 1,2 мм | 13 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 280 мА | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 9 Мб | 1,2 мм | 1 | Нет | 280 мА | 1,1 МБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 133 МГц | 4,2 нс | 18б | 36б | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V3556S133BQI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s133bqi-datasheets-4195.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 1 мм | 165 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,31 мА | Не квалифицированный | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,045А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71024S15TYGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,76 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71024s15tygi8-datasheets-4142.pdf | 21,95 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 32 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | да | 2,67 мм | 1 | Нет | 1 | 155 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 17б | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V124SA12YI | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Рельс/Труба | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v124sa12yi-datasheets-4140.pdf | 20,955 мм | 3,3 В | 32 | 3,6 В | 3В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | не_совместимо | 1 | 140 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 3,3 В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | Не квалифицированный | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 12 нс | 17б | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В |
