Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Ширина шины данных | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| S70FL01GSAGMFI013 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductor-s70fl01gsagmfi013-datasheets-9286.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,65 мм | 3В | 16 | 13 недель | 16 | СПИ | 1 ГБ | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 0,1 мА | 1 ГБ 128 М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 3В | 133 МГц | 32б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1GX1 | 1 | СЕРИАЛ | 0,0002А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 512Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AS7C34098A-10ТИН | Альянс Память, Инк. | $5,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/alliancememoryinc-as7c34098a10tin-datasheets-8225.pdf | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 3,3 В | Без свинца | 10 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | 1 | Нет | 3В~3,6В | 44-ЦОП2 | 4Мб 256К х 16 | Неустойчивый | 10 нс | 18б | СРАМ | Параллельно | 10 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29AL008J70BFI020 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эл-Джей | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s29al008j70bfi020-datasheets-8036.pdf | 48-ВФБГА | 8,15 мм | Без свинца | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | 8 Мб | НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 12 мА | Олово/медь/серебро (Sn/Cu/Ag) | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 33,3 В | 8Мб 1М х 8 512К х 16 | Энергонезависимый | 8б | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 512КХ16 | 16 | 70нс | 8 | 0,000005А | 70 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 12115 | 16К8К32К64К | ДА | НИЖНИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL256SAGMFIR01 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s25fl256sagmfir01-datasheets-8055.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | Без свинца | 16 | 13 недель | Нет СВХК | 16 | СПИ, серийный | 256 Мб | ТАКЖЕ КОНФИГУРИРУЕТСЯ КАК 256M X 1. | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 75 мА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 256Мб 32М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 3В | 133 МГц | 1б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 64MX4 | 4 | 2 | 0,0001А | 1б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 500 мс | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP080D-JNLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 10 | Р-ПДСО-Г8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 1MX8 | 8 | 800 мкс | 8388608 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM24CL04B-ГТР | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm24cl04bgtr-datasheets-7868.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3В | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 4 КБ | EAR99 | 1 | 300 мкА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | FM24CL04 | 8 | 3,65 В | 2,7 В | 30 | СРАМ | Не квалифицирован | 4Кб 512 х 8 | Энергонезависимый | 8б | 550 нс | 1 МГц | ФРАМ | I2C | 8 | 0,000006А | 8б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24512-WDW6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24512wdw6tp-datasheets-7919.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 8 | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 512 КБ | NRND (Последнее обновление: 6 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | 5мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | М24512 | 8 | 30 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 500 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000002А | I2C | 4000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29AL016J70TFI010 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эл-Джей | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s29al016j70tfi010-datasheets-7996.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,5 мм | 1,2 мм | 12,1 мм | Без свинца | 48 | 12 недель | Нет СВХК | 48 | 16 Мб | EAR99 | ВЕРХНИЙ ЗАГРУЗОЧНЫЙ БЛОК | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 12 мА | е3 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 85°С | 16Мб 2М х 8 1М х 16 | Энергонезависимый | 8б | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 1MX16 | 70нс | 0,000005А | 70 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 12131 | 16К8К32К64К | ДА | ВЕРШИНА | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL127SABMFI100 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,16 мм | 8 | 13 недель | 8 | СПИ | 128 Мб | ТАКЖЕ ЕСТЬ ШИРИНА ПАМЯТИ X 1 | Олово | Нет | 1 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 0,063 мА | 85°С | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 3В | 108 МГц | 1б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 8 | СЕРИАЛ | 2 | 0,0001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL128P90FFIR12 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЛ-П | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | 64-ЛБГА | 13 мм | 3В | 64 | 12 недель | 64 | 128 Мб | 3A991.B.1.A | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 110 мА | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | 2,7 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 3,6 В | 3В | 40 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 128MX1 | 1 | 90 нс | 8 | 0,000005А | 90 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 128 | 128 тыс. | ДА | ДА | 8/16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W29N02GVSIAA | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-NAND (SLC) | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w29n02gvsiaa-datasheets-8031.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 1,2 мм | 12 мм | 3В | 48 | 10 недель | 48 | 2 ГБ | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 85°С | 2Гб 256М х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | Параллельно | 2GX1 | 1 | 25нс | 256Б |
