Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Идентификатор производителя производителя | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Уровень скрининга | Размер | Тип | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновлений | Последовательная длина пакета | Длина очередного пакета | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Самообновление |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MT47H128M16RT-25E ИТ:С | Микрон Технология Инк. | 5,00 долларов США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~95°К ТС | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR2 | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt47h128m16rt25eitc-datasheets-7288.pdf | 84-ТФБГА | 4 недели | 1,7 В~1,9 В | МТ47Х128М16 | 84-ФБГА (9х12,5) | 2 ГБ 128 М х 16 | Неустойчивый | 400пс | 400 МГц | ДРАМ | Параллельно | 15 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM25V20A-Г | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 2,03 мм | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm25v20ag-datasheets-7393.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3,3 В | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | СПИ, серийный | 2 Мб | EAR99 | 1 | ДА | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2В | НЕ УКАЗАН | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 40 МГц | ФРАМ | СПИ | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16320Д-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 54 | 6 недель | Нет СВХК | 54 | 512 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 1 | 170 мА | е3 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 512Мб 32М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 15б | ДРАМ | Параллельно | 32MX16 | 16 | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S70GL02GS12FHIV20 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЛ-С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s70gl02gs11fhi010-datasheets-7383.pdf | 64-ЛБГА | 13 мм | 1,4 мм | 160 мА | 64 | 13 недель | 64 | 2 ГБ | Нет | 8542.32.00.71 | 1 | 60 мА | 1,65 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | 2 ГБ 128 М х 16 | Энергонезависимый | 16б | 120 нс | 3В | 27б | ВСПЫШКА | Параллельно | 128MX16 | 16 | 8 | 0,0002А | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 2К | 128 тыс. | ДА | НИЗ/ВЕРХ | ДА | 16/32 слова | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-7ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $11,64 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 86-ТФСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 86 | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,23 мА | Не квалифицированный | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ10248БЛЛ-10ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $16,24 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 44-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 18 415 мм | 10,16 мм | 3В | 44 | 8 недель | Нет СВХК | 44 | 8 Мб | да | 2 | 3А991 | Нет | 1 | 100 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | 2,4 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,8 мм | 44 | 3,6 В | 40 | 8Мб 1М х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20б | СРАМ | Параллельно | 1MX8 | 10 нс | 8б | 10 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С32160Ф-7БЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $13,57 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 90-ТФБГА | 13 мм | 8 мм | 90 | 8 недель | 1 | EAR99 | ПРОГРАММИРУЕМАЯ ЗАДЕРЖКА CAS; АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.28 | 1 | ДА | 3В~3,6В | НИЖНИЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 3,6 В | 3В | 3,3 В | 0,23 мА | Не квалифицированный | Р-ПБГА-Б90 | 512Мб 16М х 32 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX32 | 32 | 536870912 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 1248ФП | 1248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS1225AD-150IND+ | Максим Интегрированный | $24,14 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | NVSRAM (энергонезависимая SRAM) | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | /files/maximintegrated-ds1225ad150ind-datasheets-7418.pdf | Модуль 28-ДИП (0,600, 15,24 мм) | Без свинца | 28 | 10 недель | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 10 ЛЕТ | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 2,54 мм | DS1225A | 28 | 5,5 В | 4,5 В | НЕ УКАЗАН | СРАМ | 5В | 0,085 мА | Не квалифицированный | Р-ПДМА-П28 | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | НВСРАМ | Параллельно | 8КХ8 | 8 | 150 нс | 65536 бит | 0,01 А | 150 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM28V020-ТГ | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm28v020tg-datasheets-7309.pdf | 32-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 11,9 мм | 1,02 мм | 8,1 мм | 3,3 В | Без свинца | 32 | 26 недель | 32 | 256 КБ | EAR99 | 1 | 8мА | е3 | Олово (Вс) | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | FM28V020 | 32 | 3,6 В | 2В | 40 | СРАМ | Не квалифицированный | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | ФРАМ | Параллельно | 140 нс | 0,00015А | 8б | 140 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС61ВВ51216БЛЛ-10МЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | $23,46 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | 48-ТФБГА | Без свинца | 48 | 8 недель | 48 | 8 Мб | да | 1 | Нет | 1 | 95 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 2,4 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | 3,6 В | 2,4 В | 40 | 2,5/3,3 В | 8Мб 512К х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 19б | СРАМ | Параллельно | 16 | 10 нс | 0,02 А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX29LV400CBTI-70G | Макроникс | 3,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX29LV | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx29lv400cbti70g-datasheets-2200.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | 3,6 В | Без свинца | 48 | 10 недель | 4 Мб | да | 3A991.B.1.A | неизвестный | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 48 | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Г48 | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 4MX16 | 16 | 70нс | 8 | 0,000005А | 70 нс | ДА | ДА | ДА | 1217 | 16К8К32К64К | ДА | НИЖНИЙ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVEIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpiqtr-datasheets-0767.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 8 | 10 недель | да | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ТАКЖЕ 104 МГЦ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,7 ДО 3,0 В. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ26ВФ032Б-104В/СМ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SST26 SQI® | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sst26vf032b104ism-datasheets-1649.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Без свинца | 6 недель | 8 | СПИ, серийный | 32 Мб | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~3,6 В | 260 | SST26VF032 | 40 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1,5 мс | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S25FL128LAGMFI010 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-Л | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 13 недель | да | ТАКЖЕ НАСТРАИВАЕТСЯ КАК 128М Х 1. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 32MX4 | 4 | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LQ016B-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Масса | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,3 В | 8 | 8 недель | 8 | СПИ, серийный | 16 Мб | 1 | е3 | Олово (Вс) | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | 10 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 2,7 В | 104 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 1 мс | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT25QU128ABA1ESE-0SIT ТР | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt25qu128aba1ese0sittr-datasheets-1767.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5 недель | 1,7 В~2 В | 8-СО | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8 мс, 2,8 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29AL008J70TFI020 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эл-Джей | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s29al008j70bfi020-datasheets-8036.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,5 мм | 1,2 мм | 12,1 мм | Без свинца | 48 | 8 недель | Нет СВХК | 48 | 8 Мб | НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 12 мА | е3 | Матовое олово (Sn) – с барьером из серебра (Ag) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 33,3 В | 85°С | 8Мб 1М х 8 512К х 16 | Энергонезависимый | 8б | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 512КХ16 | 70нс | 0,000005А | 70 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 12115 | 16К8К32К64К | ДА | НИЖНИЙ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L6445EM2I-10G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx45 — MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l6445em2i10g-datasheets-1835.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,23 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 64 Мб | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ НАСТРАИВАЕТСЯ КАК 64M X 1, ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 20 ЛЕТ. | неизвестный | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX4 | 4 | 300 мкс, 5 мс | 2 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 5 мс | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST39SF040-70-4C-PHE | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ССТ39 МПФ™ | Сквозное отверстие | 0°С~70°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sst39sf040704cphe-datasheets-1742.pdf | 32-ДИП (0,600, 15,24 мм) | 42,04 мм | 3,81 мм | 15,88 мм | 5В | Без свинца | 32 | 12 недель | 32 | 4 Мб | да | 3A991.B.1.A | Нет | 32-pdip-PH-3 | 1 | 25 мА | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | НЕТ | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 5В | 2,54 мм | SST39SF040 | 32 | 5В | 4Мб 512К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 70нс | 5В | 19б | ВСПЫШКА | Параллельно | 512КХ8 | 20 мкс | 0,0001А | 8б | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 128 | 4К | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT29F1G08ABAEAWP-IT:E ТР | Микрон Технология Инк. | 2,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФЛЕШ-НЕ-НЕ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 5 недель | 2,7 В~3,6 В | MT29F1G08 | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | ВСПЫШКА | Параллельно | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС62К1024АЛ-35ТЛИ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62c1024al35tli-datasheets-0002.pdf | 32-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 8,1 мм | 950 мкм | 18,5 мм | 5В | Без свинца | 32 | 8 недель | Нет СВХК | 32 | 1 Мб | да | 1 | Нет | 28 МГц | 1 | 30 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,5 мм | 32 | 40 | 5В | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17б | СРАМ | Параллельно | 35 нс | 8б | 35 нс | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M95M01-DWDW4TP/К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~145°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m95m01dwdw4tpk-datasheets-1632.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 8 | 14 недель | 8 | СПИ, серийный | 1 Мб | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 0,65 мм | М95М01 | 5,5 В | 2,5 В | 3/5 В | 0,004 мА | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 25 нс | 16 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 4 мс | 0,000002А | СПИ | 4000000 циклов записи/стирания | 4 мс | 40 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИС42С16400ДЖ-7ТЛ | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is42s16400j7tl-datasheets-0008.pdf | 54-ТСОП (ширина 0,400, 10,16 мм) | 22,22 мм | 3,3 В | 90 мА | 54 | 6 недель | 54 | 64 Мб | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | Олово | Нет | 1 | 90 мА | е3 | 3В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 0,8 мм | 54 | 3,6 В | 3В | 64Мб 4М х 16 | Неустойчивый | 16б | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 5,4 нс | 143 МГц | 14б | ДРАМ | Параллельно | 4MX16 | 16 | ОБЩИЙ | 4096 | 1248ФП | 1248 | НЕТ | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT25QL128ABA1ESE-MSIT ТР | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt25ql128aba1ew70sittr-datasheets-1428.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8 мс, 2,8 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24M02-DRCS6TP/К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24m02drcs6tpk-datasheets-1601.pdf | 8-УБГА, ВЛЦП | 3,556 мм | 2,011 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 Мб | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | 3A991.B.1.B.1 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,8 В~5,5 В | НИЖНИЙ | 2,5 В | М24М02 | 5,5 В | 2/5 В | 0,0025 мА | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 450 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 10 мс | 0,000003А | I2C | 4000000 циклов записи/стирания | 10 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДММР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L6406EZNI-12G | Макроникс | 1,92 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l6406em2i12g-datasheets-1335.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 8 мм | 6 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 64 Мб | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 32MX2 | 2 | 300 мкс, 5 мс | 1 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ26ВФ032Б-104И/СМ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SST26 SQI® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sst26vf032b104ism-datasheets-1649.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,26 мм | 2,03 мм | 5,25 мм | 3В | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ | 32 Мб | 3A991.B.1.A | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | SST26VF032 | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 0,02 мА | Не квалифицированный | 85°С | ТС 16949 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3 нс | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 32MX1 | 1,5 мс | СЕРИАЛ | 0,000045А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP064A-JBLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is25lp064ajble-datasheets-9928.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3В | 8 | 8 недель | 8 | СПИ, серийный | 64 Мб | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 10 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI | 64MX1 | 1 | 800 мкс | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25АА512-И/СН | Микрочиповая технология | $3,71 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-25aa512isn-datasheets-1671.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,25 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | СПИ, серийный | 512 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 7мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | 25АА512 | 8 | 5,5 В | 40 | 2,5/5 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 250 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25LC512-Е/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-25lc512esn-datasheets-1682.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 512 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 5мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | 25LC512 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 50 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ |
