Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Размер | Тип | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Синхронизация/Асинхронность | Загрузочный блок | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Обратная распиновка | Напряжение в режиме ожидания-мин. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| M95M01-DFCS6TP/К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m95m01rmn6tp-datasheets-0412.pdf | 8-УФБГА, ВЛЦП | 2,56 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | СПИ, серийный | 1 Мб | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | 5мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 1,7 В~5,5 В | НИЖНИЙ | 1,8 В | 0,5 мм | М95М01 | 5,5 В | 1,7 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 25 нс | 16 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 4000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM24CL16B-ГТР | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1727 мм | 3В | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | 16 КБ | EAR99 | Олово | 1 | 300 мкА | е3 | 2,7 В~3,65 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | FM24CL16 | 8 | 3,65 В | 2,7 В | 30 | 85°С | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 550 нс | 1 МГц | ФРАМ | I2C | 8 | 8б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS2431+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | ЭСППЗУ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds2431ptr-datasheets-0434.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 9,4 мм | 5В | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 5,25 В | 2,8 В | 3 | Серийный | 1 КБ | Олово | Нет | DS2431 | 150°С | ТО-92-3 | 1Кб 256х4 | Энергонезависимый | 2 мкс | ЭСППЗУ | 1-Wire® | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS2431Q+T&R | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | ЭСППЗУ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds2431ptr-datasheets-0434.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 6 недель | Неизвестный | 5,25 В | 2,8 В | 6 | Серийный | 1 КБ | Олово | Нет | DS2431 | 6-ТДФН-ЭП (3х3) | 1Кб 256х4 | Энергонезависимый | 2 мкс | ЭСППЗУ | 1-Wire® | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVSIM ТР | Винбонд Электроникс | 0,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpimtr-datasheets-0693.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ26ВФ016БТ-104ИС/СМ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SST26 SQI® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,03 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sst26vf016b104isn-datasheets-0966.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,26 мм | 5,25 мм | 8 | 6 недель | 8 | СПИ, серийный | 16 Мб | 3A991.B.1.A | Олово | 1 | е3 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | SST26VF016B | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1 | 1,5 мс | 0,000025А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | НИЗ/ВЕРХ | 256Б | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25LC256-И/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-25lc256tisn-datasheets-0746.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,5 мм | 1,05 мм | 3,1 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | I2C, SPI, последовательный порт | 256 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 6мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | 25LC256 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 2/5 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 50 нс | 10 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVSIM | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpimtr-datasheets-0693.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 2,16 мм | 5,23 мм | 8 | 10 недель | СПИ | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ТАКЖЕ 104 МГЦ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,7 ДО 3,0 В. | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 85°С | С-ПДСО-G8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25LC256-И/СН | Микрочиповая технология | $5,61 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-25lc256tisn-datasheets-0746.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,25 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 5 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 256 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 6мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | 25LC256 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 2/5 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 50 нс | 10 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC512-И/СМ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/microchiptechnology-24lc512tist-datasheets-1047.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,21 мм | 1,88 мм | 5,28 мм | 2,5 В | Без свинца | 8 | 5 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 512 КБ | да | EAR99 | Нет | 1 | 5мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 4,5 В | 1,27 мм | 24LC512 | 8 | 5,5 В | 3/5 В | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB081E-SHN-T | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db081esshnt-datasheets-0668.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,29 мм | Без свинца | 15 мА | 8 | 8 недель | 540,001716мг | 8 | СПИ, серийный | 8 Мб | Золото | 1 | 15 мА | е4 | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 8 МБ, 264 байт x 4096 страниц | Энергонезависимый | 8б | 7 нс | 2,7 В | 85 МГц | 21б | ВСПЫШКА | СПИ | 1 | 8 мкс, 4 мс | 0,000001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24CM01-XHD-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24cm01xhdt-datasheets-1118.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 1 Мб | да | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | АТ24СМ01 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 2,7/5 В | Не квалифицированный | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДДМР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ26ВФ016Б-104И/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SST26 SQI® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sst26vf016b104isn-datasheets-0966.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 8 | 7 недель | 8 | СПИ | 16 Мб | 3A991.B.1.A | C04-057-СН | 1 | 8мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | SST26VF016B | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 85°С | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 16MX1 | 1,5 мс | СЕРИАЛ | 0,000025А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | НИЗ/ВЕРХ | 256Б | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24CM01-SSHD-B | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24cm01xhdt-datasheets-1118.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | 1 Мб | да | Нет | C04-057-СН | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | АТ24СМ01 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 2,7/5 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДДМР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS2431G+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | ЭСППЗУ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds2431ptr-datasheets-0434.pdf | 2-СФН | 6 недель | 5,25 В | 2,8 В | 2 | Серийный | 1 КБ | Золото | Нет | DS2431 | 2-СФН (6х6) | 1Кб 256х4 | Энергонезависимый | 2 мкс | ЭСППЗУ | 1-Wire® | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS2431X-S+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds2431ptr-datasheets-0434.pdf | 6-ВФБГА, КСПБГА | 1,68 мм | 380 мкм | 1,68 мм | 6 | 6 недель | Неизвестный | 5,25 В | 2,8 В | 6 | Серийный | 1 КБ | да | EAR99 | Медь, Серебро, Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | 260 | 0,5 мм | DS2431 | 6 | 30 | 3/5 В | 1Кб 256х4 | Энергонезависимый | 2 мкс | ЭСППЗУ | 1-Wire® | 1КХ1 | 50000 циклов записи/стирания | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М95М01-РМН6ТП | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | ЭСППЗУ | 16 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m95m01rmn6tp-datasheets-0412.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | 5В | Без свинца | 13 недель | 5,5 В | 1,8 В | 8 | СПИ | 1 Мб | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | Золото | Нет | 5 МГц | СО8Н-А | 5мА | 1,8 В~5,5 В | М95М01 | 85°С | 8-СО | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 25 нс | 16 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM25L16B-ГТР | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm25l16bgtr-datasheets-0866.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1727 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | 16 КБ | да | EAR99 | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | FM25L16 | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 30 | СРАМ | Не квалифицированный | 85°С | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 20 нс | 20 МГц | ФРАМ | СПИ | 8 | 0,000006А | 8б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM25L04B-ГТР | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm25l04bgtr-datasheets-1035.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | СПИ, серийный | 4 КБ | да | EAR99 | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | FM25L04 | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 30 | СРАМ | Не квалифицированный | 4Кб 512 х 8 | Энергонезависимый | 8б | 20 нс | 20 МГц | ФРАМ | СПИ | 8 | 0,000006А | 8б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVPIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpiqtr-datasheets-0767.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC512T-I/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc512tist-datasheets-1047.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,4 мм | 3 мм | 5В | Без свинца | 8 | 7 недель | 8 | I2C, последовательный | 512 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 5мА | е3 | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 4,5 В | 0,65 мм | 24LC512 | 8 | 40 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC256T-I/СМ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc256tisn-datasheets-9944.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,26 мм | 1,98 мм | 5,24 мм | Без свинца | 8 | 2 недели | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 256 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,27 мм | 24LC256 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000005А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVPIM ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpimtr-datasheets-0693.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 3 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT25256B-SSHL-B | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at25256bsshlt-datasheets-0179.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,05 мм | 1,5 мм | 3,99 мм | 5В | Без свинца | 8 | 15 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 256 КБ | да | Золото, Олово | Нет | 1 | 10 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | АТ25256 | 40 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 80 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | 0,000003А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 23К256-И/СТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-23k256tist-datasheets-0593.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 3,0988 мм | 1,0414 мм | 4,4958 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 6 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 256 КБ | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 10 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,65 мм | 23К256 | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 256Кб 32К х 8 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 20 МГц | 1б | СРАМ | СПИ | 0,000004А | 8б | синхронный | ОТДЕЛЬНЫЙ | 2,7 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25U1635EZUI-10G | Макроникс | 1,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx35/36 — MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25u1635ezui10g-datasheets-0483.pdf | 8-УДФН Открытая площадка | 4 мм | 4 мм | 2В | Без свинца | 8 | СПИ, серийный | 16 Мб | EAR99 | ТАКЖЕ КОНФИГУРИРУЕТСЯ КАК 16M X 1 | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 1,65 В~2 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 8 | 2В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | С-ПДСО-Н8 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX4 | 4 | 30 мкс, 3 мс | 2 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 10 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| M24M01-DFCS6TP/К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24m01dfcs6tpk-datasheets-0756.pdf | 8-УФБГА, ВЛЦП | 2,56 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | I2C, последовательный | 1 Мб | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | 1,7 В~5,5 В | НИЖНИЙ | 2,5 В | 0,5 мм | М24М01 | 5,5 В | 1,7 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 500 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | I2C | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q64JVSSIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q64jvssiqtr-datasheets-9939.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 2,16 мм | 3В | 8 | 10 недель | 8 | СПИ | 512 Мб | 3A991.B.1.A | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 30 | 85°С | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 6 нс | 2,7 В | 133 МГц | 24б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 64MX1 | 1 | 3 мс | СЕРИАЛ | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP032D-JBLE-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,28 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | С-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 4MX8 | 8 | 800 мкс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L3206EZNI-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l3206em2i12g-datasheets-0368.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 32 Мб | да | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 0,025 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-Н8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3,3 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ |
