Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Прекращение действия | Технология | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Идентификатор производителя производителя | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Размер | Тип | Ширина шины данных | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Циклы обновлений | Последовательная длина пакета | Длина очередного пакета | Обратная распиновка |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| M95256-WMN6TP | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m95256wmn6tp-datasheets-9163.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 13 недель | Нет СВХК | 8 | 256 КБ | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Золото | Нет | СО8Н-СО-А | 1 | 5мА | е4 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | M95256 | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 30 | 3/5 В | 85°С | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 60 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000005А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L8006EM1I-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l8006em1i12g-datasheets-9454.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 3,6 В | Без свинца | 8 | 16 недель | СПИ, серийный | 8 Мб | EAR99 | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 0,02 мА | Не квалифицированный | Р-ПДСО-G8 | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 2,7 В | 86 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 4MX2 | 2 | 50 мкс, 3 мс | 1 | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 25AA02UIDT-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-25aa02uidtiot-datasheets-9025.pdf | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 | 21 неделя | Нет СВХК | 6 | СПИ, серийный | 2 КБ | Олово | 1 | 5мА | е3 | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,95 мм | 25AA02UID | 5,5 В | 1,8 В | 40 | 2Кб 256х8 | Энергонезависимый | 50 нс | 10 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | СПИ | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q80ДВСНИГ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q80dvsnigtr-datasheets-9191.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 10 недель | 2,7 В~3,6 В | 8Мб 1М х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 3 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ24С64Д-МАХМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c64dmahmt-datasheets-8873.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 64 КБ | да | Нет | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 0,5 мм | AT24C64D | 5,5 В | 1,7 В | 40 | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT25160VI-GT3 | ОН Полупроводник | 0,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat25160vigt3-datasheets-8749.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5 мм | 3,9878 мм | 5В | Без свинца | 8 | 5 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 16 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 2мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ25160 | 8 | 40 | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | 40 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 5 мс | 0,000002А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C256WI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24c256wigt3-datasheets-8898.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5 мм | 1,75 мм | 4 мм | 5В | Без свинца | 8 | 4 недели | Нет СВХК | 8 | 256 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 3мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ24C256 | 8 | 40 | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 500 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC16BT-I/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc16btiot-datasheets-8668.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,5 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 16 КБ | да | Нет | 1 | 3мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | 24LC16B | 8 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 2/5 В | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | ОТКРЫТЫЙ СТОК | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010МММР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24AA02T-I/OT | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/microchiptechnology-24aa02tiot-datasheets-8731.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 5 | 7 недель | Нет СВХК | 5 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 24АА02 | 5 | 1,7 В | 40 | 2Кб 256х8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010XXXR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC16BT-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc16btiot-datasheets-8668.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 5 | 6 недель | Нет СВХК | 5 | 2-проводной, I2C, последовательный | 16 КБ | да | EAR99 | 1 МИЛЛИОН ЦИКЛОВ СТИРАНИЯ/ЗАПИСИ | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 24LC16B | 5 | 40 | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | ТОТЕМНЫЙ ПОЛЮС | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 2КХ8 | 5 мс | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010МММР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24AA025UIDT-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa025uidtiot-datasheets-8837.pdf | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 | 7 недель | Нет СВХК | 6 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | ДА | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,95 мм | 24AA025UID | 5,5 В | 1,7 В | 40 | 2Кб 128 х 8 х 2 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | I2C | 5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT25320VI-GT3 | ОН Полупроводник | 1,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat25320vigt3-datasheets-8741.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 45 недель | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ25320 | 8 | 5,5 В | 40 | 2/5 В | 0,002 мА | Не квалифицированный | 32Кб 4К х 8 | Энергонезависимый | 10 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000001А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC01BT-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa01tiot-datasheets-8611.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 5 | 21 неделя | Нет СВХК | 5 | 2-проводной, I2C, последовательный | 1 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 24LC01B | 5 | 40 | 1Кб 128х8 | Энергонезависимый | 3500 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 128X8 | 5 мс | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010XXXR | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25X20CLUXIG ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25x20cluxigtr-datasheets-9031.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 10 недель | 2,3 В~3,6 В | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 104 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 800 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C02D-МАХМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c02dmahmt-datasheets-8647.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 2 мм | 8 | 2 недели | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 2 КБ | да | ТАКЖЕ СОВМЕСТИМО С 2,5 В ПРИ 1 МГЦ | Золото | 1 | е4 | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 0,5 мм | АТ24С02 | 3,6 В | 1,7 В | 40 | 0,001 мА | Не квалифицированный | 2Кб 256х8 | Энергонезависимый | 4,5 мкс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 4е-7А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC64T-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc64tiot-datasheets-9055.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | 5В | Без свинца | 5 | 2 недели | Нет СВХК | 5 | I2C, последовательный | 64 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 3мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 24LC64 | 5 | 40 | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 8КХ8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL512S11DHIV23 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЛ-С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,4 мм | Соответствует ROHS3 | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s29gl512s11dhiv23-datasheets-8275.pdf | 64-ЛБГА | 9 мм | 64 | 13 недель | 64 | 512 Мб | 3A991.B.1.A | 8542.32.00.51 | 1 | 60 мА | 1,65 В~3,6 В | НИЖНИЙ | 3В | 1 мм | 3,6 В | 2,7 В | 3/3,3 В | Не квалифицированный | 512Мб 32М х 16 | Энергонезависимый | 110 нс | 2,7 В | 25б | ВСПЫШКА | Параллельно | 8 | 60нс | 0,0001А | 16б | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 512 | 64К | ДА | НИЗ/ВЕРХ | ДА | 16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 93LC46BT-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | СМД/СМТ | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-93lc46btiot-datasheets-8698.pdf | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 | 6 недель | Нет СВХК | 6 | Серийный | 1 КБ | да | Олово | Нет | 1 | 2мА | е3 | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,95 мм | 93LC46B | 6 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 3/5 В | 1Кб 64х16 | Энергонезависимый | ТОТЕМНЫЙ ПОЛЮС | 250 нс | 2 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 6 мс | 0,000005А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 200 | ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C128WI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24c128wigt3-datasheets-8621.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5 мм | 3,9878 мм | 5В | Без свинца | 8 | 4 недели | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 128 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 3мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ24C128 | 8 | 40 | 128Кб 16К х 8 | Энергонезависимый | 400 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24C02C-СШМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at24c02csshmt-datasheets-8656.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C | 2 КБ | да | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Нет | C04-057-СН | 1 | 3мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 2,5 В | 1,27 мм | АТ24С02 | 5,5 В | 1,7 В | 2Кб 256х8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | СЕРИАЛ | I2C | 5 мс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24АА025Е48Т-И/ОТ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24aa025e48tiot-datasheets-8771.pdf | СОТ-23-6 | 3,1 мм | 1,3 мм | 1,8 мм | Без свинца | 6 | 12 недель | Нет СВХК | 6 | I2C, последовательный | 2 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 3мА | е3 | ДА | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 0,95 мм | 24АА025Е48 | 5 | 5,5 В | 1,7 В | 40 | 1,8/5 В | 2Кб 256х8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | 10100DDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S70FL01GSAGMFI011 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ФЛ-С | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,65 мм | 3В | 16 | 13 недель | 16 | СПИ | 1 ГБ | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | 0,1 мА | 1Гб 128М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 3В | 133 МГц | 32б | ВСПЫШКА | SPI — четырехканальный ввод-вывод | 1GX1 | 1 | СЕРИАЛ | 0,0002А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 512Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МТ46В16М16CY-5Б ИТ:М | Микрон Технология Инк. | $7,45 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | SDRAM-DDR | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt46v16m16cy5bitm-datasheets-8509.pdf | 60-ТФБГА | 12,5 мм | 8 мм | 60 | 4 недели | да | 1 | EAR99 | АВТО/САМООБНОВЛЕНИЕ | 8542.32.00.24 | 1 | е1 | Олово/серебро/медь (Sn96.5Ag3.0Cu0.5) | ДА | 2,5 В~2,7 В | НИЖНИЙ | 260 | 2,6 В | 1 мм | МТ46В16М16 | 60 | 2,7 В | 2,5 В | 30 | 2,6 В | 0,175 мА | Не квалифицированный | Р-ПБГА-Б60 | 256Мб 16М х 16 | Неустойчивый | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 700пс | 200 МГц | ДРАМ | Параллельно | 16MX16 | 16 | 15 нс | 268435456 бит | 0,004А | ОБЩИЙ | 8192 | 248 | 248 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C64YI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24c64wigt3-datasheets-8327.pdf | 8-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4,5 мм | 1,05 мм | 3,1 мм | 5В | Без свинца | 8 | 10 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 64 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 2мА | е4 | Без галогенов | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 0,65 мм | КАТ24C64 | 8 | 1,7 В | 40 | 64Кб 8К х 8 | Энергонезависимый | 400 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000003А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM24W256-Г | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm24w256g-datasheets-8546.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,98 мм | 1727 мм | 3987 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 6 недель | 540,001716мг | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C | 256 КБ | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 400 мкА | е3 | 2,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | FM24W256 | 8 | 5,5 В | 2,7 В | 30 | СРАМ | 3/5 В | 85°С | 256Кб 32К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 550 нс | 1 МГц | ФРАМ | I2C | 0,00003А | 8б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C16WI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24c16yigt3-datasheets-8320.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9784 мм | 1,5 мм | 3,9878 мм | 5В | Без свинца | 8 | 10 недель | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 16 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 19 часов назад) | да | Золото | Нет | 1 | 2мА | е4 | Без галогенов | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | КАТ24C16 | 8 | 1,7 В | 30 | 16Кб 2К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010МММР | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24C32WI-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24c32wigt3-datasheets-8297.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,2 мм | 5,33 мм | 4,19 мм | 5В | Без свинца | 8 | 5 недель | 178,998889мг | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 32 КБ | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | ХРАНЕНИЕ ДАННЫХ 100 ЛЕТ | Золото | Нет | 1 | 2мА | е4 | Без галогенов | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | КАТ24C32 | 8 | 1,7 В | 40 | 32Кб 4К х 8 | Энергонезависимый | 400 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29GL064N90TFI030 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ГЛ-Н | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | 12 мм | Без свинца | 48 | 13 недель | 48 | 64 Мб | Олово | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 0,05 мА | Не квалифицированный | 64Мб 8М х 8 4М х 16 | Энергонезависимый | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 4MX16 | 16 | 90 нс | 8 | 0,000005А | 90 нс | ДА | ДА | ДА | 8127 | 8К64К | ДА | ВЕРШИНА | ДА | 8/16 слов | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FM24V05-ГТР | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-fm24v05gtr-datasheets-8306.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 8 | 6 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 512 КБ | да | EAR99 | 1 | 1 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | FM24V05 | 8 | 3,6 В | 2В | 30 | СРАМ | 2,5/3,3 В | Не квалифицированный | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 130 нс | 3,4 МГц | ФРАМ | I2C | 8 | 0,00015А | 8б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CY15B102Q-SXE | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, F-RAM™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ФРАМ (сегнетоэлектрическое ОЗУ) | СИНХРОННЫЙ | 2,03 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-cy15b102qsxe-datasheets-8581.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 3,3 В | 8 | 6 недель | 8 | СПИ, серийный | 2 Мб | EAR99 | Олово | 1 | е3 | 2В~3,6В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 2В | 30 | СРАМ | 0,005 мА | Не квалифицированный | 2Мб 256К х 8 | Энергонезависимый | 8б | 16 нс | 25 МГц | ФРАМ | СПИ | 8 | 0,00075А |
