Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Макс. частота | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Напряжение питания | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Уровень скрининга | Размер | Тип | Ширина шины данных | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Формат памяти | Интерфейс памяти | Организация | Ширина памяти | Время цикла записи — Word, Page | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Командный пользовательский интерфейс | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Загрузочный блок | Общий интерфейс Flash | Размер страницы |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| DS24B33Q+T&R | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | ЭСППЗУ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds24b33tr-datasheets-1692.pdf | 6-WDFN Открытая площадка | 11 недель | Неизвестный | 5,25 В | 2,8 В | 6 | Серийный | 4 КБ | Нет | 2,8~5,25 В | ДС24Б33 | 6-ТДФН-ЭП (3х3) | 4Кб 256х16 | Энергонезависимый | 2 мкс | ЭСППЗУ | 1-Wire® | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25R6435FZAIH0 | Макроникс | 2,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,6 мм | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25r6435fm2il0-datasheets-1311.pdf | 8-УДФН Открытая площадка | 4 мм | 4 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | СПИ, серийный | да | ТАКЖЕ МОЖНО БЫТЬ НАСТРОЕНО КАК 64M X 1 БИТ. | 1 | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,8 В | 0,8 мм | 3,6 В | 1,65 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 1,8 В | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX4 | 4 | 100 мкс, 4 мс | 67108864 бит | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS2431P+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds2431ptr-datasheets-0434.pdf | 6-LSOJ (ширина 0,148, 3,76 мм) | 4 мм | 1,5 мм | 3,89 мм | 5В | Без свинца | 6 | 6 недель | Нет СВХК | 5,25 В | 2,8 В | 6 | Серийный | 1 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | е3 | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | DS2431 | 6 | 30 | 1Кб 256х4 | Энергонезависимый | 2 мкс | ЭСППЗУ | 1-Wire® | 1КХ1 | 50000 циклов записи/стирания | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVPIQ | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpiqtr-datasheets-0767.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 10 недель | да | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ТАКЖЕ 104 МГЦ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,7 ДО 3,0 В. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ25ДФ321А-Ш-Т | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at25df321asht-datasheets-1517.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,29 мм | 3,3 В | Без свинца | 20 мА | 8 | 7 недель | 540,001716мг | Нет СВХК | 8 | Серийный | 32 Мб | 3A991.B.1.A | Нет | 1 | 19 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 32 МБ, 256 байт x 16 384 страницы | Энергонезависимый | 1б | 5 нс | 2,7 В | 100 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 | 7 мкс, 3 мс | 0,00001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 256Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB161E-ШД-Т | Адесто Технологии | 1,62 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db161esshft-datasheets-1413.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,29 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 2 недели | 8 | СПИ, серийный | 16 Мб | да | EAR99 | Нет | 1 | 26 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 2,5 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,5 В | 16 МБ, 528 байт x 4096 страниц | Энергонезависимый | 8б | 6 нс | 2,7 В | 85 МГц | 21б | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX1 | 1 | 8 мкс, 4 мс | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 512Б | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB161E-SSHF-T | Адесто Технологии | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db161esshft-datasheets-1413.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | 8 | СПИ, серийный | 16 Мб | да | EAR99 | Золото | 1 | 26 мА | е4 | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 8 | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | 2,5/3,3 В | Не квалифицированный | 16 МБ, 528 байт x 4096 страниц | Энергонезависимый | 8б | 6 нс | 2,7 В | 85 МГц | 21б | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX1 | 1 | 8 мкс, 4 мс | 0,00001А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | 512Б | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SST25VF016B-50-4C-S2AF | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ССТ25 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sst25vf016b504cs2aft-datasheets-1186.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,4 мм | 1,91 мм | 5,4 мм | 3,3 В | Без свинца | 15 мА | 8 | 16 недель | 8 | СПИ, серийный | 16 Мб | да | 3A991.B.1.A | Золото | Нет | 1 | 15 мА | е4 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | SST25VF016B | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 50 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX1 | 10 мкс | 0,00002А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT25QL128ABA1ESE-MSIT ТР | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt25ql128aba1ew70sittr-datasheets-1428.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5 недель | 2,7 В~3,6 В | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 133 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 8 мс, 2,8 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVSIQ | Винбонд Электроникс | 0,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpiqtr-datasheets-0767.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 2,16 мм | 5,23 мм | 8 | 10 недель | СПИ | да | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ТАКЖЕ 104 МГЦ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ ПИТАНИЯ 2,7 ДО 3,0 В. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3,3 В | 1,27 мм | 3,6 В | 3В | НЕ УКАЗАН | 85°С | С-ПДСО-G8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| М24М01-ДВМН3ТП/К | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТА | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-m24m01dwmn3tpk-datasheets-1318.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 14 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 1 Мб | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | EAR99 | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 1,27 мм | М24М01 | 5,5 В | 2,5 В | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 450 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 4 мс | I2C | 4 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24АА512-И/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc512tist-datasheets-1047.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | I2C, последовательный | 512 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 5мА | е3 | ДА | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 2,5 В | 1,27 мм | 24АА512 | 8 | 1,7 В | 40 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS2431+ | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Масса | 1 (без блокировки) | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/maximintegrated-ds2431ptr-datasheets-0434.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) | 4,95 мм | 4,95 мм | 3,94 мм | 5В | Без свинца | 3 | 6 недель | Нет СВХК | 5,25 В | 2,8 В | 3 | Серийный | 1 КБ | да | EAR99 | ПАМЯТЬ ОРГАНИЗОВАНЫ КАК ЧЕТЫРЕ СТРАНИЦЫ ПО 256 БИТ. | Олово | 1 | е3 | НИЖНИЙ | 260 | 3,3 В | 1,27 мм | DS2431 | 3 | 30 | Не квалифицированный | 150°С | 1Кб 256х4 | Энергонезависимый | 2 мкс | ЭСППЗУ | 1-Wire® | 1КХ1 | 50000 циклов записи/стирания | 40 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24M01XI-T2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24m01wigt3-datasheets-9811.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,33 мм | 1,78 мм | 5,38 мм | 5В | Без свинца | 8 | 4 недели | Нет СВХК | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 1 Мб | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 5мА | е3 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 3,3 В | 1,27 мм | КАТ24М01 | 8 | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 400 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000002А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДДМР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MT25QL128ABA1EW7-0SIT ТР | Микрон Технология Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microntechnologyinc-mt25ql128aba1ew70sittr-datasheets-1428.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | 8 | 6 недель | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | Р-ПДСО-Н8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 128MX1 | 1 | 8 мс, 2,8 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| W25Q128JVSIQ ТР | Винбонд Электроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | СпиФлэш® | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/winbondelectronics-w25q128jvpiqtr-datasheets-0767.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,23 мм | 5,23 мм | 8 | 10 недель | 3A991.B.1.A | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ НА ТАКТОВОЙ ЧАСТОТЕ 104 МГц. | 8542.32.00.51 | 1 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | С-ПДСО-G8 | 128Мб 16М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 16MX8 | 8 | 3 мс | 134217728 бит | СЕРИАЛ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT45DB081E-СШН-Б | Адесто Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К ТС | Трубка | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/adestotechnologies-at45db081esshnt-datasheets-0668.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 5,05 мм | 1,5 мм | 3,99 мм | Без свинца | 15 мА | 8 | 8 недель | 540,001716мг | Неизвестный | 8 | СПИ, серийный | 8 Мб | Золото | 1 | 15 мА | е4 | 1,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,7 В | НЕ УКАЗАН | Не квалифицированный | 8 МБ, 264 байт x 4096 страниц | Энергонезависимый | 8б | 7 нс | 2,7 В | 85 МГц | 21б | ВСПЫШКА | СПИ | 8 мкс, 4 мс | 0,000001А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 20 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC512-И/СН | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-24lc512tist-datasheets-1047.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,9 мм | 5В | Без свинца | 8 | 7 недель | Нет СВХК | 8 | I2C, последовательный | 512 КБ | да | EAR99 | Олово | Нет | 1 | 5мА | е3 | ДА | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 4,5 В | 1,27 мм | 24LC512 | 8 | 40 | 512Кб 64К х 8 | Энергонезависимый | 900 нс | 400 кГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS62C1024AL-35QLI-TR | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | 2,22 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | SRAM — асинхронный | 3 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/issi-is62c1024al35qlitr-datasheets-9891.pdf | 32-SOIC (ширина 0,445, 11,30 мм) | 20,445 мм | 5В | 32 | 8 недель | 32 | 1 Мб | да | 1 | EAR99 | Нет | 1 | 30 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 4,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 32 | 40 | 1Мб 128К х 8 | Неустойчивый | 17б | СРАМ | Параллельно | 8 | 35 нс | 8б | 35 нс | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AT24CM01-SSHD-T | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 1997 год | /files/microchiptechnology-at24cm01xhdt-datasheets-1118.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 6 недель | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 1 Мб | да | Золото | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | 2,5 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | АТ24СМ01 | 5,5 В | 2,5 В | 40 | 2,7/5 В | 0,003 мА | Не квалифицированный | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 550 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 8 | 5 мс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 40 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДДМР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ25ВФ016Б-50-4И-С2АФ | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ССТ25 | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sst25vf016b504cs2aft-datasheets-1186.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,4 мм | 1,91 мм | 5,4 мм | 3,3 В | Без свинца | 8 | 16 недель | Нет СВХК | 8 | СПИ, серийный | 16 Мб | да | 3A991.B.1.A | Золото | Нет | 1 | 15 мА | е4 | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 3В | 1,27 мм | SST25VF016B | 8 | 3,6 В | 2,7 В | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 8 нс | 2,7 В | 50 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX1 | 10 мкс | 0,00002А | 8б | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | синхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| АТ25М01-СШМ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-at25m01sshmt-datasheets-1260.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4925 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 8 недель | 8 | СПИ, серийный | 1 Мб | да | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ НАПРЯЖЕНИИ 1,7 В И 2,5 В НА ЧАСТОТЕ 5 МГЦ И 10 МГЦ СООТВЕТСТВЕННО. | Нет | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | 1,7 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 5В | 1,27 мм | АТ25М01 | 5,5 В | 4,5 В | 40 | 0,01 мА | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 20 нс | 20 МГц | ЭСППЗУ | СПИ | 8 | 5 мс | 0,000003А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25R6435FZNIL0 | Макроникс | $3,42 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Поднос | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 0,8 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25r6435fm2il0-datasheets-1311.pdf | 8-WDFN Открытая площадка | 6 мм | 5 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | ТАКЖЕ МОЖНО БЫТЬ НАСТРОЕНО КАК 64M X 1 БИТ. | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,65 В | 40 | Р-ПДСО-Н8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX4 | 4 | 100 мкс, 10 мс | 67108864 бит | СЕРИАЛ | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CAT24M01HU5I-GT3 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | КМОП | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-cat24m01wigt3-datasheets-9811.pdf | 8-УФДФН Открытая площадка | 3 мм | 550 мкм | 2 мм | Без свинца | 8 | 9 недель | 8 | 1 Мб | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | Золото | Нет | 1 | 5мА | е4 | Без галогенов | 1,8 В~5,5 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | КАТ24М01 | 8 | 5,5 В | 40 | 3/5 В | 85°С | 1Мб 128К х 8 | Энергонезависимый | 400 нс | 1 МГц | ЭСППЗУ | I2C | 5 мс | СЕРИАЛ | 0,000002А | СПИ | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 100 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010ДДМР | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS25LP032D-JNLE | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~105°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 1,75 мм | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | да | 1 | е3 | Олово (Вс) | ДА | 2,3 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 3В | 1,27 мм | 3,6 В | 2,3 В | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 32Мб 4М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 133 МГц | ВСПЫШКА | SPI — ввод четырехвывода, QPI, DTR | 4MX8 | 8 | 800 мкс | 33554432 бит | СЕРИАЛ | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25R6435FM2IL0 | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MXSMIO™ | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25r6435fm2il0-datasheets-1311.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,28 мм | 5,23 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | СПИ, серийный | ТАКЖЕ МОЖНО БЫТЬ НАСТРОЕНО КАК 64M X 1 БИТ. | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | 1,65 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 1,8 В | 1,27 мм | 3,6 В | 1,65 В | 40 | Р-ПДСО-G8 | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 3В | 80 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 16MX4 | 4 | 100 мкс, 10 мс | 67108864 бит | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX25L6406EM2I-12G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | MX25xxx05/06 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Трубка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | ВСПЫШКА – НО | 86 МГц | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/macronix-mx25l6406em2i12g-datasheets-1335.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 2,16 мм | 3,3 В | Без свинца | 16 недель | 3,6 В | 2,7 В | 8 | СПИ | 64 Мб | Нет | 86 МГц | 25 мА | 2,7 В~3,6 В | 85°С | 8-СОП | 64Мб 8М х 8 | Энергонезависимый | 8 нс | 86 МГц | 1б | ВСПЫШКА | СПИ | 300 мкс, 5 мс | синхронный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ССТ25ВФ016Б-50-4С-С2АФ-Т | Микрочиповая технология | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ССТ25 | Поверхностный монтаж | 0°С~70°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 2,16 мм | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchiptechnology-sst25vf016b504cs2aft-datasheets-1186.pdf | 8-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | 5,275 мм | Без свинца | 8 | 22 недели | 8 | СПИ, серийный | 16 Мб | да | 3A991.B.1.A | 1 | е4 | НИКЕЛЬ ПАЛЛАДИЙ ЗОЛОТО | ДА | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 1,27 мм | SST25VF016B | 3,6 В | 2,7 В | НЕ УКАЗАН | 3/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицированный | ТС 16949 | 16Мб 2М х 8 | Энергонезависимый | 8б | 50 МГц | ВСПЫШКА | СПИ | 64MX1 | 1 | 10 мкс | 0,00002А | СПИ | 100000 циклов записи/стирания | 100 | АППАРАТНОЕ/ПРОГРАММНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| S29AL016J70TFI023 | Сайпресс Полупроводниковая Корпорация | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Эл-Джей | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ВСПЫШКА – НО | 1,2 мм | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cypresssemiconductorcorp-s29al016j70tfi010-datasheets-7996.pdf | 48-ТФСОП (0,724, ширина 18,40 мм) | 18,4 мм | Без свинца | 48 | 12 недель | 48 | 16 Мб | НИЖНИЙ БЛОК ЗАГРУЗКИ | Олово | Нет | 8542.32.00.51 | 1 | 12 мА | е3 | 2,7 В~3,6 В | ДВОЙНОЙ | 260 | 3В | 0,5 мм | 3,6 В | 2,7 В | 40 | 3/3,3 В | 16Мб 2М х 8 1М х 16 | Энергонезависимый | 8б | 3В | ВСПЫШКА | Параллельно | 1MX16 | 16 | 70нс | 8 | 0,000005А | 70 нс | Асинхронный | ДА | ДА | ДА | 12131 | 16К8К32К64К | ДА | НИЖНИЙ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| DS2431+Т&Р | Максим Интегрированный | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°С~85°С ТА | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | ЭСППЗУ | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/maximintegrated-ds2431ptr-datasheets-0434.pdf | ТО-226-3, ТО-92-3 (ТО-226АА) (Сформированные заключения) | 9,4 мм | 5В | Без свинца | 6 недель | Неизвестный | 5,25 В | 2,8 В | 3 | Серийный | 1 КБ | Олово | Нет | DS2431 | 150°С | ТО-92-3 | 1Кб 256х4 | Энергонезависимый | 2 мкс | ЭСППЗУ | 1-Wire® |
