Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактПамять(55331)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Режим работы | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Интерфейс | Плотность | Код Pbfree | Толщина | Количество портов | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Источники питания | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Код JESD-30 | Размер | Тип | Частота (макс.) | Выходные характеристики | Время доступа | Программирование напряжения | Тактовая частота | Ширина адресной | Организация | Ширина памяти | Плотность памяти | Параллельный/последовательный | Альтернативная ширина памяти | Максимальный ток в режиме ожидания | Размер слова | Тип постоянной поездки | Выносливость | Максимальное время записи цикла (tWC) | Время хранения данных-мин | Защита от записей | Байт управления I2C | Время доступа (макс.) | Синхронизация/Асинхронность | Опрос данных | Переключить бит | Количество секторов/размер | Размер сектора | Готов/Занят | Размер страницы | Тип ввода/вывода | Напряжение в режиме ожидания-мин. | Тип памяти микросхем | Включение выхода |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IDT71V3556S133BQG | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 133 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v3556s133bqg-datasheets-9670.pdf | 15 мм | 13 мм | 165 | 165 | Параллельно | 3A991.B.2.A | неизвестный | 8542.32.00.41 | 1 | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 1 мм | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 30 | СРАМ | 3,3 В | 0,3 мА | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04 А | 4,2 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В18Л20ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | /files/integrateddevicetechnology-70v18l20pf8-datasheets-9646.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 576 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | Нет | 1 | 205 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 72КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 16б | 64КХ9 | 0,003А | 9б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX29GL512FHT2I-11G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | ТФСОП | 18,4 мм | 14 мм | 3,6 В | Без свинца | 56 | Параллельно | 512 Мб | 1 | е3 | Матовый олово (Sn) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,03 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г56 | ФЛЭШ, НО | 110 нс | 3В | 32MX16 | 16 | 8 | 0,00002А | ДА | ДА | 512 | 128 тыс. | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7024Л17ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2000 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7024l17pf-datasheets-9570.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 260 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 17 нс | 24б | 4КХ16 | 0,0015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В547С100ПФИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 66,6 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v547s100pfi8-datasheets-9553.pdf | TQFP | 20 мм | 3,3 В | 100 | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 1 | 210 мА | е0 | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 20 | СРАМ | Не квалифицирован | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 17б | 36 | 0,045А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 24LC512-И/СМГ | Микрочип | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | КМОП | 400 кГц | СИНХРОННЫЙ | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/microchip-24lc512ismg-datasheets-9526.pdf | СОИК | 5,38 мм | 1,98 мм | 5,33 мм | Без свинца | 8 | 14 недель | Нет СВХК | 5,5 В | 2,5 В | 8 | 2-проводной, I2C, последовательный | 512 КБ | да | EAR99 | Олово | 1 | 5мА | е3 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 4,5 В | 1,27 мм | 8 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 40 | 3/5 В | Не квалифицирован | 64КБ | ЭСППЗУ | 400 кГц | 900 нс | 0,000001А | I2C | 1000000 циклов записи/стирания | 5 мс | 200 | АППАРАТНОЕ ОБЕСПЕЧЕНИЕ | 1010DDDR | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V016HSA15PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016hsa15ph-datasheets-9527.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | да | 3A991.B.2.B | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ ОТ 3 В ДО 3,6 В. | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 15 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX29GL128FUXFI-11G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,4 мм | Соответствует RoHS | 13 мм | 11 мм | 3,6 В | Без свинца | 64 | Параллельно | 128 Мб | 1 | ДА | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3В | 1 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | Р-ПБГА-Б64 | ФЛЭШ, НО | 110 нс | 3В | 8MX16 | 16 | 8 | 0,00003А | ДА | ДА | 128 | 128 тыс. | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В416Л10ИГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416l10yg-datasheets-9470.pdf | 28,6 мм | 10,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 44 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 44 | Параллельно | 4 Мб | да | 2,9 мм | 1 | Нет | 1 | 180 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 44 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 18б | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3559С80БКГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 95 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3559s80bqg-datasheets-9467.pdf | 15 мм | 13 мм | 3,3 В | Без свинца | 165 | 11 недель | 3,465 В | 3,135 В | 165 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,2 мм | 1 | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 250 мА | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 260 | 3,3 В | 165 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 30 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 8 нс | 18б | 0,04 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V016HSA12PH8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 70°С | 0°С | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016hsa12ph8-datasheets-9443.pdf | ТСОП | Параллельно | ОЗУ, SRAM — асинхронное | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71024S15YI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,683 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71024s15yi8-datasheets-9429.pdf | 20,955 мм | 5В | 32 | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | 1 | не_совместимо | 1 | 155 мА | е0 | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 225 | 5В | 32 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 5В | Не квалифицирован | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 17б | 8 | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7027Л25ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7027l25pf-datasheets-9420.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | Нет | 1 | 265 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 5В | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 25 нс | 30б | 0,015А | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9099Л7ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 83,3 МГц | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v9099l7pf-datasheets-9425.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 100 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 100 | Параллельно | 1 Мб | нет | 1,4 мм | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 250 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,5 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 128 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 18 нс | 34б | 8б | синхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В424Л15ЙГИ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,76 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v424l15ygi-datasheets-9415.pdf | 23,4 мм | 10,2 мм | 3,3 В | Без свинца | 36 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 36 | Параллельно | 4 Мб | да | 2,2 мм | 1 | Нет | 1 | 145 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 3,3 В | 36 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 19б | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71024S15YG8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 3,683 мм | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71024s15yg8-datasheets-9408.pdf | 20,9 мм | 10,2 мм | 5В | Без свинца | 32 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 32 | Параллельно | 1 Мб | да | 2,2 мм | 1 | Нет | 1 | 155 мА | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 32 | КОММЕРЧЕСКИЙ | СРАМ | 5В | 128 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 15 нс | 17б | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7027Л20ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7027l20pf-datasheets-9370.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 512 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 285 мА | 64КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 20 нс | 30б | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MX29GL128FUT2I-11G | Макроникс | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | АСИНХРОННЫЙ | 1,2 мм | Соответствует RoHS | ТФСОП | 18,4 мм | 14 мм | 3,6 В | Без свинца | 56 | Параллельно | 128 Мб | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3В | 0,5 мм | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2,7 В | 40 | Флэш-памяти | 3/3,3 В | 0,1 мА | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г56 | ФЛЭШ, НО | 110 нс | 3В | 8MX16 | 16 | 8 | 0,00003А | ДА | ДА | 128 | 128 тыс. | ДА | 8/16 слов | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V35761S166PF8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v35761s166pf8-datasheets-9337.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,32 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,03 А | 3,5 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В05С35ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70v05s35pf-datasheets-9328.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 64 | 7 недель | 3,6 В | 3В | 64 | Параллельно | 64 КБ | нет | 1,4 мм | 2 | EAR99 | ФЛАГ ПРЕРЫВАНИЯ; СЕМАФОР; АВТОМАТИЧЕСКОЕ ВЫКЛЮЧЕНИЕ ПИТАНИЯ | Нет | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,8 мм | 64 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 8 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 35 нс | 26б | 8КХ8 | 0,005А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V016HSA12PH | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,2 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v016hsa12ph-datasheets-9323.pdf | ТСОП | 18,41 мм | 10,16 мм | 44 | Параллельно | да | 3A991.B.2.B | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ С ПИТАНИЕМ ОТ 3 В ДО 3,6 В. | 8542.32.00.41 | 1 | е3 | МАТОВАЯ ТУНКА | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,8 мм | 44 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 3,6 В | 3,15 В | 30 | Не квалифицирован | Р-ПДСО-Г44 | ОЗУ, SRAM — асинхронное | 64КХ16 | 16 | 1048576 бит | 12 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИДТ71В547С100ПФ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v547s100pf8-datasheets-9313.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 100 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,465 В | 3,135 В | 20 | СРАМ | 3,3 В | 0,2 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 66 МГц | 128КХ36 | 36 | 4718592 бит | 0,04 А | 10 нс | ОБЩИЙ | 3,14 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70261С15ПФ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 70°С | 0°С | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-70261s15pf-datasheets-9266.pdf | TQFP | 14 мм | 14 мм | 5В | Содержит свинец | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 100 | Параллельно | 256 КБ | 1,4 мм | 2 | Нет | 325 мА | 32 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 15 нс | 28б | 16б | Асинхронный | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В2556СА166БГ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 166 МГц | 2,36 мм | Соответствует RoHS | 2011 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v2556sa166bg8-datasheets-9257.pdf | БГА | 14 мм | 22 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 119 | 7 недель | 3,465 В | 3,135 В | 119 | Параллельно | 4,5 Мб | нет | 2,15 мм | 1 | КОНВЕЙЕРНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | 350 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 119 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 3,5 нс | 17б | 0,04 А | 36б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 7164L20YGI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Лента и катушка | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 3,556 мм | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-7164l20ygi8-datasheets-9258.pdf | 17,9 мм | 7,6 мм | 5В | Без свинца | 28 | 7 недель | 5,5 В | 4,5 В | 28 | Параллельно | 64 КБ | да | 2,67 мм | 1 | EAR99 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДВОЙНОЙ | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 28 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | СРАМ | 5В | 8 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 20 нс | 13б | 8КХ8 | 0,00006А | 8б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 2В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71V546XS133PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 85°С | -40°С | 133 МГц | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71v546xs133pfi8-datasheets-9230.pdf | ЛКФП | Параллельно | ОЗУ, СРАМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 70В9389Л7ПРФГ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Масса | 3 (168 часов) | 70°С | 0°С | КМОП | 1,6 мм | Соответствует RoHS | TQFP | 3,3 В | 128 | 1,1 Мб | да | 2 | ПРОТОЧНАЯ ИЛИ ТРУБОПРОВОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,5 мм | 128 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 3,6 В | 3В | 30 | СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 83 МГц | 32б | 64КХ18 | 18 | ПАРАЛЛЕЛЬНО | 18 нс | ОБЩИЙ | 3В | ДВУХПОРТОВАЯ СРАМ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IDT71T75902S85PFI8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | СИНХРОННЫЙ | 1,6 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt71t75902s85pfi8-datasheets-9198.pdf | ЛКФП | 20 мм | 14 мм | 100 | Параллельно | 3A991.B.2.A | ПРОХОДНАЯ АРХИТЕКТУРА | не_совместимо | 8542.32.00.41 | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn85Pb15) | ДА | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 2,5 В | 0,65 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 2,625 В | 2,375 В | 20 | СРАМ | 2,5 В | 0,245 мА | Не квалифицирован | Р-PQFP-G100 | ОЗУ, СРАМ | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 90 МГц | 1MX18 | 18 | 18874368 бит | 0,06А | 8,5 нс | ОБЩИЙ | 2,38 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В3579С75ПФГИ8 | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 3 (168 часов) | 85°С | -40°С | КМОП | 117 МГц | Соответствует RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v3579s75pfgi8-datasheets-9151.pdf | TQFP | 20 мм | 14 мм | 3,3 В | Без свинца | 100 | 12 недель | 3,465 В | 3,135 В | 100 | Параллельно | 4,5 Мб | да | 1,4 мм | 1 | Нет | 1 | е3 | Матовое олово (Sn) - отожженное | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,635 мм | 100 | ПРОМЫШЛЕННЫЙ | 30 | СРАМ | 0,255 мА | 512 КБ | ОЗУ, СДР, СОЗУ | 117 МГц | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 7,5 нс | 18б | 0,03 А | 18б | синхронный | ОБЩИЙ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 71В416Л10БЭ | Технология интегрированных устройств (IDT) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | 4 (72 часа) | 70°С | 0°С | КМОП | Соответствует RoHS | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-71v416l10be-datasheets-9115.pdf | ТФБГА | 9 мм | 9 мм | 3,3 В | Содержит свинец | 48 | 12 недель | 3,6 В | 3В | 48 | Параллельно | 4 Мб | нет | 1,2 мм | 1 | Нет | 1 | 180 мА | е0 | Олово/Свинец (Sn63Pb37) | НИЖНИЙ | МЯЧ | 225 | 3,3 В | 0,75 мм | 48 | КОММЕРЧЕСКИЙ | 20 | СРАМ | 512 КБ | Оперативная память, SDR, SRAM — асинхронная | 3-ГОСУДАРСТВЕННЫЙ | 10 нс | 18б | 16б | Асинхронный | ОБЩИЙ | 3В |
