Срэвниваф | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | Весели | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | Верна - | МАССА | DOSTIчH SVHC | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Имен | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Конец | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Naprayeseee | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Raзmerpmayti | Колист | ТИП ПАМАТИ | Пефер -вусрост | О. А.А. | Raзmer operativnoй papmayti | ШIrIna шinыdannnых | ASTOTA (MMAKS) | Скороп | UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS | Р.А. МЕР ИБИТА | Степень | Колиш | Коли -теплый | Power Dissipation-Max | Ох (Слова) | Graoniцa kkanirowanee | Унигир | Формат | Ингрированан | Колиш | NaIrIne OperaTivnoй pamaeti -danannnых | Колист. Каналов Дма | Вернее | ТАКТОВА | Адреса иирин | Иурин | Колист |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IDT79RC32H435-350BCGI | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 350 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 256 | 1,2 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8535ECVTAQG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 1 гер | 2,76 ММ | ROHS COMPRINT | FCBGA | 29 ММ | 783 | 3.695587G | 5A002 | Не | E3/E4 | Олово/Секребро | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 260 | 1V | 783 | Промлэнно | 0,95 В. | 40 | Микропра | S-PBGA-B783 | 32B | 1 гер | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TS80C188XL20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 20 мг | 3,15 мм | В | /files/intel-ts80c188xl20-datasheets-3053.pdf | PQFP | 20 ММ | 14 ММ | 5в | 80 | 5,5 В. | 4,5 В. | 80 | 3A991.A.2 | Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemы ytaйmerы | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 5в | Квадран | Крхлоп | 5в | 0,8 мм | 80 | Промлэнно | Микропра | 5в | 90 май | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 16 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 5 | 2 | 20 мкс | 20 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RC32H435-350BCG | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 350 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 256 | 1,2 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RC32H435-350BC | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 (168 чASOW) | 350 мг | В | BGA | 256 | 256 | not_compliant | E0 | Olovo/strineц (sn63pb37) | 1,2 В. | Униджин | М | 1 ММ | 256 | Коммер | 70 ° С | Микропра | 1.22.53.3V | Н.Квалиирована | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8347Ezualfb | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 667 мг | ROHS COMPRINT | /files/freescalesemyonductor-mpc8347ezualfb-datasheets-2795.pdf | 35 ММ | 672 | 9.283193G | 1,36 В. | 1,24 | 672 | 5A002 | Tyakhe trobueTsema А. | Не | E0 | Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | Униджин | М | 260 | 1,2 В. | 672 | Drugoй | 40 | Микропра | 32B | 667 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S80960SB10 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | CMOS | 10 мг | 3,15 мм | В | 20 ММ | 14 ММ | 80 | 3A001.A.2.C | Rergystraцia ytablo; Верхинн | 8542.31.00.01 | В дар | Квадран | Крхлоп | 5в | 0,8 мм | 80 | Drugoй | 100 ° С | 5,25 В. | 4,75 В. | Микропра | 5в | 280 май | Н.Квалиирована | R-PQFP-G80 | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | Не | Не | Плава | В дар | 4 | 10 мкс | 32 | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CH80566EC005DTSLGPR | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SMD/SMT | 90 ° С | 0 ° С | CMOS | 1,1 -е | 2792 ММ | ROHS COMPRINT | /files/intel-ch80566ec005dtslgpr-datasheets-2715.pdf | FCBGA | 22 ММ | 1,1 В. | 437 | НЕИ | 1,1 В. | 1V | 437 | PCI, SPI, USB | в дар | Rabotaotet nna 600 мгр. | Не | Униджин | М | 1V | 437 | Промлэнно | Микропра | 1V | 512 кб | 32 | 32B | 1,1 -е | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | В дар | В дар | Плава | В дар | 28 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
A80960CF40 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 85 ° С | 0 ° С | МИГ | 40 мг | 4,57 мм | ROHS COMPRINT | 1996 | /files/intel-a80960cf40-datasheets-2635.pdf&product=intel-A80960CF40-11282962 | 44,7 мм | 5в | СОУДНО ПРИОН | 168 | 5,25 В. | 4,75 В. | 168 | 3A001.A.3 | ЭksplyAtASHYOUNNAMPAYPEMPERATURARA OT 0 ДО 85 С. | Не | 8542.31.00.01 | 5в | Петенкюр | PIN/PEG | 5в | 2,54 мм | 168 | Drugoй | Микропра | 5в | 1150 май | 32B | 40 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | 1000 | Не | Не | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 9 | 8 | 4 | 40 мкс | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AT91SAM9CN12-CFUR | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | BGA | 1V | Рука | 32 кб | 32B | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NG80386DX16 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | CMOS | 16 мг | В | /files/intel-ng80386dx16-datasheets-2581.pdf | 132 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | В дар | Квадран | Крхлоп | 5в | 0,635 мм | Микропра | 5в | Н.Квалиирована | S-XQFP-G132 | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | 16 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80570E3110SLAPM | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | 775 | в дар | Не | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | 1,1 мм | Микропра | 1.11,5 | 75000 май | R-PBGA-N775 | 64b | 3 гер | 3000 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RC32H435-300BCI | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 (168 чASOW) | 300 мг | В | BGA | 256 | 256 | not_compliant | E0 | Olovo/strineц (sn63pb37) | 1,2 В. | Униджин | М | 1 ММ | 256 | Промлэнно | 85 ° С | -40 ° С | Микропра | 1.22.53.3V | Н.Квалиирована | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC68020CEH16E | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | 0 ° С | 166 мг | ROHS COMPRINT | /files/freescaleSemiconductor-mc68020CEH16E-datasheets-2469.pdf | PQFP | 5в | СОУДНО ПРИОН | 4.724505G | в дар | НЕИ | Рис | 32B | 16,67 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CH80566EE014DTSLGPP | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SMD/SMT | 90 ° С | 0 ° С | CMOS | 1,33 ГОГ | 2792 ММ | ROHS COMPRINT | /files/intel-ch80566ee014dtslgpp-datasheets-2460.pdf | FCBGA | 22 ММ | 1,1 В. | 437 | НЕИ | 1,1 В. | 1V | 437 | PCI, SPI, USB | в дар | Otakж rabothotet v 800 мгр. | Не | Униджин | М | 1V | 437 | Промлэнно | Микропра | 1V | 512 кб | 32 | 32B | 1,33 ГОГ | МИККРОПРЕССОР | 64 | В дар | В дар | Плава | В дар | 28 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8545Evtanga | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 3,38 ММ | ROHS COMPRINT | BGA | 29 ММ | 1,1 В. | 783 | 11.436396G | 783 | 3A001.A.3 | Не | 8542.31.00.01 | E2 | В дар | Униджин | М | 1,1 В. | 1 ММ | 783 | 1.155V | Микропра | 1,22,5/3,3 В. | 32B | 800 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 64 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RC32H435-300BCGI | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 300 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 256 | 1,2 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TR80C188XL20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 20 мг | ROHS COMPRINT | /files/intel-tr80c188xl20-datasheets-2198.pdf | PLCC | 24,13 ММ | 5в | 68 | 5,5 В. | 4,5 В. | 68 | 3A991.A.2 | Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemы ytaйmerы | 8542.31.00.01 | 5в | Квадран | NeT -lederStva | 5в | 1,27 ММ | 68 | Промлэнно | Микропра | 5в | 90 май | Н.Квалиирована | 16b | 20 мг | МИККРОПРЕССОР | 16 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 5 | 2 | 20 мкс | 20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CH80566EE025DWSLGPN | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SMD/SMT | 90 ° С | 0 ° С | CMOS | 533 мг | 2792 ММ | ROHS COMPRINT | /files/intel-ch80566ee025dwslgpn-datasheets-2142.pdf | FCBGA | 22 ММ | 437 | 1,1 В. | 800 м | 437 | PCI, SPI, USB | в дар | Otakж rabothotet v 800 мгр. | Униджин | М | Nukahan | 1V | 437 | Коммер | Nukahan | Микропра | 1V | Н.Квалиирована | 512 кб | 32 | 32B | 1,6 -е | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | В дар | В дар | Плава | В дар | 28 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
100-1218-1 | Bluetechnix | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 85 ° С | -40 ° С | 500 мг | ROHS COMPRINT | 2013 | /files/bluetechnix-10012181-datasheets-6574.pdf&product=bluetechnix-110012181-11256291 | Модул | 16 | 256 кб | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RC32H435-300BCG | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 300 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 256 | 1,2 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LPC1224FBD64/221,1 | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 85 ° С | -40 ° С | 45 мг | ROHS COMPRINT | /files/nxpsemiconductors-lpc1224fbd642211-datasheets-2003.pdf | LQFP | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | НЕТ SVHC | 3,6 В. | 3В | 64 | I2c, spi, ssp, uart | Не | 64 | 48 кб | В.С. | DMA, POR | Рука | 4 кб | 32B | 45 мг | В дар | 4 | 55 | 1,5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AU80586GE025DSLB73 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | SMD/SMT | 90 ° С | 0 ° С | CMOS | 1,6 -е | ROHS COMPRINT | /files/intel-au80586ge025dslb73-datasheets-1910.pdf | FCBGA | 1,16 В. | 437 | НЕИ | 1.1625V | 1V | 437 | PCI, USB | Далее, Секребро, олова | Не | Униджин | М | Микропра | 3000 мат | 512 кб | 32 | 32B | 1,6 -е | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TN80C188XL20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | CMOS | 20 мг | 4,83 мм | В | /files/intel-tn80c188xl20-datasheets-1769.pdf | LCC | 24.2316 ММ | 24.2316 ММ | 68 | 3A991.A.2 | Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemы ytaйmerы | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 5в | Квадран | J Bend | Nukahan | 5в | 1,27 ММ | 68 | Промлэнно | 85 ° С | -40 ° С | Nukahan | Микропра | 5в | 90 май | Н.Квалиирована | S-PQCC-J68 | МИККРОПРЕССОР | 16 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 5 | 2 | 20 мкс | 20 | 8 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RC32V364-100DAG | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | CMOS | 100 мг | 1,6 ММ | ROHS COMPRINT | 1995 | /files/integrateddevicetechnology-idt79rc32v364100dag-datasheets-6527.pdf | LQFP | 20 ММ | 20 ММ | 144 | 3A001.A.3 | 8542.31.00.01 | E3 | МАГОВОЙ | 3,3 В. | Квадран | Крхлоп | 260 | 3,3 В. | 0,5 мм | 144 | Коммер | 85 ° С | 40 | Н.Квалиирована | S-PQFP-G144 | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
88AP300-A1-BGK2C624-T163 | Marvell Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Станода | CMOS | 1 ММ | ROHS COMPRINT | 13 ММ | 13 ММ | 400 | Униджин | М | 0,5 мм | 400 | Drugoй | 85 ° С | -25 ° С | Grawiчeskie oproцessorы | 1,8/3,3 В. | Н.Квалиирована | S-PBGA-B400 | 624 мг | MykroproцeSsOr, Risc | В дар | В дар | Плава | В дар | 13,002 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LPC1224FBD64/201,1 | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 85 ° С | -40 ° С | 45 мг | ROHS COMPRINT | /files/nxpsemiconductors-lpc1224fbd642011-datasheets-1678.pdf | LQFP | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | НЕТ SVHC | 3,6 В. | 3В | 64 | I2c, spi, ssp, uart | Не | 64 | 32 кб | В.С. | DMA, POR | Рука | 4 кб | 32B | 45 мг | В дар | 4 | 55 | 1,5 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RC32H435-300BC | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 (168 чASOW) | 300 мг | В | BGA | 256 | 256 | not_compliant | E0 | Olovo/strineц (sn63pb37) | 1,2 В. | Униджин | М | 1 ММ | 256 | Коммер | 70 ° С | Микропра | 1.22.53.3V | Н.Квалиирована | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Si1000 | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | 0,95 мм | В | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si1000-datasheets-1570.pdf | 7 мм | 5 ММ | 42 | RaboTaiAn -a aiчeйki -rerжime 2,4 w. Постать. | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | Приклад | Nukahan | 1,9 | 0,5 мм | Промлэнно | 85 ° С | -40 ° С | 3,6 В. | 1,8 В. | Nukahan | R-XBGA-B42 | МИККРОПРЕССОР | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
IDT79RC32T355-180DH | ТЕГЕЛЕГИЯ | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 (168 чASOW) | 180 мг | В | 1999 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rc32t355180dh-datasheets-6494.pdf | PQFP | 208 | 208 | E0 | Олово/Свине (SN85PB15) | 2,5 В. | Квадран | Крхлоп | 0,5 мм | 208 | Коммер | 70 ° С | Микропра | 2,53,3 В. | Н.Квалиирована | MykroproцeSsOr, Risc | 32 |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.