Микропроцессоры - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Микропра

Срэвниваф Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee HTS -KOD КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Raзmerpmayti ТИП ГЕЙНЕРАТОРА Nomer- /Водад ТИП ПАМАТИ Пефер -вусрост О. А.А. Raзmer operativnoй papmayti ШIrIna шinыdannnых ASTOTA (MMAKS) Скороп UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Р.А. МЕР ИБИТА Имея Канала Дма ШIMCANALы Канала Oprogrammirueomostath Коли -теплый Graoniцa kkanirowanee Унигир Формат Ингрированан Колиш Колиш Колист. Каналов Дма Вернее ТАКТОВА Адреса иирин Иурин МАКСИМАЛИН ВОЗНА Колист
TS68882VR16 TS68882VR16 Atmel (Microchip Technology)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru CMOS 16,67 мг 4,184 мм В 26,92 мм 26,92 мм СОДЕРИТС 68 68 E0 Олово/Свинен (SN/PB) 5в Петенкюр PIN/PEG 5в 2,54 мм 68 Промлэнно 85 ° С -40 ° С МАТИМАТИСКОЙСКИЙ 5в 136ma Н.Квалиирована MATEMATIGESKIй proцeSsorOr, Копроссор Не 5 32
KMPC8540VTAQFB KMPC8540VTAQFB Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 105 ° С 0 ° С 1 гер ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-kmpc8540vtaqfb-datasheets-7229.pdf FCBGA 1,2 В. СОДЕРИТС 4.543691G Верна 32B 1 гер 1
MPC8323CZQADDC MPC8323CZQADDC Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 105 ° С -40 ° С CMOS 266 мг 2,55 мм ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mpc8323czqaddc-datasheets-7181.pdf 27 ММ 516 4.634807G 1,05 950 м 516 не 5A992 Не E0 Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) БЕЗОПАСНЫЙ Униджин М 260 1V Промлэнно Микропра 32B 266 мг MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар В дар Плава В дар 1
MPC8572ELVTAULE MPC8572ELVTAULE Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 105 ° С 0 ° С CMOS 1 333 г 3,38 ММ ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mpc8572elvtaule-datasheets-7162.pdf FCBGA 33 ММ 1,1 В. 12.96659G 1023 не Не E2 Олово/Секребро (Sn/Ag) Верна В дар Униджин М 1,1 В. 1 ММ Drugoй 1.155V Микропра 1.11.8/3,3 В. 64 кб 32 кб 32B 1 333 г 1333 Мг MykroproцeSsOr, Risc 32 В дар В дар ФИКСИРОВАННАНА В дар 16 2
IDT79RC32K438-300BB IDT79RC32K438-300BB ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 300 мг В https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rc32k438300bb-datasheets-6997.pdf BGA 416 E0 Олово/Свинен (SN/PB) 1,3 В. Униджин М 1 ММ 416 Коммер 70 ° С Микропра 1.32.53.3V Н.Квалиирована MykroproцeSsOr, Risc 32
SB80C188XL20 SB80C188XL20 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА CMOS 20 мг 1,66 ММ В 12 ММ 12 ММ 80 80 3A991.A.2 Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemы ytaйmerы 8542.31.00.01 E0 Олово/Свинен (SN/PB) 5в Квадран Крхлоп 5в 0,5 мм 80 Коммер 70 ° С Микропра 5в 90 май Н.Квалиирована МИККРОПРЕССОР 16 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 5 2 20 мкс 20 8
MC68030FE16C MC68030FE16C Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 70 ° С 0 ° С HCMOS 166 мг ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mc68030fe16c-datasheets-6966.pdf 5в СОДЕРИТС 132 5.821943G 132 Динаминский raзmer шinы; DO 9,2 MIPS E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран Крхлоп 260 5в 0,635 мм 132 Коммер 40 Н.Квалиирована Рис 32B 16 мг МИККРОПРЕССОР 32 Не Не ФИКСИРОВАННАНА В дар 32 1
TN80L188EA13 TN80L188EA13 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА CMOS 13 мг 4,83 мм ROHS COMPRINT 2002 /files/intel-tn80l188ea13-datasheets-6956.pdf&product=intel-tn80l188ea13-11484330 LCC 24.2316 ММ 24.2316 ММ 68 Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemы ytaйmerы 3В Квадран J Bend Nukahan 3В 1,27 ММ 68 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Nukahan 65 май Н.Квалиирована S-PQCC-J68 МИККРОПРЕССОР 16 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 5 2 13 мкс 20 8
QG6702PXHVSL8GH QG6702PXHVSL8GH Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT 31 мм 31 мм 3,3 В. 567
AV80585VG0091MSLGAM AV80585VG0091MSLGAM Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер CMOS 1,2 -е ROHS COMPRINT BGA 956 1,15 В. 1,05 956 Не Униджин М 1,15 В. 0,5 мм Микропра 64b 1,2 -е МИККРОПРЕССОР 64 В дар В дар Плава В дар 33 1
KU80L186EC16 KU80L186EC16 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА CMOS 16 мг 4,57 мм В 1996 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/intel-ku80l186ec16-datasheets-6724.pdf QFP 19,05 мм 19,05 мм 100 E0 Олово/Свинен (SN/PB) 3В Квадран Крхлоп Nukahan 3,3 В. 0,635 мм 100 Коммер 70 ° С Nukahan Микропра 3/5. 45 май Н.Квалиирована МИККРОПРЕССОР 16 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 16 мкс 20 16
IDT79RC32K438-266BBI IDT79RC32K438-266BBI ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 266 мг В BGA 1,3 В.
MC68030CRC25C MC68030CRC25C Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 85 ° С 0 ° С HCMOS 25 мг 4,7 мм ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mc68030crc25c-datasheets-6686.pdf 34 545 мм 5в СОДЕРИТС 128 14.084298G 128 Ear99 Не Петенкюр PIN/PEG Nukahan 5в 2,54 мм 128 Промлэнно Nukahan Н.Квалиирована Рис 32B 25 мг МИККРОПРЕССОР 32 Не Не ФИКСИРОВАННАНА В дар 32 1
IDT79RC32T351-133DH IDT79RC32T351-133DH ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) 133 мг В 1999 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt79rc32t351133dh-datasheets-7241.pdf PQFP 208 208 E0 Олово/Свине (SN85PB15) 2,5 В. Квадран Крхлоп 0,5 мм 208 Коммер 70 ° С Микропра 2,53,3 В. Н.Квалиирована MykroproцeSsOr, Risc 32
MPC8536AVTATH MPC8536AVTATH Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 90 ° С 0 ° С CMOS 1,25 -е 2,76 ММ ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mpc8536avtath-datasheets-6424.pdf FCBGA 29 ММ СОУДНО ПРИОН 783 3.695587G 1,1 В. 950 м 783 5A992 Не E2 Жestaynoe cerebro БЕЗОПАСНЫЙ Униджин М 260 1,1 В. 783 Drugoй 40 Микропра 512 кб 32B 1,25 -е МИККРОПРЕССОР 32 В дар В дар Плава В дар 32 3,3 В. 1
IDT79RC32K438-266BBGI IDT79RC32K438-266BBGI ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 266 мг ROHS COMPRINT BGA 1,3 В.
IDT79RC32K438-266BBG IDT79RC32K438-266BBG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 266 мг ROHS COMPRINT BGA 1,3 В.
EU80571PG0602MSLAY7 EU80571PG0602MSLAY7 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS ROHS COMPRINT /files/intel-eu80571pg0602mslay7-datasheets-6190.pdf 775 775 Не В дар Униджин 1,5 В. 1,1 мм Микропра 1,5 В. 75000 май 64b 2,5 -е 2500 мг MykroproцeSsOr, Risc 64
IDT79RC32K438-233BBI IDT79RC32K438-233BBI ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 233 мг В BGA 416 E0 Олово/Свинен (SN/PB) 1,2 В. Униджин М 1 ММ 416 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Микропра 1.22.53.3V Н.Квалиирована MykroproцeSsOr, Risc 32
MAC7241VAF64R MAC7241VAF64R Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В /files/freescalesemyonductor-mac7241vaf64r-datasheets-5914.pdf
N80L186EB16 N80L186EB16 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА CMOS 16 мг 4,83 мм ROHS COMPRINT 1996 /files/intel-n80l186eb16-datasheets-5614.pdf LCC 29,3116 ММ 29,3116 ММ 84 Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemыe ataйmerы; Эmaolaiship obrodowaniva E0 Олово/Свинен (SN/PB) 3В Квадран J Bend Nukahan 3,3 В. 1,27 ММ 84 Коммер 70 ° С Nukahan Микропра 3/5. 54 май Н.Квалиирована S-PQCC-J84 МИККРОПРЕССОР 16 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 6 2 16 мкс 20 16
IDT79RC32K438-233BBGI IDT79RC32K438-233BBGI ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 233 мг ROHS COMPRINT BGA 1,2 В.
IDT79RC32K438-233BBG IDT79RC32K438-233BBG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 233 мг ROHS COMPRINT BGA 1,2 В.
MCF5470ZP200 MCF5470ZP200 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 МАССА 3 70 ° С 0 ° С CMOS 200 мг 2,55 мм ROHS COMPRINT /files/freescalesemyonductor-mcf5470zp200-datasheets-5434.pdf BGA 27 ММ 3,3 В. СОДЕРИТС 388 3.420001G 388 Ebi/emi, Ethernet, i2c, Spi, Uart, USART, USB Не 8542.31.00.01 E0 Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) БЕЗОПАСНЫЙ В дар Униджин М 260 1,5 В. 1 ММ 388 Коммер 1,58 40 Микропра 32 кб Внений БОЛЬШЕ DMA, PWM, Wdt ХoLoDnnый о гоно 32 кб 32B 200 мг MykroproцeSsOr, Risc 32 99 В дар В дар Плава В дар 200 мкс 32
TS80L186EB13 TS80L186EB13 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С CMOS 13 мг 3,15 мм В /files/intel-ts80l186eb13-datasheets-5431.pdf PQFP 20 ММ 14 ММ 80 5в 2,7 В. 80 3A991.A.2 Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemыe ataйmerы; Эmaolaiship obrodowaniva 8542.31.00.01 E0 Олово/Свинен (SN/PB) 3В Квадран Крхлоп Nukahan 3В 0,8 мм 80 Промлэнно Nukahan Микропра 73 май Н.Квалиирована МИККРОПРЕССОР 16 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 6 2 13 мкс 20 16
LF80537GG0412MSLA49 LF80537GG0412MSLA49 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Чereз dыru 100 ° С 0 ° С 2 гер ROHS COMPRINT /files/intel-lf80537gg0412msla49-datasheets-5415.pdf 1575 550 м 478 64b 2 гер
MAC7116VAG50R2 MAC7116VAG50R2 Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 CMOS 1,6 ММ В /files/freescalesemyonductor-mac7116vag50r2-datasheets-5291.pdf 20 ММ 20 ММ 144 в дар 3A991.A.2 Выпить 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран Крхлоп 260 2,5 В. 0,5 мм 144 Промлэнно 105 ° С -40 ° С 2,75 В. 2,35 В. 40 Н.Квалиирована S-PQFP-G144 112 50 мг МИККРОКОНТРОЛЕР, RISC 32 В дар В дар Не Не В.С. 50 мг 22 16
TN80L186EB13 TN80L186EB13 Intel
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер МАССА 85 ° С -40 ° С CMOS 13 мг 4,83 мм В /files/intel-tn80l186eb13-datasheets-5175.pdf LCC 29,3116 ММ 29,3116 ММ 84 5в 2,7 В. 80 3A991.A.2 Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemыe ataйmerы; Эmaolaiship obrodowaniva 8542.31.00.01 E0 Олово/Свинен (SN/PB) 3В Квадран J Bend Nukahan 3В 1,27 ММ 84 Промлэнно Nukahan Микропра 73 май Н.Квалиирована S-PQCC-J84 МИККРОПРЕССОР 16 Не В дар ФИКСИРОВАННАНА Не 6 2 13 мкс 20 16
TEN40HGAV23GME Ten40hgav23gme Амд
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В
IDT79RC32K438-200BBI IDT79RC32K438-200BBI ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT BGA 416 416 E0 Олово/Свинен (SN/PB) В дар Униджин М 1 ММ 416 Промлэнно 85 ° С -40 ° С Микропра 1.22.53.3V Н.Квалиирована 200 мг MykroproцeSsOr, Risc 32
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)