Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | МАССА | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Имен | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Naprayeseee | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Raзmerpmayti | Колист. Каналов | ТИП ГЕЙНЕРАТОРА | Nomer- /Водад | ТИП ПАМАТИ | Пефер -вусрост | О. А.А. | Raзmer operativnoй papmayti | ШIrIna шinыdannnых | ASTOTA (MMAKS) | Скороп | UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS | Р.А. МЕР ИБИТА | Имея | Канала Дма | ШIMCANALы | Степень | Колиш | Коли -теплый | Graoniцa kkanirowanee | Унигир | Формат | Ингрированан | Колиш | Вернее | Адреса иирин | Иурин | Колист |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
Bx80547pg3000fsl7z9 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | ROHS COMPRINT | 775 | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | NeT -lederStva | 1,3 В. | 1,1 мм | Микропра | 1,3 В. | 78 май | Н.Квалиирована | R-XBGA-N775 | 64b | 3 гер | 3000 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AMSTF36HAX3DN | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PS1021AXN7KQB | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8349EZUAJDB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | 0 ° С | 533 мг | ROHS COMPRINT | 1,2 В. | 9.283193G | 672 | 5A002 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 672 | 32B | 533 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
YW80C188EC25 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 25 мг | ROHS COMPRINT | 5в | СОУДНО ПРИОН | 5,5 В. | 4,5 В. | 100 | 5в | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8560CVT667JB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | -40 ° С | 667 мг | ROHS COMPRINT | FCBGA | 1,2 В. | СОДЕРИТС | 4.543691G | Верна | 32 кб | 32B | 667 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SIM3L157-C-GL | Силиконо | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 50 мг | 1,2 ММ | ROHS COMPRINT | TFBGA | 5,5 мм | 3,8 В. | 80 | 80 | I2C, IRDA, SPI, UART, USART | Не | В дар | Униджин | М | 3,3 В. | 0,5 мм | Промлэнно | МИККРОКОНТРОЛЕР | 128 кб | 24 | Внутронни | 62 | В.С. | Brown-Out Detect/Reset, DMA, LCD, POR, PWM, WDT | Рука | 32 кб | 32B | 50 мг | МИККРОКОНТРОЛЕР, RISC | 32 | В дар | В дар | В дар | В дар | 3 | 62 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8535CVTATH | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 2,76 ММ | ROHS COMPRINT | FCBGA | 29 ММ | 3,3 В. | 783 | 3.695587G | 783 | I2c, spi, uart | 5A992 | Не | 8542.31.00.01 | E2 | Жestaynoe cerebro | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 260 | 1V | 1 ММ | 783 | Промлэнно | 1,05 | 40 | Микропра | 32B | 1,25 -е | 1250 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NG80960KB16 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | CMOS | 16 мг | 4,57 мм | В | QFP | 24,13 ММ | 24,13 ММ | 132 | 3A991.A.2 | Rergystraцia ytablo; Верхинн | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 5в | Квадран | Крхлоп | Nukahan | 5в | 0,635 мм | 132 | Drugoй | 100 ° С | Nukahan | Микропра | 5в | 315 май | Н.Квалиирована | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | Не | Не | Плава | Не | 4 | 16 мкс | 32 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8349EZUAGDB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | 0 ° С | 400 мг | ROHS COMPRINT | 1,2 В. | 9.283193G | 672 | 5A002 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 672 | 32B | 400 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ES80C186XL20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 20 мг | ROHS COMPRINT | PQFP | СОУДНО ПРИОН | 80 | 5в | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
YW80C188EC20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 20 мг | ROHS COMPRINT | 5в | СОУДНО ПРИОН | 5,5 В. | 4,5 В. | 100 | 5в | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8535BVTATH | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 2,76 ММ | ROHS COMPRINT | FCBGA | 29 ММ | 3,3 В. | 783 | 3.695587G | 783 | I2c, spi, uart | 5A992 | Не | 8542.31.00.01 | E2 | Жestaynoe cerebro | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 260 | 1V | 1 ММ | 783 | Drugoй | 1,05 | 40 | Микропра | 32B | 1,25 -е | 1250 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ADA3200AEP5AP | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | В | 754 | Не | Не | Петенкюр | PIN/PEG | 1,5 В. | 1,27 ММ | Микропра | 1,5 В. | S-PPGA-P754 | 64b | 2 гер | 2000 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8347ZUALFB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 667 мг | ROHS COMPRINT | 35 ММ | 1,2 В. | 672 | 9.283193G | 672 | 5A992 | Tyakhe trobueTsema А. | Не | E0 | Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 260 | 1,2 В. | 672 | Drugoй | 40 | 32B | 667 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RK80532PE067512 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | В | 35 ММ | 478 | 3A001.A.3 | 8542.31.00.01 | Не | Петенкюр | PIN/PEG | 1,5 В. | 1,27 ММ | 478 | 1.395V | 1,32 В. | Микропра | 1,5 В. | Н.Квалиирована | S-CPGA-P478 | 64b | 2,66 г | 2660 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CN80617004467AHSLBXW | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | ROHS COMPRINT | FCBGA | 8 gb | DDR3 | 64b | 2,13 -ggц | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8535BVTAQG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 2,76 ММ | ROHS COMPRINT | FCBGA | 29 ММ | 3,3 В. | 783 | 3.695587G | 783 | I2c, spi, uart | 5A992 | Не | 8542.31.00.01 | E2 | Олово/Секребро (Sn/Ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 260 | 1V | 1 ММ | 783 | Drugoй | 1,05 | 40 | Микропра | 32B | 1 гер | 1000 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
YW80L186EC13 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 13 мг | ROHS COMPRINT | СОУДНО ПРИОН | 5в | 2,7 В. | 100 | Не | 3В | 13 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
FW80219M400-SL7CL | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | CMOS | 400 мг | В | BGA | СОДЕРИТС | 544 | Не | 1,3 В. | Униджин | М | 1,27 ММ | Drugoй | 85 ° С | Drugie -микропроэссоц | 1.252.53.3V | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
AT80614005079ABSLBX3 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 87 ° С | CMOS | ROHS COMPRINT | 1,5 В. | 1366 | Униджин | NeT -lederStva | 1 ММ | Микропра | 0,75/1,35 | 150000 май | Н.Квалиирована | 64b | 1,87 г | 1870 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | 4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM8063701211600SR0PK | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 67,4 ° C. | CMOS | 3,4 -е | ROHS COMPRINT | 1155 | Униджин | NeT -lederStva | 0,9 мм | Микропра | 0,25/1,52 В. | 112000 май | Н.Квалиирована | 32 gb | DDR3 | 64b | 3,4 -е | 3900 мг | МИККРОПРЕССОР | 64 | В дар | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MCIMX513DJM8CR2 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Лю | 85 ° С | -20 ° С | 800 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 1.01599G | 1,15 В. | 1,05 | 529 | I2c, i2s, uart | в дар | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | L2 Cache, ROM, SRAM | Рука | 32B | 800 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EN80C188XL20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | CMOS | 20 мг | ROHS COMPRINT | LCC | СОУДНО ПРИОН | 68 | 5в | Квадран | J Bend | 5в | 1,27 ММ | Промлэнно | 85 ° С | -40 ° С | Микропра | 5в | 90 май | Н.Квалиирована | S-PQCC-J68 | MykroproцeSsOr, Risc | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ADS3100AR4DRE | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8347ZUAJFB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | 0 ° С | 533 мг | ROHS COMPRINT | 1,2 В. | 9.283193G | 672 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 533 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RK80530KZ012512SL6BX | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | 69 ° С | CMOS | 1,26 г | ROHS COMPRINT | 1,5 В. | 370 | 1,8 В. | 1.1375V | 370 | Не | Петенкюр | PIN/PEG | Микропра | 32B | 1,26 г | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM8063701159406SR0PF | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | CMOS | 3,1 -е | ROHS COMPRINT | 1155 | Не | Униджин | 0,9 мм | Микропра | 0,25/1,52 В. | 112000 май | 64b | 3,1 -е | 3500 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8535BVTAKG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 600 мг | 2,76 ММ | ROHS COMPRINT | FCBGA | 29 ММ | 783 | 3.695587G | 5A992 | Не | E2 | Олово/Секребро (Sn/Ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 260 | 1V | 783 | Drugoй | 0,95 В. | 40 | Микропра | S-PBGA-B783 | 32B | 600 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Mpc8547echxauj | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (neograniчennnый) | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 3,38 ММ | ROHS COMPRINT | 29 ММ | 1,1 В. | 783 | 11.285492G | 783 | 5A002 | Не | 8542.31.00.01 | E0 | Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) | Верна | В дар | Униджин | М | 1,1 В. | 1 ММ | 783 | 1.155V | Микропра | 1,22,5/3,3 В. | 32B | 1 333 г | 1333 Мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 64 |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.