Продукция
Производитель
RFQ
NWES
КонтактМикропра
| Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | МАССА | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Имен | PBFREE CODE | ТИПРЕМА | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Naprayeseee | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Raзmerpmayti | Колист | ТИП ГЕЙНЕРАТОРА | Nomer- /Водад | ТИП ПАМАТИ | Пефер -вусрост | О. А.А. | Raзmer operativnoй papmayti | ШIrIna шinыdannnых | ASTOTA (MMAKS) | Скороп | UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS | Р.А. МЕР ИБИТА | Имея | Канала Дма | ШIMCANALы | Канала | Колиш | Коли -теплый | Рим (Слова) | Graoniцa kkanirowanee | Унигир | Формат | Ингрированан | Колиш | Ох (бахт) | Колист. Каналов Дма | Вернее | ТАКТОВА | Адреса иирин | Иурин | Колист |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MOD5270BXME | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 95 мг | ROHS COMPRINT | Модул | RJ45 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EG80C186EB25 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 25 мг | ROHS COMPRINT | PLCC | 5в | СОУДНО ПРИОН | 5,5 В. | 4,5 В. | 68 | Не | 5в | 25 мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BX80532KE3066DU | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | В | 42,5 мм | 42,5 мм | 604 | 3A001.A.3 | 8542.31.00.01 | Не | Униджин | PIN/PEG | 604 | S-PBGA-P604 | 3060 мг | МИККРОПРЕССОР | 64 | В дар | В дар | Плава | В дар | 100 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LE80536GE0362M | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | BGA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| AW8063801115901SR0QJ | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | PorхnoStnoe krepleplenieene чereherehereherehere of otwerstiee | CMOS | 2,7 -е | ROHS COMPRINT | 988 | 988 | PCIE | Петенкюр | PIN/PEG | 1 ММ | Микропра | Н.Квалиирована | 16 гр | DDR3 | 64b | 2,7 -е | 3300 мг | МИККРОПРЕССОР | 64 | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LE80536GE0302M | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | BGA | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LF80537NE0411MSLAJ9 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | 2 гер | ROHS COMPRINT | 1,3 В. | 478 | 478 | Не | Не | Петенкюр | PIN/PEG | Микропра | 36000 май | 64b | 2 гер | 2000 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC8547ECHXAQG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (neograniчennnый) | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 3,38 ММ | ROHS COMPRINT | 29 ММ | 1,1 В. | 783 | 11.285492G | 783 | 5A002 | Не | 8542.31.00.01 | E0 | Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) | Верна | В дар | Униджин | М | 1,1 В. | 1 ММ | 783 | 1.155V | Микропра | 1,22,5/3,3 В. | 32B | 1 гер | 1000 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 64 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EN80L186EA13 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | CMOS | 13 мг | ROHS COMPRINT | LCC | СОУДНО ПРИОН | 68 | 3В | Квадран | J Bend | 1,27 ММ | Промлэнно | 85 ° С | -40 ° С | Микропра | 3/5. | 65 май | Н.Квалиирована | S-PQCC-J68 | MykroproцeSsOr, Risc | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KMPC8323ZQAFDC | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 105 ° С | 0 ° С | 333 мг | ROHS COMPRINT | 1V | 4.634807G | 516 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 333 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BX80532KE2800DU | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | CMOS | В | /files/intel-bx80532ke2800du-datasheets-0499.pdf | 42,5 мм | 604 | 3A001.A.3 | Не | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Не | Униджин | PIN/PEG | 1,27 ММ | 604 | Микропра | 1,43,3 В. | S-PBGA-P604 | 64b | 2,8 -е | 2800 мг | МИККРОПРЕССОР | 64 | В дар | В дар | Плава | В дар | 36 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA8515-16JI | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 2 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 16 мг | ROHS COMPRINT | Дж | 16 586 ММ | СОДЕРИТС | 44 | 5,5 В. | 4,5 В. | 44 | Ebi/emi, spi, uart, usart | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Квадран | 225 | 5в | 44 | Промлэнно | 30 | МИККРОКОНТРОЛЕР | 5в | Н.Квалиирована | 8 кб | Внутронни | 35 | В.С. | Brown-Out Detect/Reset, POR, PWM, WDT | Аварийный | 512b | 8B | 16 мг | МИККРОКОНТРОЛЕР, RISC | 8 | Не | Не | В дар | Не | 2 | 35 | 4096 | 512 | 16 мкс | 16 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC68MH360ZP33K | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KMPC8323ZQADDC | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 105 ° С | 0 ° С | 266 мг | ROHS COMPRINT | 1V | 4.634807G | 516 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 266 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KMPC855TZQ80D4 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 (168 чASOW) | 95 ° С | 0 ° С | CMOS | 80 мг | 2,52 мм | ROHS COMPRINT | BGA | 25 ММ | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 357 | 2.1737G | 357 | Не | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 245 | 3,3 В. | 357 | 3.465V | 30 | Микропра | 32B | 80 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LE80537LG0254MSLAET | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 100 ° С | 0 ° С | 1,6 -е | ROHS COMPRINT | FCBGA | 1,06 | 479 | 64b | 1,6 -е | 2 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EN80C188EB-20 | Rochester Electronics | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 20 мг | ROHS COMPRINT | LCC | СОУДНО ПРИОН | 5в | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KMPC8323EZQAFDC | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 105 ° С | 0 ° С | 333 мг | ROHS COMPRINT | 1V | 4.634807G | 516 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 333 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SB80C186XL20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | CMOS | 20 мг | 1,66 ММ | В | 12 ММ | 12 ММ | 80 | 80 | 3A991.A.2 | Коунтерллэр в дрэме; 3 programmirueemhemыe ataйmerы; ЧiSlowoй yanterfeйskoconsoyon | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 5в | Квадран | Крхлоп | 5в | 0,5 мм | 80 | Коммер | 70 ° С | Микропра | 5в | 90 май | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 16 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 5 | 2 | 20 мкс | 20 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC7447AHX1267LB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (neograniчennnый) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 1267 Гер | 3,24 мм | ROHS COMPRINT | 25 ММ | 1,3 В. | СОДЕРИТС | 360 | 4.119894G | 360 | Не | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 260 | 1,3 В. | 360 | 40 | Микропра | Рис | 32B | 1267 Гер | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 36 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P1012nxe2ffb | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | -40 ° С | 800 мг | ROHS COMPRINT | 5.247213G | 689 | БЕЗОПАСНЫЙ | 32 кб | 16 | КОН | Рис | 32B | 16 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BX80532KC2400D | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | 5,45 мм | В | 53,34 мм | 603 | не | 3A001.A.3 | Не | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Не | Петенкюр | PIN/PEG | 1,27 ММ | 603 | 1.458V | 1347 | Микропра | 1,43,3 В. | 51000 май | S-CPGA-P603 | 64b | 2,4 -е | 2400 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 36 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LPC2138FBD64,151 | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 60 мг | 1,6 ММ | ROHS COMPRINT | LQFP | 10 мм | 10 мм | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 64 | 3,6 В. | 3В | 64 | I2c, spi, ssp | E3/E4 | Квадран | Крхлоп | Nukahan | 3,3 В. | 0,5 мм | 64 | Промлэнно | Nukahan | МИККРОКОНТРОЛЕР | Н.Квалиирована | 512 кб | 32 | 47 | В.С. | Рука | 32 кб | МИККРОКОНТРОЛЕР, RISC | 32 | В дар | Не | В дар | В дар | 2 | 8 | 8 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KMPC8323EZQADDC | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 105 ° С | 0 ° С | 266 мг | ROHS COMPRINT | 1V | 4.634807G | 516 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 266 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC850SRZQ66BU | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 95 ° С | 0 ° С | 66 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 1.724048G | 256 | не | Не | Верна | 8 кб | 32B | 66 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| P1012NXE2DFB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 125 ° С | -40 ° С | 800 мг | ROHS COMPRINT | 5.247213G | 689 | БЕЗОПАСНЫЙ | 32 кб | 16 | КОН | Рис | 32B | 16 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ATMEGA8515-16AC | Atmel (Microchip Technology) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 16 мг | В | А | 10 мм | СОДЕРИТС | 44 | 5,5 В. | 4,5 В. | 44 | Ebi/emi, spi, uart, usart | E0 | Крхлоп | 240 | 5в | 0,8 мм | 44 | 30 | МИККРОКОНТРОЛЕР | 5в | 8 кб | Внутронни | 35 | В.С. | Brown-Out Detect/Reset, POR, PWM, WDT | Аварийный | 512b | 8B | 16 мг | МИККРОКОНТРОЛЕР, RISC | 8 | Не | Не | В дар | Не | 2 | 35 | 4096 | 512 | 16 мкс | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| KMPC8545EHXAQG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 105 ° С | 0 ° С | 1 гер | ROHS COMPRINT | FCBGA | 1,1 В. | 11.285492G | 783 | Не | Верна | 32B | 1 гер | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MPC850ZQ66BU | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 95 ° С | 0 ° С | 66 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 1.724048G | 256 | не | Не | Верна | 8 кб | 32B | 66 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BX80532KE2667D | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | В | 603 | не | 3A001.A.3 | Не | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Не | НЕВЕКАНА | НЕВЕКАНА | 1,27 ММ | 1452 | 1334 | Микропра | 1,43,3 В. | 57100 май | R-xxma-x | 64b | 2,66 г | 2667 Мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 36 |
