Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Вес | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | МАКСИМАЛНГОН | Колист | Верна - | МАССА | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Имен | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Naprayeseee | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Уровина Скринина | О. А.А. | Raзmer operativnoй papmayti | ШIrIna шinыdannnых | ASTOTA (MMAKS) | Скороп | UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS | Р.А. МЕР ИБИТА | Graoniцa kkanirowanee | Унигир | Формат | Ингрированан | Колиш | Вернее | ТАКТОВА | Адреса иирин | Иурин | МАКСИМАЛИН ВОЗНА | Колист | МАКСИМАЛИНКОН КОЛИСЕВОВО |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
OSB244FOT5BLE | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC855TVR80D4 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 (168 чASOW) | 95 ° С | 0 ° С | CMOS | 80 мг | 2,52 мм | ROHS COMPRINT | 25 ММ | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 357 | 2.096504G | 357 | E1 | Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 245 | 3,3 В. | 357 | 3.465V | 30 | Н.Квалиирована | 32B | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | В дар | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80531NK170G | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Gneзdo | В | 190,5 мм | 63,5 мм | 139,7 мм | 453.59237G | Не | 64b | 1,7 -е | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC68SEC000FU16 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 1 | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 16 мг | 2,45 мм | ROHS COMPRINT | QFP | СОДЕРИТС | 64 | Ear99 | МОЖЕТ РЕБОТАТАР С 5 В. | E0 | Верна | В дар | Квадран | Крхлоп | Nukahan | 3,3 В. | 0,8 мм | 64 | Коммер | Nukahan | Микропра | 5в | 50 май | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 16 мкс | 24 | 16 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8536Eavtavl | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 90 ° С | 0 ° С | ROHS COMPRINT | FCBGA | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 3.695587G | 783 | I2c, spi, uart | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 1,5 -е | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CS80C286-12 | Intersil (Renesas Electronics America) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 4 (72 чACA) | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 12,5 мг | 4,57 мм | ROHS COMPRINT | 1996 | /files/intersil-cs80c28612-datasheets-9964.pdf | PLCC | 24,23 мм | 5в | СОДЕРИТС | 68 | 7 | 68 | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 5в | Квадран | J Bend | 225 | 5в | 1,27 ММ | 68 | Коммер | Nukahan | Микропра | 5в | 255 май | Н.Квалиирована | 16b | 12,5 мг | МИККРОПРЕССОР | 16 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 24 | |||||||||||||||||||||||||||||||||
88AP270MA2-BGO2C624 | Marvell Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 85 ° С | -25 ° С | CMOS | 1 ММ | ROHS COMPRINT | TFBGA | 13 ММ | 13 ММ | 356 | 3,3 В. | 1,8 В. | в дар | Не | 8542.31.00.01 | E8 | Olovo/serebro/mmedion (sn98.5ag1.0cu0.5) | Униджин | М | 1,55 | 0,5 мм | 356 | Grawiчeskie oproцessorы | S-PBGA-B356 | 624 мг | MykroproцeSsOr, Risc | В дар | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 13 мг | 26 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
S3C2410A26-YO80 | Samsung Semiconductor | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 266 мг | ROHS COMPRINT | FBGA | 2в | 272 | Не | Рука | 266 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TA80960KB-20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | МАССА | CMOS | 20 мг | 4,57 мм | ROHS COMPRINT | 37,08 мм | 37,08 мм | СОУДНО ПРИОН | 132 | 132 | 3A991.A.2 | Optemp, Ucaзannnый kak tc; Rergystraцia ytablo; Верхинн | 8542.31.00.01 | 5в | Петенкюр | PIN/PEG | 5в | 2,54 мм | 132 | Автомобиль | 125 ° С | -40 ° С | Микропра | 5в | 360 май | Н.Квалиирована | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | Не | Не | Плава | Не | 4 | 20 мкс | 32 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TMS34020AGBL-40 | Тел | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | CMOS | В | 40 ММ | 40 ММ | СОДЕРИТС | 145 | не | not_compliant | Не | Петенкюр | PIN/PEG | Nukahan | 5в | 2,54 мм | 145 | Коммер | 70 ° С | 5,25 В. | 4,75 В. | Nukahan | Grawiчeskie oproцessorы | 5в | 260 май | Н.Квалиирована | S-CPGA-P145 | GrawiчeSkIй proцeSsOr | 40 мг | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PLS2080ASN7TTA | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NT80386DX25 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 25 мг | ROHS COMPRINT | QFP | СОУДНО ПРИОН | 5в | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8358ECZUAGDGA | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 400 мг | ROHS COMPRINT | 37,5 мм | 1,2 В. | 740 | 10.949691G | 1,26 | 1,14 | 740 | не | 5A002 | Не | E0 | Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | Униджин | М | 260 | 1,2 В. | 740 | 40 | Микропра | 32B | 400 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
668-0003-c | Poluprovodonykkrolyka (Digi) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 30 мг | В | 2002 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rabbitsemyonductor-6680003c-datasheets-9852.pdf | PQFP | 100 | 5в | 30 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
5962-9162303mya | Тел | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | CMOS | 3,3 мм | ROHS COMPRINT | 24.065 ММ | 24.065 ММ | 5в | СОДЕРИТС | 265 май | 132 | не | 3A001.A.2.C | 8542.31.00.01 | Квадран | Плоски | Nukahan | 5в | 0,635 мм | 132 | ВОЗДЕЛАН | 125 ° С | -55 ° С | Nukahan | Grawiчeskie oproцessorы | 5в | Н.Квалиирована | S-CQFP-F132 | MIL-STD-883 | GrawiчeSkIй proцeSsOr | 32 мг | 32 | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Pls2080ase7tta | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NQ80332M500SL7NQ | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 500 мг | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/intel-nq80332m500sl7nq-datasheets-9825.pdf | FCBGA | 1,35 В. | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8358ECZQADDDA | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 667 мг | 2,46 мм | ROHS COMPRINT | BGA | 29 ММ | 1,2 В. | 668 | 6.069208G | 1,26 | 1,14 | 561 | 5A002 | Не | 8542.31.00.01 | E0 | Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | Униджин | М | 260 | 1,2 В. | 1 ММ | 668 | 40 | Микропра | 1,21,8/2,52,5/3,3 В. | 32B | 266 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8360EVVAJDG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | 0 ° С | 533 мг | ROHS COMPRINT | 1,2 В. | СОУДНО ПРИОН | 10.630703G | 740 | в дар | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 533 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
YW80L186EB16 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | 16 мг | ROHS COMPRINT | СОУДНО ПРИОН | 5в | 3В | 80 | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8536AVTANG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 | 90 ° С | 0 ° С | CMOS | 800 мг | 2,76 ММ | ROHS COMPRINT | FCBGA | 29 ММ | СОУДНО ПРИОН | 783 | 3.695587G | 1,1 В. | 950 м | 783 | 5A992 | Не | E2 | Жestaynoe cerebro | БЕЗОПАСНЫЙ | Униджин | М | 260 | 1,1 В. | 783 | Drugoй | 40 | Микропра | 512 кб | 32B | 800 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 3,3 В. | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
WL80960JA332 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 33 мг | ROHS COMPRINT | BGA | СОУДНО ПРИОН | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8360CZUAJDG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | -40 ° С | 533 мг | ROHS COMPRINT | 1,2 В. | 10.784102G | 740 | не | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 533 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8358CZQADDDA | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 333 мг | 2,46 мм | ROHS COMPRINT | BGA | 29 ММ | 1,2 В. | 668 | 6.069208G | 1,26 | 1,14 | 668 | 5A992 | Не | 8542.31.00.01 | E0 | Olovo/svineц/serebro (sn/pb/ag) | 1,05 | БЕЗОПАСНЫЙ | Униджин | М | 225 | 1,2 В. | 1 ММ | 668 | 32B | 266 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NT80960JC5016 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 50 мг | ROHS COMPRINT | QFP | СОУДНО ПРИОН | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
Pls1043ase7kqa | NXP Semiconductors / Freescale | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8358EVVAGDG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 105 ° С | 0 ° С | 400 мг | ROHS COMPRINT | 1,2 В. | 10.630703G | 740 | в дар | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | 32B | 400 мг | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8535ECVTAKG | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | -40 ° С | CMOS | 600 мг | 2,76 ММ | ROHS COMPRINT | FCBGA | 29 ММ | 783 | 3.695587G | 5A002 | Не | E3/E4 | Олово/Секребро | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 260 | 1V | 783 | Промлэнно | 0,95 В. | 40 | Микропра | S-PBGA-B783 | 32B | 600 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
PR80960VH100 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 100 мг | ROHS COMPRINT | BGA | СОУДНО ПРИОН | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
P1011PSN2HFB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 125 ° С | 0 ° С | 800 мг | ROHS COMPRINT | 1 |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.