Срэйват | Ибрагейн | Сознание | Проиджодель | ЦEnы (DOLLARR) | Колист | Вер (К.) | Raзmer (lxwxh) | Статус | Управый | Упако | Вернояж | МАКСИМАЛЕН | Мин | Тела | ЧastoTA | Весарая (МАКСИМУМА) | Статус Ройс | Опуликовано | Техниль | PakeT / KORPUES | Делина | Шyrina | Опресагионе | СОУДНО ПРИОН | Колист | МАССА | МАКСИМАЛНА | МИНАПРЕЗА | Колист | Имен | PBFREE CODE | КОД ECCN | Доленитейн Ая | Rradiaцyonnoe wyproчneneenee | HTS -KOD | КОД JESD-609 | ТЕРМИНАЛЕН | Naprayeseee | БЕЗОПАСНЫЙ | Пефер | Терминала | Терминаланая | Пико -Аймперратара | Надо | Терминал | Поседл | ТЕМПЕРАТУРА | Raboч -yemperatura (mamaks) | Raboч -ytemperatura (мин) | PoSta | Posta | Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) | Подкейгория | Питания | Поступил | Кваликакахионн Статус | КОД JESD-30 | Raзmerpmayti | ТИП ПАМАТИ | О. А.А. | Raзmer operativnoй papmayti | ШIrIna шinыdannnых | ASTOTA (MMAKS) | Скороп | UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS | Р.А. МЕР ИБИТА | Сообщитель | Graoniцa kkanirowanee | Унигир | Формат | Ингрированан | Колиш | Колиш | Вернее | Адреса иирин | Иурин | Колист | Протокол С. |
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
88AP320-C0-BGR2C624-TN20 | Marvell Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 85 ° С | -40 ° С | CMOS | 1 ММ | ROHS COMPRINT | 14 ММ | 456 | 456 | I2c, spi, uart | В дар | Униджин | М | 3В | 0,5 мм | Промлэнно | 3,6 В. | 2,4 В. | Рука | 32B | 624 мг | 806 мг | MykroproцeSsOr, Risc | В дар | В дар | В дар | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
SB80C186EC20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 20 мг | 1,66 ММ | В | 1996 | /files/intel-sb80c186ec20-datasheets-9148.pdf | 14 ММ | 14 ММ | 5в | 100 | 5,5 В. | 4,5 В. | 100 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | 5в | Квадран | Крхлоп | Nukahan | 5в | 0,5 мм | 100 | Коммер | Nukahan | Микропра | 5в | Н.Квалиирована | МИККРОПРЕССОР | 16 | Не | В дар | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 20 | 16 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC7447AVU1333LB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 1 (neograniчennnый) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 1 333 г | 2,8 мм | ROHS COMPRINT | 25 ММ | 1,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 360 | 3.118391G | 360 | Не | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | 260 | 1,3 В. | 360 | 40 | Микропра | Рис | 32B | 1 333 г | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 36 | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HMP820SGR32GM | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LE80536VC001512 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Пефер | CMOS | 1 гер | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/intel-le80536vc001512-datasheets-9115.pdf&product=intel-le80536vc001512-15174602 | FCBGA | 479 | в дар | 940 м | Униджин | М | Nukahan | 1,27 ММ | 479 | Nukahan | Микропра | 0,941,051,21,5/1,8 | Н.Квалиирована | S-PBGA-B479 | 1000 мг | МИККРОПРЕССОР | 64 | В дар | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EE80960SB16512 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 85 ° С | 0 ° С | 16 мг | ROHS COMPRINT | 1994 | /files/intel-ee80960sb16512-datasheets-9109.pdf | PLCC | 5в | СОУДНО ПРИОН | 5,5 В. | 4,5 В. | 84 | 5в | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC8545EPXANGA | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 3,38 ММ | ROHS COMPRINT | BGA | 29 ММ | 1,1 В. | 783 | 11.529496G | 783 | 3A001.A.3 | Не | 8542.31.00.01 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | В дар | Униджин | М | 1,1 В. | 1 ММ | 783 | 1.155V | Микропра | 1,22,5/3,3 В. | 32B | 800 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 64 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RJ80535VC600512SL7GE | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 600 мг | ROHS COMPRINT | 1.004V | 479 | 64b | 600 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RJ80535LC0051MSL6NC | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | Чereз dыru | МАССА | 100 ° С | 0 ° С | CMOS | 1,1 -е | ROHS COMPRINT | 2004 | /files/intel-rj80535lc0051msl6nc-datasheets-9090.pdf | СОДЕРИТС | 479 | 1,8 В. | 695 м | 478 | Не | 8542.31.00.01 | 1,18 | Униджин | М | 1,27 ММ | Микропра | S-PBGA-B479 | 1,1 -е | 1100 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
RJ80536GC0332M-SL7EQ | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 100 ° С | 0 ° С | CMOS | 2,85 мм | ROHS COMPRINT | 35 ММ | 35 ММ | 479 | 479 | Otakж rabothottpriphyphinom naprayжenik | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | М | 1,34 В. | 1,27 ММ | 479 | Микропра | 1,8 В. | Н.Квалиирована | 1,8 -е | 1800 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 28 | 64 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
ET80960KB25512 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 100 ° С | 0 ° С | 25 мг | ROHS COMPRINT | QFP | 5в | СОУДНО ПРИОН | 5,25 В. | 4,75 В. | 132 | 5в | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
A80960KA-20 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | CMOS | 20 мг | 4,57 мм | В | 37,08 мм | 37,08 мм | 132 | 3A991.A.2 | Optemp, Ucaзannnый kak tc; Rergystraцia ytablo; Верхинн | 8542.31.00.01 | Не | Петенкюр | PIN/PEG | 5в | 2,54 мм | 132 | Автомобиль | 125 ° С | -40 ° С | 5,25 В. | 4,75 В. | Микропра | 5в | 360 май | Н.Квалиирована | S-CPGA-P132 | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | Не | Не | ФИКСИРОВАННАНА | Не | 4 | 20 мкс | 32 | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM8063701211900SR0PN | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 69,1 ° C. | CMOS | 3,1 -е | ROHS COMPRINT | 1155 | Униджин | NeT -lederStva | 0,9 мм | Микропра | 0,25/1,52 В. | Н.Квалиирована | 32 gb | DDR3 | 64b | 3,1 -е | 3900 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EE80960SA16512 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 85 ° С | 0 ° С | 16 мг | ROHS COMPRINT | PLCC | 5в | СОУДНО ПРИОН | 5,5 В. | 4,5 В. | 68 | Не | 5в | 16 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
LE80535NC013512 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Чereз dыru | CMOS | 1,3 -е | ROHS COMPRINT | 479 | 478 | 8542.31.00.01 | 1,35 В. | Униджин | М | 1,3 В. | 1,27 ММ | Микропра | 1,3 В. | 21000 мат | Н.Квалиирована | S-PBGA-B479 | 1300 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
KMPC8547EHXAUJ | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 105 ° С | 0 ° С | 1 333 г | ROHS COMPRINT | 1,1 В. | 11.285492G | 783 | Не | Верна | 32B | 1 333 г | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
88AP320-C0-BGR2C806-TN30 | Marvell Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | 806 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
TMPR4937XBG-300 | Toshiba | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | СКАХАТА | 70 ° С | 0 ° С | CMOS | 2,46 мм | ROHS COMPRINT | 2005 | /files/toshiba-tmpr4937xbg300-datasheets-9004.pdf&product=toshiba-tmpr4937xbg300-15138264 | BGA | 35 ММ | 1,5 В. | 484 | 484 | в дар | 3A001.A.3 | TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В | Не | 8542.31.00.01 | В дар | Униджин | М | 1,5 В. | 1,27 ММ | 484 | Коммер | 1,6 В. | Микропра | 1,53,3 В. | Рис | 64b | 300 мг | 64 | В дар | В дар | Плава | В дар | 20 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
EG80960SA16512 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 100 ° С | 0 ° С | 16 мг | ROHS COMPRINT | PQFP | 5в | СОУДНО ПРИОН | 5,25 В. | 4,75 В. | 80 | Не | 5в | 16 мг | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM8063701093203SR0P0 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | 67,4 ° C. | CMOS | 3,3 -е | ROHS COMPRINT | 1155 | Не | Униджин | 0,9 мм | Микропра | 0,25/1,52 В. | 112000 май | 32 gb | DDR3 | 64b | 3,3 -е | 3700 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | 4 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MPC850DEZQ66BUR2 | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | 95 ° С | 0 ° С | 66 мг | ROHS COMPRINT | BGA | 3,3 В. | СОДЕРИТС | 1.724048G | 256 | не | Не | Верна | 8 кб | 32B | 66 мг | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC8641DVU1500KB | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 1,5 -е | ROHS COMPRINT | 33 ММ | 1,1 В. | 5.177388G | 3A991 | E2 | Олово/Секребро (Sn/Ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | Nukahan | 1,1 В. | 1 ММ | 1,15 В. | Nukahan | Н.Квалиирована | Рис | 32B | 1,5 -е | 166,66 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NT80960JA3V252 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 25 мг | ROHS COMPRINT | QFP | СОУДНО ПРИОН | 3В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
NT80960JA3V332 | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | МАССА | 100 ° С | 0 ° С | CMOS | 33 мг | ROHS COMPRINT | PQFP | 3,3 В. | СОУДНО ПРИОН | 132 | 3,45 В. | 3,15 В. | 132 | Не | 8542.31.00.01 | 3В | Квадран | Крхлоп | 0,635 мм | Микропра | 3.33.3/5V | 33 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 32 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
BX80605X3450SLBLD | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | Коробка | 2,66 г | ROHS COMPRINT | LGA | 1156 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
88AP320-C0-BGR2C806-TN00 | Marvell Semiconductor, Inc. | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | 806 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
HDZ965FBGMBOX | Амд | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | ROHS COMPRINT | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC68MH360EM33L | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 | 70 ° С | 0 ° С | HCMOS | 33 мг | ROHS COMPRINT | СОДЕРИТС | 240 | 240 | E0 | Олово/Свинен (SN/PB) | Верна | В дар | Квадран | Крхлоп | 220 | 5в | 0,5 мм | 240 | Коммер | 5,25 В. | 4,75 В. | 30 | Н.Квалиирована | Серридж и конроллр С. А.Иги, Лань | 68000 | В дар | В дар | 4 | 32 | 32 | 1 | Асинронно, nemnogos; Синронихайя, Байт; SINхROONIзAцINA, HDLC; SINхROONIзAцINA, SDLC; Бишин | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
MC8641DVU1333JC | Freescale Semiconductor, Inc. (NXP Semiconductors) | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | МАССА | 3 (168 чASOW) | 105 ° С | 0 ° С | CMOS | 1 333 г | ROHS COMPRINT | 33 ММ | 1,05 | 5.177388G | 3A991 | E2 | Олово/Секребро (Sn/Ag) | БЕЗОПАСНЫЙ | В дар | Униджин | М | Nukahan | 1,05 | 1 ММ | 1,1 В. | Nukahan | Н.Квалиирована | Рис | 32B | 1 333 г | 166,66 мг | МИККРОПРЕССОР | 32 | В дар | В дар | Плава | В дар | 32 | 2 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
CM8063701133903SR0RF | Intel | МИН: 1 Mult: 1 | 0 | 0x0x0 | Пефер | CMOS | ROHS COMPRINT | LGA | 1,8 В. | 1155 | PCIE | Униджин | NeT -lederStva | 0,9 мм | Микропра | 75000 май | Н.Квалиирована | 32 gb | DDR3 | 64b | 3,3 -е | 3300 мг | MykroproцeSsOr, Risc | 64 | 2 |
Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.