PMIC - Регуляторы напряжения - Линейный - Электронные компоненты Sourcing - Лучший агент электронных компонентов - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

PMIC - reraytorы napryaжeniper - lyneйnый (123)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль Это PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee ИДЕРИКАТОРАПАТОРАПЕРАПЕР DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN МЕСТОД УПАКОККИ Колист На МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл Аналогово ТОГАНА Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Вес Подкейгория Кваликакахионн Статус МАКСИМАЛАНА ТЕМПЕРАТУРА Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй КОД JESD-30 ПАКЕТИВАЕТСЯ МАКСИМАЛНГАН МАКСИМАЛНА Мон МИНА В конце концов Обозначение Втипа Коеффихиэнт отклоньян Найналайно Колист Кргителнь ТОК Степень Vodnaver -koanfiguraцian В конце концов 1 NapryaжeNieee (мин) Sprawoчnoe hanpryaeneee ТОК - Постка (МАКС) На Tykuщiй - pocoayщiй (iq) Опрена ТОГОСТИЯ ВСЕГО На Фунеми ипра ТОК - В.О. На Naprayaneeee1-maks ТОЛЕРАНТНЯСК Naprayaneeege1 мин В конце концов Абсолютно-макс ВОЗДУЕТСКИЙ 1-МАКС Минатока Делина (В) Колиш Особенносот Otstupee napryanemane (mmaks) PSRR Млн Форматрминала:
TPS7B8633QDDARQ1 TPS7B8633QDDARQ1 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 /storage/upload/tps7b8633qddarq1.pdf
LM27951SDXNOPB LM27951SDXNOPB Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 /storage/upload/lm27951sdx nopb.pdf
LP38511MRX-ADJ/NOPB LP38511MRX-ADJ/NOPB Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 /storage/upload/lp38511mrx-adj nopb.pdf
TPS7A8001DRBR TPS7A8001DRBR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) Bicmos Rohs3 /storage/upload/tps7a8001drbr.pdf 8-vdfn oTkrыTAIN 3 ММ 1 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 6 НЕТ SVHC 8 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 880 мкм Ear99 ЗOLOTO Не Тргенд 1 6,5 В. E4 В дар Дон 260 0,65 мм TPS7A8001 8 3 % Rugie -reraytorы 1A 6в 2,2 В. 800 м 6в 500 м Rerhulyruemый 1 40 мк Poloshitelnый 800 м 350 мка 100 мк 0,17 В. ДАВАТ 0,8 В. 1.1a Колиш Nandtocom, nadodtemperaturoй, obraTnoйpolayphstheю, pod blokyrowoй napryaenina (uvlo) 0,5 - @ 1a 48 дб ~ 38 дБ (100 г -гц ~ 1 мг)
TLV70333DBVR TLV70333DBVR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /storage/upload/tlv7033333dbvr.pdf SC-74A, SOT-753 2,9 мм 1,45 мм 1,6 ММ 5 6 5 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 1,2 ММ Ear99 1 5,5 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 TLV70333 ) Зaikcyrovannnый 1 Poloshitelnый 3,3 В. 3,8 В. 370 мка 55 Мка 0,22 В. ТОК 300 май 3,3 В. 3.366V 3.234V 1 На ТОКОМ 0,375 Е @ 300 Ма 68 дБ (1 кг)
TLE4274DV33 TLE4274DV33 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Automotive, AEC-Q100, Optireg ™ Пефер -40 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) ROHS COMPRINT 2008 /storage/upload/tle4274dv33.pdf TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 в дар Сообщите 40 TLE4274 Зaikcyrovannnый Poloshitelnый 30 май 220 мка 400 май 3,3 В. 1 Nandocom, wemperaturы, obraTnanaipnaipnav 1,2 Е @ 300 Ма 60 ДБ (100 ГГ)
TLE4274DV50 TLE4274DV50 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Описани Пефер -40 ° C ~ 150 ° C (TJ) /storage/upload/tle4274dv50.pdf TO-252-3, DPAK (2 LEADS + TAB), SC-63 40 PG-TO252-3-11 Зaikcyrovannnый Poloshitelnый 30 май 220 мка 400 май 5в 1 Nandocom, wemperaturы, obraTnanaipnaipnav 0,5 -50 -май 60 ДБ (100 ГГ) Infineon Technologies
TLS850F1TAV50ATMA1 TLS850F1TAV50ATMA1 Infineon Technologies
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Automotive, AEC-Q100, Optireg ™ Пефер Пефер -40 ° C ~ 150 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /storage/upload/tls850f1tav50atma1.pdf TO-263-8, D2PAK (7 голов + TAB), TO-263CA СОДЕРИТС 7 14 40 в дар 1 БЕЗОПАСНЫЙ Одинокий Nukahan 2 % Nukahan R-PSFM-T7 5в 175 м Зaikcyrovannnый 5в В дар Poloshitelnый 5в 82 Мка 5 Мка Kplючitth, grocithe, storoж 500 май 1 Nantocom, wemperaturы, корок 0,425V прри 59 ДБ (100 ГГ) СКВОХА
MIC5205-5.0YM5-TR MIC5205-5.0im5-tr ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) SMD/SMT 125 ° С -40 ° С Rohs3 /storage/upload/mic5205-5.0im5-tr.pdf 150 май SC-74A, SOT-753 2,9 мм 1,45 мм 1,6 ММ СОУДНО ПРИОН 15 НЕТ SVHC 16 2,5 В. 5 Не 16 16 Poloshitelnый MIC5205 1 % 125 ° С SOT-23-5 150 май 5в 2,5 В. 5в 5в 165 м Зaikcyrovannnый 75 ДБ 5в 1 Poloshitelnый 2,5 мая 150 мк 1 % ДАВАТ 150 май 5в 1 Nadocom, wemperaturы, obraTnainap 0,35 -пр. 150 75 ДБ (100 ГГ)
ISL80103IRAJZ-T ISL80103irajz-t Renesas Electronics America Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Rohs3 /storage/upload/isl80103irajz-t.pdf 10-vfdfn otkrыtai-anploщadka 9 nedely Ear99 6в E3 МАНЕВОВО ISL80103 10 Rerhulyruemый Poloshitelnый 12ma 5в 9ma KlючiTTH, Pietaonee хoroшego o, Mahegeй start 3A 0,8 В. 1 Nantemperouturoй, короксия 0,244V @ 3A 62 дб ~ 55 дБ (120 г -гц ~ 1 кг)
RT9078-12GJ5 RT9078-12GJ5 Richtek USA Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Rohs3 2016 /storage/upload/rt9078-12gj5.pdf SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 16 5,5 В. TSOT-23-5 Зaikcyrovannnый Poloshitelnый 4 мка ДАВАТ 300 май 1,2 В. 1 На 0,57 В @ 300 мая 75 дБ (1 кг)
ADP1720ARMZ-5-R ADP1720ARMZ-5-R Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) BCDMOS 2.115MA Rohs3 /storage/upload/adp1720armz-5-r.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3,2 мм 950 мкм 3,2 мм СОДЕРИТС 2.115MA 8 8 НЕТ SVHC 8 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) не Ear99 Не (RM-8) Лю 1 28 2.12MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 0,65 мм ADP1720 8 2 % 30 Rugie -reraytorы 50 май 5в 4 1.225V 5в 275 м Зaikcyrovannnый 70 ДБ 5в 1 25 мк Poloshitelnый 5в 80 мка 0,275 В. 2 % ДАВАТ 2% 55 май 1 На 0,48 -пррика 50
ADP121-AUJZ33R7 ADP121-AUJZ33R7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 40 мк Rohs3 /storage/upload/adp121-aujz33r7.pdf SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 2,9 мм 900 мкм 1,6 ММ СОДЕРИТС 40 мк 5 8 НЕТ SVHC 5 Проиджо (Прос -Ауднео -О. не Ear99 Лю 1 5,5 В. 40 мк E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп ADP121 5 2 % 40 Rugie -reraytorы Н.Квалиирована 150 май 3,3 В. 2,3 В. 2,2 В. 3,3 В. 120 м Зaikcyrovannnый 60 дБ 3,3 В. 1 30 мк Poloshitelnый 3,3 В. 800 м 21 мкс 0,12 В. 2 % ДАВАТ 3% 160 май 1 На nanycom, nany -myperaturoй, pod blokiroskoй onprayaжenina (uvlo) 0,135 В.При 150 Ма 60 дБ (10 кг)
ADP171AUJZ-R7 ADP171AUJZ-R7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 260 мка Rohs3 /storage/upload/adp171aujz-r7.pdf SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 2,9 мм 1 ММ 1,6 ММ 3,6 В. СОДЕРИТС 260 мка 5 8 НЕТ SVHC 3,6 В. 1,6 В. 5 Pro не Ear99 Не Лю 1 260 мка E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 ADP171 5 3 % 40 Rugie -reraytorы 125 ° С 85 ° С 300 май 3В 1,6 В. 800 м 3В 66 м Rerhulyruemый 1 23 Мка Poloshitelnый 500 м 3В 60 мка 0,066 3 % ДАВАТ 0,8 В. 400 май 1 На nanycom, nany -myperaturoй, pod blokiroskoй onprayaжenina (uvlo) 0,135 Е @ 300 Ма 73 ДБ ~ 47 ДБ (1 кг ~ 100 кг)
ADP123AUJZ-R7 ADP123AUJZ-R7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 45 Мка Rohs3 /storage/upload/adp123aujz-r7.pdf SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 2,9 мм 900 мкм 1,6 ММ СОДЕРИТС 170 мка 5 12 НЕТ SVHC 5 Проиджо (Прос -Ауднео -О. не Ear99 Оло Лю 1 5,5 В. 45 Мка E3 В дар Дон Крхлоп 260 ADP123 5 1 % 40 Rugie -reraytorы Н.Квалиирована 300 май 5в 2,3 В. 800 м 5в 85 м Rerhulyruemый 1 45 Мка Poloshitelnый 500 м 240 мка 105 Мка 0,085V 1 % 0,3% ДАВАТ 0,8 В. 350 май 1 На nanycom, nany -myperaturoй, pod blokiroskoй onprayaжenina (uvlo) 60 дБ (10 кг ~ 100 кг)
LT3042EDD#PBF LT3042EDD#PBF Lehneйnahnahnoхnologiar/analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) 0,8 мм Rohs3 2015 /storage/upload/lt3042eddpbf.pdf 10-wfdfn oTkrыTAIN-oploщadka 3 ММ 3 ММ 10 8 1 20 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон 260 0,5 мм LT3042 10 30 Rerhulyruemый Poloshitelnый 15 Псел, пейт, пейтани 200 май 0 1 Чreзmernai -yemperatura, obratnav 0,35- При 200 майп 117 ДБ ~ 56 ДБ (120 ГГ ~ 10 мгр.
LT3045IMSE#PBF LT3045IMSE#PBF Lehneйnahnahnoхnologiar/analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TJ Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 2016 /storage/upload/lt3045imsepbf.pdf 12-йама (0,118, Ирина 3,00 мм). 4039 мм 3 ММ 12 8 1 20 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 0,65 мм LT3045 12 30 Programmirueemый Poloshitelnый 25 май 15 20 мк KlючiTTH, Pietaonee хoroшego o, Mahegeй start 500 май 0 1 Nandtocom, nadodtemperaturoй, obraTnoйpolayphstheю, pod blokyrowoй napryaenina (uvlo) 0,45 Е @ 500 Ма 117 ДБ ~ 53 ДБ (120 ГГ ~ 10 мгр.
ADP7142AUJZ-R7 ADP7142AUJZ-R7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS 180 мка Rohs3 /storage/upload/adp7142aujz-r7.pdf SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 2,9 мм СОДЕРИТС 5 10 nedely 5 Pro не Ear99 ЗOLOTO 1 40 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 ADP7142 5 0,8 % 30 1 Млокс 200 май 2,7 В. 39,8 В. 200 м Rerhulyruemый 88 ДБ 140 мка Poloshitelnый 320 мка 39,58 В. ДАВАТ 1,2 В. 250 май 1 Nantemperouturoй, короксия 0,42 -псы 200 88 дб ~ 50 дБ (10 кг ~ 1 мг)
ADP7104ARDZ-5.0-R7 ADP7104ARDZ-5,0-R7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS Rohs3 /storage/upload/adp7104ardz-5.0-r7.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 3,90 мм). 3,9 мм СОДЕРИТС 900 мк 8 8 8 Pro не Ear99 Оло Лю 1 20 E3 В дар Дон Крхлоп 260 ADP7104 0,8 % 30 Н.Квалиирована 500 май 3,3 В. 1,22 5в 350 м Зaikcyrovannnый 55 ДБ 1 900 мк Poloshitelnый 5в 0,8 % Klючitth 2% 625 май 1 Nantemperouturoй, короксия 0,55 В @ 500 Ма 60 дБ ~ 50 дБ (10 кг ~ 100 кг)
LT1963AEST-1.5#TRPBF LT1963AEST-1.5#TRPBF Lehneйnahnahnoхnologiar/analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) БИПОЛНА 1MA Rohs3 /storage/upload/lt1963aest-1.5trpbf.pdf 261-4, 261AA 6,505 мм СОУДНО ПРИОН 3 8 3 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) Ear99 Тргенд 1 20 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Одинокий Крхлоп 260 LT1963 3 30 Rugie -reraytorы Н.Квалиирована 2.1 1,5 В. 340 м Зaikcyrovannnый 63db 1 Poloshitelnый 1,5 В. 120 май 1,5 мая 0,34 В. ДАВАТ 1,5а 1.6a 1 Nadocom, wemperaturы, obraTnainap 0,55 $ 1,5а 63 дБ (120 ГГ)
ADP7182AUJZ-5.0-R7 ADP7182AUJZ-5.0-R7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS -650 мка Rohs3 SOT-23-5 Thin, TSOT-23-5 2,9 мм СОДЕРИТС -650 мка 5 8 5 Pro не Ear99 Оло Лю -28V E3 Дон Крхлоп 260 ADP7182 5 1 % 30 Rugie -reraytorы Н.Квалиирована -200 Ма -25.3V -2,7 В. -2,7 В. -5V 185 м Зaikcyrovannnый 45 ДБ 1 53 Мка Ох 5в 850 мка 0,185 В. ДАВАТ 200 май 3% 230 май 1 На 0,36 Е @ 200 Ма 66 дб ~ 32 дб (10 кг ~ 1 мгр)
ADP3339AKCZ-3.3-R7 ADP3339AKCZ-3,3-R7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр AnyCap® Пефер -40 ° С ~ 150 ° С. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) БИПОЛНА 40 май Rohs3 /storage/upload/adp3339akcz-3.3-r7.pdf 261-4, 261AA 1,6 ММ 3,5 мм СОДЕРИТС 40 май 8 НЕТ SVHC 3 Проиджодво (PosteDene obnowoneee: 5 дюйм назад) не Ear99 Не Лю 1 6в E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Крхлоп 260 ADP3339 3 0,9 % 40 Rugie -reraytorы 1,5а 5в 2,8 В. 1,5 В. 3,3 В. 230 м Зaikcyrovannnый 88 ДБ 3,3 В. 1 130 мка Poloshitelnый 3,3 В. 200 мк 0,23 В. 0,9 % 6,5 мм 1 На 0,48 Е @ 1,5а
ADP1720ARMZ-5-R ADP1720ARMZ-5-R Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) BCDMOS 2.115MA Rohs3 /storage/upload/adp1720armz-5-r.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3,2 мм 950 мкм 3,2 мм СОДЕРИТС 2.115MA 8 8 НЕТ SVHC 8 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) не Ear99 Не (RM-8) Лю 1 28 2.12MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 0,65 мм ADP1720 8 2 % 30 Rugie -reraytorы 50 май 5в 4 1.225V 5в 275 м Зaikcyrovannnый 70 ДБ 5в 1 25 мк Poloshitelnый 5в 80 мка 0,275 В. 2 % ДАВАТ 2% 55 май 1 На 0,48 -пррика 50
LT1963EQ-3.3#PBF LT1963EQ-3.3#PBF Lehneйnahnahnoхnologiar/analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) БИПОЛНА 4877 ММ Rohs3 /storage/upload/lt1963eq-3.3pbf.pdf TO-263-6, D2PAK (5 LEADS + TAB), TO-263BA 8,89 мм 5 8 Ear99 not_compliant 1 20 E3 МАТОВОЙ ОЛОВА (SN) - C ANQUELEM (ni) BARHEROM В дар Одинокий Крхлоп 255 LT1963 5 40 Rugie -reraytorы Н.Квалиирована R-PSSO-G5 Зaikcyrovannnый 3,3 В. 3,8 В. 120 май 0,34 В. ДАВАТ 1,5а 3,3 В. 3,4 В. 3% 3,2 В. 20 1 Nadocom, wemperaturы, obraTnainap 0,55 $ 1,5а 63 дБ (120 ГГ)
ADM7172ACPZ-3.3-R7 ADM7172ACPZ-3,3-R7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS Rohs3 8-WFDFN PAD, CSP 3 ММ 3 ММ /storage/upload/adm7172acpz-3.3-r7.pdf 8 8 8 Проиджодво (posleDene obnowyneee: 1 ноял не 1 6,5 В. MATOWAN ONOUVA (SN) Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм ADM7172 8 30 2A 2,3 В. 3,3 В. 172 м Зaikcyrovannnый 1 700 мк Poloshitelnый 3,3 В. 8,7 Ма 2MA KlючiTath, я 7в 2.4a 1
LT1962EMS8#PBF LT1962EMS8#PBF Lehneйnahnahnoхnologiar/analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) БИПОЛНА Rohs3 2003 /storage/upload/lt1962ems8pbf.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 8 Ear99 1 20 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 0,65 мм LT1962 8 30 Rugie -reraytorы Н.Квалиирована S-PDSO-G8 Rerhulyruemый 1 Poloshitelnый 0,27 В. 1% ДАВАТ 300 май 1,22 20 1 Nadocom, wemperaturы, obraTnainap 0,43 В @ 300 мая 65 дБ (120 ГГ)
ADM7154ACPZ-3.3-R7 ADM7154ACPZ-3,3-R7 Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Веса 3 (168 чASOW) Rohs3 /storage/upload/adm7154acpz-3.3-r7.pdf 8-WFDFN PAD, CSP 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 8 НЕТ SVHC 8 Проиодшо (posledene obnowoneee: 3 мая. не Оло 1 5,5 В. E3 Дон NeT -lederStva 260 0,5 мм ADM7154 8 0,5 % Nukahan 600 май 2,3 В. 3,3 В. 120 м Зaikcyrovannnый 3,3 В. 4 май Poloshitelnый 3,3 В. 10 май 7ma ДАВАТ 700 май 1 На 0,21 В. 58 дБ (1 мгр)
LT3083MPDF#PBF LT3083MPDF#PBF Lehneйnahnahnoхnologiar/analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -55 ° C ~ 125 ° C. Трубка БИПОЛНА 350 мка 0,8 мм Rohs3 2011 год /storage/upload/lt3083mpdfpbf.pdf 12-wfdfn otkrыtai-anploщadka 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 12 8 12 Pro Ear99 1 14 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон NeT -lederStva Nukahan 0,5 мм LT3083 12 Nukahan Rugie -reraytorы Н.Квалиирована 23V 1,2 В. 0 23V 310 м Rerhulyruemый 85db 1 Poloshitelnый 1MA 50,5 мка 0,24 В. 3A 3A 1 Nantocom, wemperaturы, корок 0,42 В @ 3A 85 дб ~ 20 дБ (120 ГГ ~ 1 мг)
LT3083EQ#PBF LT3083EQ#PBF Lehneйnahnahnoхnologiar/analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер -40 ° C ~ 125 ° C. Трубка 1 (neograniчennnый) БИПОЛНА 4877 ММ Rohs3 2011 год /storage/upload/lt3083eqpbf.pdf TO-263-6, D2PAK (5 LEADS + TAB), TO-263BA 8,89 мм 5 8 Ear99 not_compliant 23V E3 МАТОВОЙ ОЛОВА (SN) - C ANQUELEM (ni) BARHEROM В дар Одинокий Крхлоп 250 LT3083 5 40 Rugie -reraytorы Н.Квалиирована R-PSSO-G5 Rerhulyruemый 1 1MA 50,5 мка 0,31 В. 3A 0 23V 1 Nantocom, wemperaturы, корок 0,51 В 3А 85 дб ~ 20 дБ (120 ГГ ~ 1 мг)
HMC1060LP3ETR HMC1060LP3ETR Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Парматр Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C. Веса 1 (neograniчennnый) Bicmos 1 ММ Rohs3 /storage/upload/hmc1060lp3etr.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 3 ММ 3 ММ СОДЕРИТС 16 8 16 Проиджодво (posleDene obnowyneee: 1 ноял не 1 5,6 В. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) 1,6 м Квадран NeT -lederStva 260 5,6 В. 0,5 мм HMC1060 16 Аналеоз 30 500 май 5,3 В. 5,2 В. 5,2 В. Rerhulyruemый 80 дБ Poloshitelnый 2,1 май ДАВАТ 100 май 50 май 300 май 500 мая 1,8 В. 4 Nadtemperourotй 80db ~ 52db (1 кг ~ 10 мг)
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)