RereStrы smeneNы (2661)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Управый	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	Колист	МАССА	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	Колист	Статус жIзnennogogo цikla	PBFREE CODE	Толсина	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	HTS -KOD	МЕСТОД УПАКОККИ	Колист	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Пефер	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Raboч -yemperatura (mamaks)	PoSta	Posta	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Колист	Подкейгория	Vodnana polarnostaph	Питания	Колист	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Смерть	ЛОГИСКИЯ ТИП ИК	Уровина Скринина	Колист	Втипа	В.	Nagruзka emcostath	Logiчeskayavy	Я	Коли	Кргителнь ТОК	На том, что	Колист	Вес	ТИП	Колист	Fmax-Min	Токпитания.	Maks i (ol)	На nanapravyenee -o	Проп. ЗAdErжKA@nom-sup	ШMITTTTTTTTTT	Я	МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
SN74HC166PWTG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT	TSSOP	5 ММ		4,4 мм	5в	СОДЕРИТС	16	61.887009mg	6в		16		в дар			Оформлена		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		Дон	Крхлоп	260	5в	0,65 мм	16	Промлэнно			2в		1	Rregystrы cmenenы	Исиннн					HC/UH	Парелхно						Или, СДВИГР	26 млн	8		ОДНОАНАПРАВЛЕННА	9		Poloshitelgnый kraй									25000000 ggц
74HC165D/S431,118	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0								В
SN74LS95BDR	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0						В	1,75 мм	В	SOIC	8,65 мм		3,9 мм			14						не			Otdelnhe чasыdpereklючenip			not_compliant	8542.39.00.01		1			В дар	Дон	Крхлоп	Nukahan	5в	1,27 ММ	14	Коммер	70 ° С	5,25 В.	4,75 В.	Nukahan		Rregystrы cmenenы	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G14	Лаурет	Парелхно -параллён		4			15pf								Negativnoe opreimaheestvo		36 мг	21ma		Верно			32 м
SN74HC166DG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT	SOIC	9,9 мм	158 ММ	3,91 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	16	139,989945 м	6в	2в	16					Оформлена		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		Дон	Крхлоп	260	5в		16	Промлэнно					1	Rregystrы cmenenы	Исиннн					HC/UH	Парелхно		8		190 млн	50pf	Или, СДВИГР	190 млн			ОДНОАНАПРАВЛЕННА	9		Poloshitelgnый kraй									25000000 ggц
SN74LS95BD	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0						В	1,75 мм	В	SOIC	8,65 мм		3,9 мм			14						не			Otdelnhe чasыdpereklючenip			not_compliant	8542.39.00.01		1			В дар	Дон	Крхлоп	Nukahan	5в	1,27 ММ	14	Коммер	70 ° С	5,25 В.	4,75 В.	Nukahan		Rregystrы cmenenы	Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-PDSO-G14	Лаурет	Парелхно -параллён		4			15pf								Negativnoe opreimaheestvo		36 мг	21ma		Верно			32 м
74HC165D/S430,118	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0								В
SN74LV595APWRE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Лю	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT	TSSOP	5 ММ		4,4 мм		СОДЕРИТС	16	61.887009mg	5,5 В.	2в	16		в дар			Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		Дон	Крхлоп	260	2,5 В.	0,65 мм	16	Промлэнно							Исиннн	3,3 В.				LV/LV-A/LVX/H.	Сэриал парылхно		8		25,5 млн		СДВИГР	10,2 млн			ОДНОАНАПРАВЛЕННА	1	3-шТат	Poloshitelgnый kraй	9	45 мг							50000000 ГГ
74F673ASPC	Fairchild (napoluprovodonke)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Чereз dыru	МАССА		70 ° С	0 ° С	В	5,08 мм	ROHS COMPRINT	PDIP			7,62 мм		СОУДНО ПРИОН	24		5,5 В.		24					Парллэнг						1	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Дон		Nukahan	5в	2,54 мм	24	Коммер			4,5 В.	Nukahan	1		Исиннн	5в		Н.Квалиирована		F/bыstro	Сэриал парылхно		16			50pf	СДВИГР	13,5 млн						Negativnoe opreimaheestvo	3	85 мг			Верно				8500000000 gц
74HC165D/S206,118	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0								В
SN74HC165DTE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT	SOIC				5в	СОДЕРИТС	16	139,989945 м	6в	2в	16		в дар			Оформлена		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		Дон	Крхлоп	260	5в		16	Промлэнно					1	Rregystrы cmenenы	Додер					HC/UH	Парелхно		8		190 млн		Или, СДВИГР	26 млн			ОДНОАНАПРАВЛЕННА	9		Poloshitelgnый kraй
CD74HC165ME4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka	1	125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT	SOIC	9,9 мм	1,75 мм	3,91 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	16	141.690917mg	6в	2в	16	Активна (Постенни в	в дар	158 ММ		Оформлена	ЗOLOTO					1	E4			Дон	Крхлоп	260	4,5 В.		16	ВОЗДЕЛАН				Nukahan	1		Додер			Н.Квалиирована		HC/UH	Парелхно		8		265 м	50pf	Или, СДВИГР	28 млн		8 мка	ОДНОАНАПРАВЛЕННА	9		Poloshitelgnый kraй		24 млн		0,0052 а		32 м	Не		20000000 gц
SN74LS195AJ	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0						В	5,08 мм	В	Постепок	19,56 мм		7,62 мм		СОДЕРИТС	16						не			OpolniTeLnый seriйnый -strig prawwwый vыхod; J и K (бар) Серригн ВВОД			not_compliant	8542.39.00.01		1			Не	Дон	СКВОХА	Nukahan	5в	2,54 мм	16	Коммер	70 ° С	5,25 В.	4,75 В.	Nukahan			Исиннн	5в		Н.Квалиирована	R-GDIP-T16	Лаурет	Парелхно -параллён		4			15pf	СДВИГР							Poloshitelgnый kraй		30 мг	21ma		Верно			26 млн	30000000 ГГ
74VHC299FW	Torex Semiconductor Ltd	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер			85 ° С	-40 ° С	CMOS	2,7 ММ	В	SOIC			7,5 мм			20						не			NeDoStUpno -v.						1				Дон	Крхлоп	Nukahan	3,3 В.		20	Промлэнно		5,5 В.	2в	Nukahan	1		Исиннн	2/5,5.		Н.Квалиирована	R-PDSO-G20	AHC/VHC	Парелхно -параллён					50pf	СДВИГР		8				3-шТат	Poloshitelgnый kraй					Дюнапразлнн			23,3 млн	50000000 ГГ
SN54LS165AJ	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Чereз dыru			125 ° С	-55 ° С	В		ROHS COMPRINT	Постепок	19,56 мм	5,08 мм	6,92 мм	5в	СОДЕРИТС	16		5,5 В.	4,5 В.	16	Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря		4,57 мм	Ear99	Оформлена	Свине, олово	Не			Трубка	1				Дон			5в	2,54 мм	16	ВОЗДЕЛАН					1		Додер	5в				Лаурет	Парелхно		8	В	35 м		СДВИГР	35 м			ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй		25 мг	30 май			25 млн	Не		25000000 ggц
JM38510/30608B2A	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	В		В		8,89 мм	2,03 мм	8,89 мм	5в	СОДЕРИТС	20		5,5 В.	4,5 В.	20	Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря		1,83 мм		Оформлена		Не				1				Квадран			5в		20	ВОЗДЕЛАН					1		Додер					Лаурет	Парелхно		8	В	35 м		СДВИГР	35 м			ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй		25 мг	30 май			25 млн	Не		25000000 ggц
SNJ54HC165FK	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер			125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT		8,89 мм	2,03 мм	8,89 мм	5в	СОДЕРИТС	20		6в	2в	20	Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря		1,83 мм	Ear99	Оформлена		Не			Трубка	1				Квадран			5в		20	ВОЗДЕЛАН					1		Додер					HC/UH	Парелхно		8		225 м	50pf	СДВИГР	225 м			ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй		25 мг		0,0052 а			Не
SNJ54HC195J	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Чereз dыru	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	CMOS		В	Постепок	19,56 мм	5,08 мм	6,92 мм	5в	СОДЕРИТС	16		6в	2в	16	Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря		4,57 мм	Ear99	OpolniTeLnый seriйnый -strig prawwwый vыхod; J и Kbar Serial Point			not_compliant			1				Дон		Nukahan	5в		16	ВОЗДЕЛАН				Nukahan	1		Исиннн			Н.Квалиирована		HC/UH	Парелхно -параллён	MIL-PRF-38535	4			50pf	СДВИГР	225 м			ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй		25 мг
74F673ASC	Fairchild (napoluprovodonke)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	МАССА	1	70 ° С	0 ° С	В	2,65 мм	ROHS COMPRINT	SOIC			7,5 мм		СОДЕРИТС	24		5,5 В.		24					Парллэнг						1	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Дон	Крхлоп	260	5в		24	Коммер			4,5 В.	Nukahan	1		Исиннн	5в		Н.Квалиирована		F/bыstro	Сэриал парылхно		16			50pf	СДВИГР	13,5 млн						Negativnoe opreimaheestvo	3	85 мг			Верно				8500000000 gц
CD54HC194F3A	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Чereз dыru	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT	Постепок	19,56 мм	5,08 мм	6,92 мм		СОДЕРИТС	16		6в	2в	16	Активна (Постенни в		4,57 мм		Яршиват	Свине, олово					1				Дон		Nukahan	4,5 В.		16	ВОЗДЕЛАН				Nukahan	1		Исиннн			Н.Квалиирована		HC/UH	Парелхно -параллён		4		265 м	50pf	СДВИГР	265 м		8 мка	Дюнапразлнн			Poloshitelgnый kraй		23 мг	0,08 Ма	0,0052 а		37 м	Не		20000000 gц
SNJ54LS164W	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	В		ROHS COMPRINT		9,21 мм	2,03 мм	5,97 мм	5в	СОДЕРИТС	14		5,5 В.	4,5 В.	14	Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря		159 мм	Ear99	Зakrыtыe geriйne whodы (a b)		Не				1				Дон	Плоски		5в		14	ВОЗДЕЛАН					1		Исиннн	5в				Лаурет	Сэриал парылхно		8	В			СДВИГР	36 млн			ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй		25 мг	27 млн			32 м	Не		25000000 ggц
SNJ54LS164J	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Чereз dыru	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	В		ROHS COMPRINT	Постепок	19,56 мм	5,08 мм	6,67 мм	5в	СОДЕРИТС	14		5,5 В.	4,5 В.	14	Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря		4,57 мм	Ear99	Зakrыtыe geriйne whodы (a b)		Не				1				Дон			5в	2,54 мм	14	ВОЗДЕЛАН					1		Исиннн	5в				Лаурет	Сэриал парылхно		8	В	36 млн		СДВИГР	36 млн			ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй		25 мг	27 млн			32 м	Не		25000000 ggц
8001701ea	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Чereз dыru	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	В		ROHS COMPRINT	Постепок	19,56 мм	5,08 мм	6,92 мм	5в	СОДЕРИТС	16		5,5 В.	4,5 В.	16	Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря		4,57 мм		Чasы yangirowют	Свине, олово					1				Дон		Nukahan	5в	2,54 мм	16	ВОЗДЕЛАН				Nukahan	1		Исиннн	5в		Квалигированан		Лаурет	Парелхно		8	В			СДВИГР	30 млн			ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй		25 мг	32 май			25 млн	Не		25000000 ggц
SNJ54S194W	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	В		ROHS COMPRINT		10,3 мм	2,03 мм	6,73 мм	5в	СОДЕРИТС	16		5,5 В.	4,5 В.	16	Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря		1,65 мм	Ear99	Яршиват						1				Дон	Плоски	Nukahan	5в		16	ВОЗДЕЛАН				Nukahan	1		Исиннн	5в		Н.Квалиирована		Ст	Парелхно -параллён	MIL-PRF-38535	4	В			СДВИГР	18,5 млн			Дюнапразлнн		3-шТат	Poloshitelgnый kraй		70 мг		0,02 а			Не		70000000 ГГ
74HC594D (BJ)	Torex Semiconductor Ltd	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0								В
V62/04696-01XE	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT	TSSOP	5 ММ	1,2 ММ	4,4 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	16	61.887009mg	5,5 В.	2в	16	Активна (Постенни в	в дар	1 ММ		Оформлена					Тргенд	1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		Дон	Крхлоп	260	2,5 В.		16	Промлэнно				Nukahan	1		Исиннн	3,3 В.		Н.Квалиирована		LV/LV-A/LVX/H.	Сэриал парылхно		8		25,5 млн	50pf	СДВИГР	10,2 млн			ОДНОАНАПРАВЛЕННА		3-шТат	Poloshitelgnый kraй	9		0,02 мая	0,05 а			Не		40000000 ГГ
SN54LS164J	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Чereз dыru	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	В		ROHS COMPRINT	Постепок	19,56 мм	5,08 мм	6,67 мм	5в	СОДЕРИТС	14		5,5 В.	4,5 В.	14	Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря		4,57 мм	Ear99	Зakrыtыe geriйne whodы (a b)		Не				1				Дон			5в	2,54 мм	14	ВОЗДЕЛАН					1		Исиннн	5в				Лаурет	Сэриал парылхно		8	В	36 млн		СДВИГР	36 млн			ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй		25 мг	27 млн			32 м	Не		25000000 ggц
5962-88602013A	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер			125 ° С	-55 ° С	В		ROHS COMPRINT		11,43 мм	2,03 мм	11,43 мм	5в	СОДЕРИТС	28		5,5 В.	4,5 В.	28	Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря		1,83 мм				Не			Трубка	1				Квадран			5в		28	ВОЗДЕЛАН					1		Исиннн			Квалигированан		Лаурет	Сэриал парылхно	MIL-STD-883	16	В	45 м	45pf	СДВИГР	45 м			ОДНОАНАПРАВЛЕННА		3-шТат	Negativnoe opreimaheestvo		20 мг	80 май	0,024 а		40 млн	Не		20000000 gц
SN74AHC594NSRE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	125 ° С	-40 ° С	CMOS	2 ММ	ROHS COMPRINT	Соп			5,3 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	16	200.686274mg	5,5 В.	2в	16					Парелхл ДОСТУПАНС						1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		16	Автомобиль				Nukahan	1		Исиннн			Н.Квалиирована		AHC/VHC/H/U/V.	Сэриал парылхно		8		14,4 млн		СДВИГР	9,2 млн			ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй	9
M38510/30605SDA	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер			125 ° С	-55 ° С	В		ROHS COMPRINT		9,21 мм	2,03 мм	5,97 мм	5в	СОДЕРИТС	14		5,5 В.	4,5 В.	14	Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад)		159 мм							Трубка	1				Дон	Плоски	Nukahan	5в		14	ВОЗДЕЛАН				Nukahan	1		Исиннн	5в		Квалигированан		Лаурет	Сэриал парылхно		8	В		50pf	СДВИГР	36 млн			ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй		20 мг	27 млн			32 м	Не		20000000 gц
CD4031BPWE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka	1	125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT	TSSOP	5 ММ			15	СОДЕРИТС	16	61.887009mg	18В	3В	16		в дар			Я		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		Дон	Крхлоп	260	5в	0,65 мм	16	ВОЗДЕЛАН						Rregystrы cmenenы	Додер		1				Сэриал		64		500 млн		D-Tip, rerepr smenы	180 млн	4		ОДНОАНАПРАВЛЕННА	2		Poloshitelgnый kraй	3	6 мг

RereStrы smeneNы (2661)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии