Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодел ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Ведота Сидрит (МАКС) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна - МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD МЕСТОД УПАКОККИ Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК Колист Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Колист Коли Вес Веса Кргителнь ТОК На том, что Колист Колист Вес ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. Maks i (ol) На nanapravyenee -o Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT ТИП Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
8302102SA 8302102SA Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С В В 13,09 мм 2,45 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 20 5,5 В. 4,5 В. 20 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) 1,84 мм Обобалавив/Вес; Зakrыtый -od - Свине, олово not_compliant 1 Дон Плоски Nukahan 20 ВОЗДЕЛАН Nukahan 1 Исиннн Квалигированан Ас Парелхно -параллён 8 В 50pf СДВИГР 38 м Дюнапразлнн 3-шТат Poloshitelgnый kraй 40 май 0,024 а Не
CD74HC195PWRE4 CD74HC195PWRE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ СОДЕРИТС 16 61.887009mg 16 в дар OpolniTeLnый seriйnый -strig prawwwый vыхod; J и Kbar Serial Point Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Парелхно -параллён 265 м СДВИГР 30 млн 4 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 6 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
SN74HC165PWG4 SN74HC165PWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 1,15 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 61.887009mg 16 Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 Автомобиль 1 Rregystrы cmenenы Додер HC/UH Парелхно 8 190 млн Или, СДВИГР 190 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй
CD74HC166MTG4 CD74HC166MTG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС 16 141.690917mg 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Rregystrы cmenenы Исиннн HC/UH Парелхно 8 240 м Или, СДВИГР 27 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
SN74AHC594NE4 SN74AHC594NE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT PDIP 7,62 мм СОУДНО ПРИОН 16 951.693491mg 5,5 В. 16 в дар Парелхл ДОСТУПАНС 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Nukahan 3,3 В. 2,54 мм 16 Автомобиль Nukahan 1 Исиннн 2/6. Н.Квалиирована AHC/VHC/H/U/V. Сэриал парылхно 8 14,4 млн СДВИГР 9,2 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 9
CD74HC166M96G4 CD74HC166M96G4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 9,9 мм 158 ММ 3,91 мм СОДЕРИТС 16 141.690917mg 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Rregystrы cmenenы Исиннн HC/UH Парелхно 8 240 м Или, СДВИГР 27 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
SN74LV8153PWRE4 SN74LV8153PWRE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 6,5 мм 4,4 мм СОДЕРИТС 20 76.997305mg 20 в дар Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 20 Промлэнно 1 Исиннн LV/LV-A/LVX/H. Сэриал парылхно СДВИГР 9 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй Верно
CD74HC194PWTG4 CD74HC194PWTG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ СОДЕРИТС 16 61.887009mg 16 в дар Яршиват Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Парелхно -параллён 265 м СДВИГР 30 млн 4 Дюнапразлнн 6 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
CD54HCT166F3A CD54HCT166F3A Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT Постепок 19,56 мм 5,08 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 16 5,5 В. 4,5 В. 16 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря 4,57 мм Ear99 Оформлена Свине, олово Не 1 Дон 2,54 мм 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн Hct Парелхно 8 50pf СДВИГР 60 млн 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 0,004 а 50 млн Не
CD74HC194PWRG4 CD74HC194PWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ СОДЕРИТС 16 61.887009mg 16 в дар Яршиват Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Парелхно -параллён 265 м СДВИГР 30 млн 4 Дюнапразлнн 6 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
CD74HC194MG4 CD74HC194MG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 9,9 мм 158 ММ 3,91 мм СОДЕРИТС 16 141.690917mg 16 в дар Яршиват Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Парелхно -параллён 265 м СДВИГР 30 млн 4 Дюнапразлнн 6 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
CD74HC194MTG4 CD74HC194MTG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 9,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 16 141.690917mg 16 в дар Яршиват Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Парелхно -параллён 265 м СДВИГР 30 млн 4 Дюнапразлнн 6 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
CD74HC194M96G4 CD74HC194M96G4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 9,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 16 141.690917mg 16 в дар Яршиват Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Парелхно -параллён 265 м СДВИГР 30 млн 4 Дюнапразлнн 6 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
SN74LS96N SN74LS96N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 5,08 мм В PDIP 19.305 ММ 7,62 мм СОДЕРИТС 16 не ЯССНО, АКОТОРНА not_compliant 8542.39.00.01 1 Не Дон СКВОХА Nukahan 2,54 мм 16 Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Исиннн Н.Квалиирована Лаурет Парелхно -параллён 5 15pf СДВИГР Poloshitelgnый kraй 25 мг 20 май Верно 40 млн 10000000 ГГ
5962-8943601MRA 5962-8943601MRA Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT Постепок 24,2 ММ 5,08 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 20 5,5 В. 4,5 В. 20 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) 4,57 мм Обобалавив/Вес; Я Не Трубка 1 Дон 2,54 мм 20 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн Квалигированан Hct Парелхно -параллён 8 69 м 50pf СДВИГР 69 м 8 мка Дюнапразлнн 3-шТат Poloshitelgnый kraй 0,004 а 56 м Не
SN74LS673NE4 SN74LS673NE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 70 ° С 0 ° С В 5,08 мм ROHS COMPRINT PDIP СОДЕРИТС 24 3.740011g 5,25 В. 4,75 В. 24 в дар Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 2,54 мм 24 Коммер 1 Исиннн Лаурет Сэриал парылхно 16 45 м 45pf СДВИГР 40 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Negativnoe opreimaheestvo 17 20 мг 80 май
CD74HC194PWG4 CD74HC194PWG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 1,15 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 61.887009mg 16 Яршиват ЗOLOTO Не 1 E4 Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Парелхно -параллён 265 м СДВИГР 30 млн 4 8 мка Дюнапразлнн 6 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
SN74LS166ADE4 SN74LS166ADE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С В ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС 16 139,989945 м 5,25 В. 4,75 В. 16 в дар Чasы yangirowют Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 Коммер 1 Rregystrы cmenenы Исиннн Лаурет Парелхно 8 30 млн Или, СДВИГР 25 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 25 мг 32 май 25000000 ggц
M38510/30609B2A M38510/30609B2A Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С В В 8,89 мм 2,03 мм 8,89 мм СОДЕРИТС 20 5,5 В. 4,5 В. 20 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) 1,83 мм not_compliant 1 Квадран NeT -lederStva Nukahan 20 ВОЗДЕЛАН Nukahan 1 Исиннн Квалигированан Лаурет Парелхно 8 В СДВИГР 30 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 32 май 25 млн Не
SN74LV164ADRE4 SN74LV164ADRE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 3,9 мм СОДЕРИТС 14 130.010913mg 5,5 В. 14 в дар Ихпра Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 2,5 В. 14 Промлэнно 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Сэриал парылхно 24 млн СДВИГР 11 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 3-шТат Poloshitelgnый kraй 4500000000 gц
SN74HC165PWRE4 SN74HC165PWRE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 59,987591 м 16 Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 16 Автомобиль 1 Rregystrы cmenenы Додер HC/UH Парелхно 8 190 млн Или, СДВИГР 26 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 25000000 ggц
SN74LS91N SN74LS91N Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 5,08 мм В PDIP 19.305 ММ 7,62 мм СОДЕРИТС 14 не not_compliant 8542.39.00.01 1 Не Дон СКВОХА Nukahan 2,54 мм Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Додер Н.Квалиирована Лаурет Сэриал 8 15pf СДВИГР Poloshitelgnый kraй 10 мг 20 май Верно 40 млн 10000000 ГГ
SN74AHC595PWE4 SN74AHC595PWE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 4,4 мм СОДЕРИТС 16 59,987591 м 5,5 В. 16 в дар Парелхл ДОСТУПАНС Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 16 Промлэнно 1 Исиннн AHC/VHC/H/U/V. Сэриал парылхно СДВИГР 10,2 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9
CD74AC164ME4 CD74AC164ME4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 8,65 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 14 129 387224 м 5,5 В. 1,5 В. 14 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 158 ММ ЗOLOTO 1 E4 Дон Крхлоп 260 14 ВОЗДЕЛАН Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована Атмосфер Сэриал парылхно 174 м 50pf СДВИГР 12,5 млн 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй 75 мг Не 54000000 ggц
HEF4015BT/S57,118 HEF4015BT/S57,118 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В
V62/04690-01XE V62/04690-01XE Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 9,9 мм 1,75 мм 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 141.690917mg 16 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар 158 ММ Оформлена Тргенд 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 Промлэнно Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована HC/UH Парелхно 8 190 млн 50pf СДВИГР 26 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 0,004 а 30 млн Не 25000000 ggц
SN74HC166DE4 SN74HC166DE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС 16 139,989945 м 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 Промлэнно 1 Rregystrы cmenenы Исиннн HC/UH Парелхно 8 190 млн 50pf Или, СДВИГР 26 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 25000000 ggц
SN74HC595NG4 SN74HC595NG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT 16
SY100E143JZTR SY100E143JZTR Микл
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 85 ° С 0 ° С 900 мг ROHS COMPRINT PLCC -5,5 В. -4,2V 28 Nerting 1 9 СДВИГР 1 млн 9 9 9 Poloshitelgnый kraй
74FCT163374APAG 74FCT163374APAG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-74fct163374Apag-datasheets-3683.pdf TSSOP 12,5 мм 6,1 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 48 7 3,6 В. 2,7 В. 48 в дар 1 ММ 2 Ear99 M -o/p sckew = 0,5ns; ТИП ВОЛП = 0,3 В Оло Не 2 E3 Nerting Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно 30 2 Ff/зaщelki Фт Восточный 16 6,5 млн 50pf D-Thep 6,5 млн 8 -8ma 24ma 100NA 3-шТат Poloshitelgnый kraй

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.