RereStrы smeneNы (2661)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	Управый	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	Колист	Верна -	МАССА	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	Колист	Статус жIзnennogogo цikla	PBFREE CODE	Толсина	Колист	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Конец	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	HTS -KOD	МЕСТОД УПАКОККИ	Колист	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Полаяня	Пефер	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Raboч -yemperatura (mamaks)	Raboч -ytemperatura (мин)	PoSta	Posta	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Колист	Подкейгория	Vodnana polarnostaph	Питания	Колист	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Смерть	ЛОГИСКИЯ ТИП ИК	Колист	Втипа	В.	Nagruзka emcostath	Logiчeskayavy	Я	Коли	Вес	ВЫДЕС	Кргителнь ТОК	На том, что	Колист	Вес	ТИП	Колист	Fmax-Min	Токпитания.	Maks i (ol)	На nanapravyenee -o	Проп. ЗAdErжKA@nom-sup	ШMITTTTTTTTTT	ТИП	Я	МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
CD74HC195MG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			SOIC	9,9 мм	158 ММ	3,91 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	16		141.690917mg	6в	2в	16						OpolniTeLnый seriйnый -strig prawwwый vыхod; J и Kbar Serial Point	ЗOLOTO	Не				1	E4				Дон	Крхлоп	260	4,5 В.		16	ВОЗДЕЛАН						1		Исиннн					HC/UH	Парелхно -параллён			265 м		СДВИГР	30 млн	4			8 мка	ОДНОАНАПРАВЛЕННА	6		Poloshitelgnый kraй		23 мг								20000000 gц
CD74HC195PWTG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			TSSOP	5 ММ			5в	СОДЕРИТС	16		61.887009mg	6в	2в	16		в дар				OpolniTeLnый seriйnый -strig prawwwый vыхod; J и Kbar Serial Point		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	4,5 В.		16	ВОЗДЕЛАН						1		Исиннн					HC/UH	Парелхно -параллён			265 м		СДВИГР	30 млн	4				ОДНОАНАПРАВЛЕННА	6		Poloshitelgnый kraй		23 мг								20000000 gц
SN74HC166PWTE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			TSSOP	5 ММ		4,4 мм	5в	СОДЕРИТС	16		59,987591 м	6в	2в	16		в дар				Оформлена		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	5в	0,65 мм	16	Промлэнно						1	Rregystrы cmenenы	Исиннн					HC/UH	Парелхно					Или, СДВИГР	26 млн	8				ОДНОАНАПРАВЛЕННА	9		Poloshitelgnый kraй										25000000 ggц
CD74HC195NSRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю	1	125 ° С	-55 ° С	CMOS	2 ММ	ROHS COMPRINT			Соп			5,3 мм	5в	СОДЕРИТС	16		200.686274mg	6в	2в	16		в дар				OpolniTeLnый seriйnый -strig prawwwый vыхod; J и Kbar Serial Point		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	4,5 В.		16	ВОЗДЕЛАН						1		Исиннн					HC/UH	Парелхно -параллён			265 м		СДВИГР	30 млн	4				ОДНОАНАПРАВЛЕННА	6		Poloshitelgnый kraй		23 мг								20000000 gц
74AHC594BQ-Q100,115	Nexperia	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер			125 ° С	-40 ° С			ROHS COMPRINT							5в					5,5 В.	2в	16							ЗOLOTO	Не																																		СДВИГР						ОДНОАНАПРАВЛЕННА
CD74HC195PWRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			TSSOP	5 ММ			5в	СОДЕРИТС	16		61.887009mg	6в	2в	16		в дар				OpolniTeLnый seriйnый -strig prawwwый vыхod; J и Kbar Serial Point		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	4,5 В.		16	ВОЗДЕЛАН						1		Исиннн					HC/UH	Парелхно -параллён			265 м		СДВИГР	30 млн	4				ОДНОАНАПРАВЛЕННА	6		Poloshitelgnый kraй		23 мг								20000000 gц
SN74AHC594DRE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			SOIC				5в	СОДЕРИТС	16		139,989945 м	5,5 В.	2в	16		в дар				Парелхл ДОСТУПАНС		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		16	Промлэнно						1		Исиннн					AHC/VHC/H/U/V.	Сэриал парылхно					СДВИГР	9,2 млн	8				ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй	9
CD74HC299M96G4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			SOIC	12,8 мм	2,35 мм	7,52 ММ	5в	СОДЕРИТС	20		500.709277mg	6в	2в	20		не				Обобалавив/Вес; Я		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	4,5 В.		20	ВОЗДЕЛАН								Исиннн		1			HC/UH	Парелхно -параллён	8		300 млн		СДВИГР	34 м		7,8 мая	7,8 мая		Дюнапразлнн	10	3-шТат	Poloshitelgnый kraй		23 мг								23000000 gц
SN74F299DWRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю	1	70 ° С	0 ° С	В	2,65 мм	ROHS COMPRINT			SOIC			7,5 мм	5в	СОДЕРИТС	20		500.000539mg	5,5 В.	4,5 В.	20		в дар				Rershym yudrжania; Обобалавив/Вес; Totempole oposledowelnыйs -sdvig -vprawo yscdig levы whodы; Я		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	5в		20	Коммер								Исиннн	5в	1			F/bыstro	Парелхно -параллён	8		15 млн	50pf	СДВИГР	11 млн					Дюнапразлнн	10	3-шТат	Poloshitelgnый kraй		70 мг	95 май							70000000 ГГ
CD74HC299MG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			SOIC	12,8 мм	2,35 мм	7,52 ММ	5в	СОУДНО ПРИОН	20		500.709277mg	6в	2в	20						Обобалавив/Вес; Я	ЗOLOTO	Не				1	E4				Дон	Крхлоп	260	4,5 В.		20	ВОЗДЕЛАН								Исиннн		1			HC/UH	Парелхно -параллён	8		300 млн		СДВИГР	34 м		7,8 мая	7,8 мая	8 мка	Дюнапразлнн	10	3-шТат	Poloshitelgnый kraй		23 мг								23000000 gц
SN74HC594NE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Чereз dыru			125 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			PDIP			7,62 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	16		951.693491MG	6в	2в	16		в дар						Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон			5в	2,54 мм	16	Автомобиль						1		Исиннн					HC/UH	Сэриал парылхно					СДВИГР	25 млн	8				ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй	9	24 млн								20000000 gц
SN74F299DWG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka	1	70 ° С	0 ° С	В	2,65 мм	ROHS COMPRINT			SOIC			7,5 мм	5в	СОДЕРИТС	20		500.000539mg	5,5 В.	4,5 В.	20		в дар				Rershym yudrжania; Обобалавив/Вес; Totempole oposledowelnыйs -sdvig -vprawo yscdig levы whodы; Я		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	5в		20	Коммер								Исиннн	5в	1			F/bыstro	Парелхно -параллён	8		15 млн	50pf	СДВИГР	11 млн					Дюнапразлнн	10	3-шТат	Poloshitelgnый kraй		70 мг	95 май							70000000 ГГ
74FCT163374CPAG8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT	2002	/files/integrateddevicetechnology-74fct163374cpag8-datasheets-8663.pdf	TSSOP	12,5 мм		6,1 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	48	7		3,6 В.	2,7 В.	48		в дар	1 ММ	2	Ear99	M -o/p sckew = 0,5ns; ТИП ВОЛП = 0,3 В	Оло				Лю	2	E3		Nerting		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,5 мм	48	Промлэнно					30	2	Ff/зaщelki				Н.Квалиирована		Фт	Восточный	16			50pf	D-Thep	5,5 млн	8	-8ma	24ma	100NA			3-шТат									Poloshitelgnый kraй
JM38510/30601B2A	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	В		В				8,89 мм	2,03 мм	8,89 мм	5в	СОДЕРИТС	20			5,5 В.	4,5 В.	20	Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad)		1,83 мм			Rershym yudrжania; NeShenee чaSы -c -upravoleyememememememememomomommom и иисполь			not_compliant			1					Квадран	NeT -lederStva	Nukahan	5в		20	ВОЗДЕЛАН					Nukahan	1		Исиннн			Н.Квалиирована		Лаурет	Парелхно -параллён	4	В			СДВИГР	30 млн					Дюнапразлнн			Poloshitelgnый kraй		25 мг	23ma	0,008 а		26 млн	Не			25000000 ggц
SN74166N3	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0							В	5,08 мм	ROHS COMPRINT			PDIP	19.305 ММ		7,62 мм		СОДЕРИТС	16							не				Чasы yangirowют				8542.39.00.01		1				Не	Дон	СКВОХА	Nukahan	5в	2,54 мм	16	Коммер	70 ° С		5,25 В.	4,75 В.	Nukahan			Исиннн	5в		Н.Квалиирована		TTL/H/L.	Парелхно	8			15pf	СДВИГР									Poloshitelgnый kraй		25 мг	127 май		Верно				30 млн
SN74164N	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Чereз dыru			70 ° С	0 ° С	В	5,08 мм	В			PDIP	19.305 ММ		7,62 мм	5в	СОДЕРИТС	14			5,25 В.	4,75 В.	14		не				Зakrыtыe geriйne whodы (a b)			not_compliant			1					Дон		Nukahan	5в	2,54 мм	14	Коммер					Nukahan			Исиннн	5в		Н.Квалиирована		TTL/H/L.	Сэриал парылхно	8			15pf	СДВИГР									Poloshitelgnый kraй		25 мг	54 май		Верно				37 м	25000000 ggц
HEF4014BT	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				1			CMOS	1,75 мм	ROHS COMPRINT			ТАК	9,9 мм		3,9 мм			16					16		в дар								8542.39.00.01		1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		В дар	Дон	Крхлоп	260	5в	1,27 ММ	16	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	15	3В	30		Rregystrы cmenenы	Исиннн	5/15 В.		Н.Квалиирована		4000/14000/40000	Парелхно	8			50pf										Poloshitelgnый kraй		6 мг			Верно				260 м	6000000 ГГ
SN74LS165ADRE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	70 ° С	0 ° С	В		ROHS COMPRINT			SOIC				5в	СОДЕРИТС	16		139,989945 м	5,25 В.	4,75 В.	16		в дар				Оформлена		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	5в		16	Коммер						1	Rregystrы cmenenы	Додер	5в				Лаурет	Парелхно	8		35 м		Или, СДВИГР	25 млн					ОДНОАНАПРАВЛЕННА	9		Poloshitelgnый kraй		25 мг	30 май							25000000 ggц
SN74ALS164ANSRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	70 ° С	0 ° С	В		ROHS COMPRINT			SOIC			5,3 мм		СОДЕРИТС	14		208.312296mg	5,5 В.		14		в дар				Ихпра		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	5в		14	Коммер				4,5 В.				Исиннн	5в	1			Ас	Сэриал парылхно	8				СДВИГР	11 млн					ОДНОАНАПРАВЛЕННА	2		Poloshitelgnый kraй	8	75 мг								50000000 ГГ
SNJ54LS166AW	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka		125 ° С	-55 ° С	В		ROHS COMPRINT				10,3 мм	2,03 мм	6,73 мм	5в	СОДЕРИТС	16			5,5 В.	4,5 В.	16	Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad)		1,65 мм		Ear99	Чasы yangirowют						1					Дон	Плоски	Nukahan	5в		16	ВОЗДЕЛАН					Nukahan	1		Исиннн	5в		Н.Квалиирована		Лаурет	Парелхно	8	В			СДВИГР	30 млн					ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй		25 мг	32 май			25 млн	Не			25000000 ggц
SN74ALS164ADRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	70 ° С	0 ° С	В		ROHS COMPRINT			SOIC			3,9 мм	5в	СОДЕРИТС	14		130.010913mg	5,5 В.	4,5 В.	14		в дар				Ихпра		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	5в		14	Коммер						1		Исиннн	5в				Ас	Сэриал парылхно			20 млн	50pf	СДВИГР	11 млн	8				ОДНОАНАПРАВЛЕННА	2		Poloshitelgnый kraй		50 мг								50000000 ГГ
SN74ALS164ADG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	70 ° С	0 ° С	В		ROHS COMPRINT			SOIC	8,65 мм	158 ММ	3,91 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	14		129 387224 м	5,5 В.	4,5 В.	14						Ихпра						1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	5в		14	Коммер					Nukahan	1		Исиннн	5в		Н.Квалиирована		Ас	Сэриал парылхно			20 млн	50pf	СДВИГР	11 млн	8				ОДНОАНАПРАВЛЕННА	2		Poloshitelgnый kraй		50 мг								50000000 ГГ
Sn74ahct594ne4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Чereз dыru			85 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			PDIP			7,62 мм	5в	СОДЕРИТС	16		959,999902 м	5,5 В.	4,5 В.	16		в дар				Парллэнг		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон			5в	2,54 мм	16	Промлэнно						1		Исиннн	5в				AHCT/VHCT/VT	Сэриал парылхно	8		10,7 млн		СДВИГР	9,2 млн					ОДНОАНАПРАВЛЕННА			Poloshitelgnый kraй	9
NTE4015B	NTE Electronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0									ROHS COMPRINT				152,4 мм	6,35 мм	76,2 мм					453 59237 м																																								Сэриал парылхно
SN74HC595NS	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				1			CMOS	2 ММ	ROHS COMPRINT				10,2 ММ		5,3 мм		СОУДНО ПРИОН	16							в дар			Ear99	Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod				8542.39.00.01	Тргенд	1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		В дар	Дон	Крхлоп	260	5в	1,27 ММ	16	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	6в	2в	Nukahan		Rregystrы cmenenы	Исиннн	2/6.		Н.Квалиирована	R-PDSO-G16	HC/UH	Сэриал парылхно	8			150pf									3-шТат	Poloshitelgnый kraй		29 мг	0,08 Ма	0,0078 а	Верно	34 м	Не		250 млн	25000000 ggц
CD4035BMTE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			SOIC	9,9 мм		3,9 мм	15	СОДЕРИТС	16		141.690917mg	18В	3В	16		в дар				Сержан		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	5в		16	ВОЗДЕЛАН						1	Rregystrы cmenenы	Надо						Парелхно -параллён			500 млн		Или, СДВИГР	150 млн	4				ОДНОАНАПРАВЛЕННА	6		Poloshitelgnый kraй		8 мг								2000000 ГГ
74act11194n	Rochester Electronics	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0									В			PDIP					СОДЕРИТС																																																СДВИГР
SN74HC595AN	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0									ROHS COMPRINT
CD4035BME4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	125 ° С	-55 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			SOIC	9,9 мм		3,9 мм	15	СОДЕРИТС	16		141.690917mg	18В	3В	16		в дар				Сержан		Не				1	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	5в		16	ВОЗДЕЛАН						1	Rregystrы cmenenы	Надо						Парелхно -параллён			500 млн		Или, СДВИГР	150 млн	4				ОДНОАНАПРАВЛЕННА	6		Poloshitelgnый kraй		8 мг								2000000 ГГ
CY29FCT818CTPCE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Чereз dыru			85 ° С	-40 ° С	CMOS		ROHS COMPRINT			Окунаан			7,62 мм		СОУДНО ПРИОН	24		1753503G	5,25 В.	4,75 В.	24				2								1					Дон		Nukahan	5в	2,54 мм	24	Промлэнно					Nukahan			Исиннн		1	Н.Квалиирована		Фт	Восточный						7,2 млн	8	-32ma	64ma				3-шТат

RereStrы smeneNы (2661)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии