Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD МЕСТОД УПАКОККИ Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК Уровина Скринина Колист Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Коли Вес ВЫДЕС Кргителнь ТОК На том, что Колист Колист Вес ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. Maks i (ol) На nanapravyenee -o Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT ТИП Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup
74HC4015D,652 74HC4015D, 652 Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Весели ROHS COMPRINT 2014 /files/Nexperia-74HC4015D652-datasheets-2440.pdf 16
CD74AC164EE4 CD74AC164EE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT PDIP СОУДНО ПРИОН 14 927.99329 м 5,5 В. 1,5 В. 14 в дар ЗOLOTO Не 1 E4 Дон 14 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн Атмосфер Сэриал парылхно 174 м СДВИГР 12,5 млн 8 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй 75 мг 54000000 ggц
SN74LV164ANSRG4 SN74LV164ANSRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT Соп 5,3 мм СОДЕРИТС 14 208.312296mg 5,5 В. 14 в дар Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 2,5 В. 14 Промлэнно 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Сэриал парылхно 24 млн СДВИГР 11 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 3-шТат Poloshitelgnый kraй 4500000000 gц
SNJ54ALS165J SNJ54ALS165J Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -55 ° С В В Постепок 7,62 мм СОДЕРИТС 16 5,5 В. 4,5 В. 16 не Чasы yangirowют not_compliant 1 Дон Nukahan 2,54 мм 16 ВОЗДЕЛАН Nukahan 1 Додер Н.Квалиирована Ас Парелхно 8 50pf СДВИГР 23 млн Poloshitelgnый kraй 35 мг 24ma Верно
SN74LV164ADRG4 SN74LV164ADRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 8,65 мм 158 ММ 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 14 130.010913mg 5,5 В. 14 Ихпра Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 2,5 В. 14 Автомобиль 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Сэриал парылхно 24 млн СДВИГР 11 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 3-шТат Poloshitelgnый kraй 4500000000 gц
SN74LV164ADG4 SN74LV164ADG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 8,65 мм 158 ММ 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 14 130.010913mg 5,5 В. 14 Ихпра Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 2,5 В. 14 Автомобиль 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Сэриал парылхно 24 млн СДВИГР 11 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 3-шТат Poloshitelgnый kraй 4500000000 gц
TC74HC4094AP(F) TC74HC4094AP (F) Torex Semiconductor Ltd
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT PDIP 19,25 мм 3,5 мм 6,4 мм 16 16 Не 1 Дон 2,54 мм Промлэнно 1 Rregystrы cmenenы 8 ЗaщeLca, rereStr smenы 250 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 24000000 ggц
5962-9682701Q3A 5962-9682701Q3A Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С CMOS 2,03 мм В СОДЕРИТС 28 5,5 В. 4,5 В. 28 не 2 Свине, олово not_compliant 1 Nerting Квадран NeT -lederStva Nukahan 20 ВОЗДЕЛАН Nukahan 1 Восточный Н.Квалиирована Фт Восточный 8 90 млн -3ma 20 май 9 3-шТат Poloshitelgnый kraй
SN74LV164ADBRG4 SN74LV164ADBRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SSOP 5,3 мм СОДЕРИТС 14 121.789551mg 5,5 В. 14 в дар Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,65 мм 14 Промлэнно 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Сэриал парылхно 24 млн СДВИГР 11 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 3-шТат Poloshitelgnый kraй 4500000000 gц
SN74LV164ADGVRG4 SN74LV164ADGVRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TFSOP 4,4 мм 3,6 мм СОДЕРИТС 14 41.787197mg 5,5 В. 14 в дар Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,4 мм 14 Промлэнно 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Сэриал парылхно 24 млн СДВИГР 11 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 3-шТат Poloshitelgnый kraй 4500000000 gц
SN74LV164APWTG4 SN74LV164APWTG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 4,4 мм СОДЕРИТС 14 57.209338mg 5,5 В. 14 в дар Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,65 мм 14 Промлэнно 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Сэриал парылхно 24 млн СДВИГР 11 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 3-шТат Poloshitelgnый kraй 4500000000 gц
SNJ54ALS165W SNJ54ALS165W Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2,03 мм В 10,16 ММ 6,73 мм СОДЕРИТС 16 не Чasы yangirowют 8542.39.00.01 1 В дар Дон Плоски 1,27 ММ 16 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 5,5 В. 4,5 В. Додер Н.Квалиирована R-GDFP-F16 Ас Парелхно MIL-PRF-38535 8 Poloshitelgnый kraй 35 мг Верно 15 млн
SN74ALS166NSRG4 SN74ALS166NSRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 70 ° С 0 ° С В 2 ММ ROHS COMPRINT Соп 5,3 мм СОДЕРИТС 16 200.686274mg 5,5 В. 4,5 В. 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 Коммер 1 Rregystrы cmenenы Исиннн Ас Парелхно 8 14 млн Или, СДВИГР 13 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 45 мг
SN74ALS166DBRG4 SN74ALS166DBRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 70 ° С 0 ° С В 2 ММ ROHS COMPRINT SSOP 6,2 мм 5,3 мм СОДЕРИТС 16 128.593437mg 5,5 В. 4,5 В. 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 16 Коммер 1 Rregystrы cmenenы Исиннн Ас Парелхно 8 14 млн Или, СДВИГР 13 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 45 мг
SN74AHC595DG4 SN74AHC595DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 9,9 мм 158 ММ 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 141.690917mg 5,5 В. 16 Парелхл ДОСТУПАНС Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 16 Автомобиль 1 Исиннн AHC/VHC/H/U/V. Сэриал парылхно 8 18,5 млн СДВИГР 10,2 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9
SN74ALS166DRG4 SN74ALS166DRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 70 ° С 0 ° С В ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС 16 139,989945 м 5,5 В. 4,5 В. 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 Коммер 1 Rregystrы cmenenы Исиннн Ас Парелхно 8 14 млн 50pf Или, СДВИГР 13 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 45 мг 24ma
SN74ALS166DG4 SN74ALS166DG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С В ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС 16 139,989945 м 5,5 В. 4,5 В. 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 Коммер 1 Rregystrы cmenenы Исиннн Ас Парелхно 8 14 млн 50pf Или, СДВИГР 13 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 45 мг 24ma
SN74AHC595DBRE4 SN74AHC595DBRE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С -40 ° С CMOS 2 ММ ROHS COMPRINT SSOP 6,2 мм 5,3 мм СОДЕРИТС 16 130.010913mg 5,5 В. 16 в дар Парелхл ДОСТУПАНС Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 16 Промлэнно 1 Исиннн AHC/VHC/H/U/V. Сэриал парылхно СДВИГР 10,2 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9
84095012A 84095012A Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT 8,89 мм 2,03 мм 8,89 мм СОДЕРИТС 20 20 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) 1,83 мм Оформлена Не Трубка 1 Квадран 20 ВОЗДЕЛАН 1 Додер Квалигированан HC/UH Парелхно 8 50pf СДВИГР 225 м 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 25 мг 0,0052 а Не
SN74AHC595DBRG4 SN74AHC595DBRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS 2 ММ ROHS COMPRINT SSOP 6,2 мм 5,3 мм СОДЕРИТС 16 128.593437mg 5,5 В. 16 в дар Парелхл ДОСТУПАНС Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 16 Промлэнно 1 Исиннн AHC/VHC/H/U/V. Сэриал парылхно 8 18,5 млн СДВИГР 10,2 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9
SN74AHC595DRG4 SN74AHC595DRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC СОУДНО ПРИОН 16 141.690917mg 5,5 В. 16 Парелхл ДОСТУПАНС Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 16 Автомобиль 1 Исиннн AHC/VHC/H/U/V. Сэриал парылхно СДВИГР 10,2 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9
CD74HC164MTE4 CD74HC164MTE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 3,9 мм СОДЕРИТС 14 129 387224 м 14 в дар Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 14 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Сэриал парылхно 255 м СДВИГР 29 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй 4000000 gц
CD74HCT164MTE4 CD74HCT164MTE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 3,9 мм СОДЕРИТС 14 129 387224 м 5,5 В. 4,5 В. 14 в дар Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 14 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн Hct Сэриал парылхно 57 м СДВИГР 36 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 Poloshitelgnый kraй 4000000 gц
SNJ54LS299J SNJ54LS299J Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -55 ° С В ROHS COMPRINT Постепок 24,2 ММ 5,08 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 20 5,5 В. 4,5 В. 20 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) 4,57 мм Ear99 Яршиват Не Трубка 1 Дон 2,54 мм 20 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн Лаурет Парелхно -параллён 8 В СДВИГР 40 млн Дюнапразлнн 3-шТат Poloshitelgnый kraй 53 май 0,024 а 39 м Не
SNJ54HC595W SNJ54HC595W Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 2,03 мм В 10,16 ММ 6,73 мм СОДЕРИТС 16 не Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod not_compliant 8542.39.00.01 1 В дар Дон Плоски Nukahan 1,27 ММ 16 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С Nukahan Rregystrы cmenenы Исиннн 2/6. Н.Квалиирована R-GDFP-F16 HC/UH Сэриал парылхно MIL-PRF-38535 8 50pf 3-шТат Poloshitelgnый kraй 25 мг Верно 300 млн 2100000000 gц
SN74LS597DE4 Sn74ls597de4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С В ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС 16 139,989945 м 5,25 В. 4,75 В. 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 Коммер 1 Исиннн Лаурет Парелхно 8 60 млн СДВИГР 60 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 3-шТат Poloshitelgnый kraй 20 мг
SN54LS299J SN54LS299J Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -55 ° С В ROHS COMPRINT Постепок 24,2 ММ 5,08 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 20 5,5 В. 4,5 В. 20 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) 4,57 мм Ear99 Яршиват Не Трубка 1 Дон 2,54 мм 20 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн Лаурет Парелхно -параллён 8 В СДВИГР 40 млн Дюнапразлнн 3-шТат Poloshitelgnый kraй 53 май 0,024 а 39 м Не
SN74S195N3 SN74S195N3 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 5,08 мм В PDIP 19.305 ММ 7,62 мм 16 не OpolniTeLnый seriйnый -strig prawwwый vыхod; J и K (бар) Серригн ВВОД not_compliant 8542.39.00.01 1 Не Дон СКВОХА Nukahan 2,54 мм 16 Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Rregystrы cmenenы Исиннн Н.Квалиирована Ст Парелхно -параллён 4 Poloshitelgnый kraй 70 мг Верно 16,5 млн
SN74LV164ADE4 SN74LV164ADE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 3,9 мм СОДЕРИТС 14 130.010913mg 5,5 В. 14 в дар Ихпра Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 2,5 В. 14 Промлэнно 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Сэриал парылхно 24 млн СДВИГР 11 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 3-шТат Poloshitelgnый kraй 4500000000 gц
SN74S195D SN74S195D Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 1,75 мм В SOIC 9,9 мм 3,9 мм 16 не OpolniTeLnый seriйnый -strig prawwwый vыхod; J и Kbar Serial Point not_compliant 8542.39.00.01 1 В дар Дон Крхлоп Nukahan 1,27 ММ 16 Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Rregystrы cmenenы Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G16 Ст Парелхно -параллён 4 15pf Poloshitelgnый kraй 70 мг 109 май Верно 16,5 млн 70000000 ГГ

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.