Регистры смены - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD МЕСТОД УПАКОККИ Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Naprayeseee Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК Уровина Скринина Колист Втипа МАКСИМАЛНГАН В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Коли Вес ВЫДЕС Кргителнь ТОК Power Dissipation-Max На том, что Колист Вес Колист ТИП Колист Fmax-Min Токпитания. Maks i (ol) На nanapravyenee -o Проп. ЗAdErжKA@nom-sup ШMITTTTTTTTTT Я МАКСИМАЛАНА АССТОТАТА@nom-sup ТОК - В.О.
CD54HC4094F3A CD54HC4094F3A Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT Постепок 19,56 мм 5,08 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 16 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) 4,57 мм Ear99 Paralelgnый -of aavikcyrovanavan; Posledowelnыйvod, зaikcyrovannnnnыйs чasami -sdviga, tataksepepen Не Трубка 1 Дон 4,5 В. 2,54 мм 16 ВОЗДЕЛАН 1 Rregystrы cmenenы Исиннн HC/UH Сэриал парылхно 8 50pf ЗaщeLca, rereStr smenы 295 м 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 24 млн 0,0052 а 33 м Не 4000000 gц
SN74AHCT595PWG4 Sn74ahct595pwg4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 1,15 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 61.887009mg 5,5 В. 4,5 В. 16 Парелхл ДОСТУПАНС Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 Промлэнно 1 Исиннн AHCT/VHCT/VT Сэриал парылхно 8 12 млн СДВИГР 10,2 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9
JM38510/07601BEA JM38510/07601Bea Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С В В Постепок 19,56 мм 5,08 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 16 5,5 В. 4,5 В. 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) 4,57 мм Rershym yudrжania; NeShenee чaSы -c -upravoleyememememememememomomommom и иисполь not_compliant 1 Дон Nukahan 16 ВОЗДЕЛАН Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована Ст Парелхно -параллён 4 В СДВИГР 18,5 млн Дюнапразлнн 3-шТат Poloshitelgnый kraй 70 мг 0,02 а Не
CD74HC194M96E4 CD74HC194M96E4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 9,9 мм 3,9 мм СОДЕРИТС 16 141.690917mg 16 в дар Яршиват Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Парелхно -параллён 265 м СДВИГР 30 млн 4 Дюнапразлнн 6 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
SN7495AJ SN7495AJ Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 5,08 мм В Постепок 19,56 мм 7,62 мм СОДЕРИТС 14 Otdelne чasыd -cmenenы spraw 8542.39.00.01 1 E0 Олейнн Не Дон СКВОХА 2,54 мм Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Исиннн R-GDIP-T14 7495 Парелхно -параллён 4 СДВИГР Negativnoe opreimaheestvo 36 мг Верно 32 м
CD74HC165MG4 CD74HC165MG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC 9,9 мм 158 ММ 3,91 мм СОУДНО ПРИОН 16 141.690917mg 16 Оформлена ЗOLOTO Не 1 E4 Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Додер HC/UH Парелхно 8 265 м Или, СДВИГР 28 млн 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 24 млн 20000000 gц
CD74HC194EE4 CD74HC194EE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С CMOS 5,08 мм ROHS COMPRINT PDIP СОДЕРИТС 16 951.693491MG 16 в дар Яршиват Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Парелхно -параллён 265 м СДВИГР 30 млн 4 Дюнапразлнн 6 Poloshitelgnый kraй 23 мг 20000000 gц
SN74AHCT595DBRG4 Sn74ahct595dbrg4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS 2 ММ ROHS COMPRINT SSOP 6,2 мм 5,3 мм СОДЕРИТС 16 128.593437mg 5,5 В. 4,5 В. 16 в дар Парелхл ДОСТУПАНС Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 16 Промлэнно 1 Исиннн AHCT/VHCT/VT Сэриал парылхно 8 12 млн СДВИГР 10,2 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9
74AC299SCX 74AC299SCX Fairchild (napoluprovodonke)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS 2,65 мм ROHS COMPRINT SOIC 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 20 Rershym yudrжania; Обобалавив/Вес; Я НЕИ 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 20 Промлэнно Nukahan 1 Исиннн 3.3/5. Н.Квалиирована Атмосфер Парелхно -параллён 25 млн СДВИГР 14,5 млн 8 3-шТат Poloshitelgnый kraй Дюнапразлнн
SNJ54HC166J SNJ54HC166J Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT Постепок 19,56 мм 5,08 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 16 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) 4,57 мм Ear99 Оформлена Не 1 Дон 2,54 мм 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн HC/UH Парелхно 8 225 м 50pf СДВИГР 225 м ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 25 мг 0,0052 а 32 м Не
CD74HC165MTG4 CD74HC165MTG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС 16 141.690917mg 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Додер HC/UH Парелхно 8 265 м Или, СДВИГР 28 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 24 млн 20000000 gц
5962-8995301EA 5962-8995301EA Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT Постепок 19,56 мм 5,08 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 16 16 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) 4,57 мм Свине, олово Не 2 Дон 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 2 Исиннн Квалигированан HC/UH Сэриал парылхно MIL-STD-883 4 490 м 50pf СДВИГР 490 м 8 мка ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 0,08 Ма 37 м Не
CD4014BF3A CD4014BF3A Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT Постепок 19,56 мм 5,08 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 16 18В 16 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) 4,57 мм Ear99 Не Трубка 1 Дон 2,54 мм 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн Парелхно 8 320 млн 50pf СДВИГР 320 млн 100 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 0,3 мая Не 3000000 gц
SN74LS595NS SN74LS595NS Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 2 ММ ROHS COMPRINT Соп 10,2 ММ 5,3 мм 16 в дар Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod 8542.39.00.01 1 В дар Дон Крхлоп Nukahan 1,27 ММ 16 Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Исиннн Н.Квалиирована R-PDSO-G16 Лаурет Сэриал парылхно 8 СДВИГР 3-шТат Poloshitelgnый kraй 20 мг Верно 25 млн 20000000 gц
SNJ54LS674JT SNJ54LS674JT Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -55 ° С В 5,08 мм ROHS COMPRINT Постепок 32,005 мм 7,62 мм СОДЕРИТС 24 5,5 В. 4,5 В. 24 не Оформлена 1 Дон Nukahan 2,54 мм 24 ВОЗДЕЛАН Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована Лаурет Парелхно MIL-PRF-38535 16 СДВИГР 45 м ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Negativnoe opreimaheestvo 20 мг
CD74HCT597M96E4 CD74HCT597M96E4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС 16 141.690917mg 5,5 В. 4,5 В. 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн Hct Парелхно 8 84 м СДВИГР 56 м ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй
CD4035BEE4 CD4035BEE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С CMOS 5,08 мм ROHS COMPRINT PDIP 15 СОУДНО ПРИОН 16 951.693491MG 18В 16 в дар ЗOLOTO Не 1 E4 Дон 16 ВОЗДЕЛАН 1 Rregystrы cmenenы Надо Парелхно -параллён 500 млн Или, СДВИГР 150 млн 4 100 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА 6 Poloshitelgnый kraй 8 мг 2000000 ГГ
74HC595D 74HC595D NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 SMD/SMT 125 ° С -40 ° С CMOS 100 мг ROHS COMPRINT ТАК 6,35 мм 1,75 мм 6,35 мм СОУДНО ПРИОН 16 113.398093G НЕТ SVHC 16 в дар Ear99 Серригн -Станганхартсин ЗOLOTO Не 1 70 май E4 Дон Крхлоп 260 16 Автомобиль 30 Исиннн 125 ° С HC/UH Сэриал парылхно 8 1 Млокс 50pf СДВИГР 16 млн 160 мка 500 м ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат 1 Poloshitelgnый kraй 24 млн 1 Млокс
SN74HC595NSRE4 SN74HC595NSRE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS 2 ММ ROHS COMPRINT Соп 5,3 мм СОДЕРИТС 16 200.005886mg 16 в дар Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 16 Промлэнно 1 Исиннн HC/UH Сэриал парылхно 8 250 млн СДВИГР 250 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9
SN74ALS299DWE4 SN74ALS299DWE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 70 ° С 0 ° С В 2,65 мм ROHS COMPRINT SOIC 7,5 мм СОДЕРИТС 20 500.000539mg 5,5 В. 4,5 В. 20 в дар Rershym yudrжania; Обобалавив/Вес; Totempole oposledowelnыйs -sdvig -vprawo yscdig levы whodы; Я Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 20 Коммер Исиннн 1 Ас Парелхно -параллён 8 25 млн 50pf СДВИГР 19 млн Дюнапразлнн 10 3-шТат Poloshitelgnый kraй 30 мг
CD54HC299F CD54HC299F Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 125 ° С -55 ° С CMOS ROHS COMPRINT Постепок 24,2 ММ 5,08 мм 6,92 мм СОДЕРИТС 20 20 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) 4,57 мм Обобалавив/Вес; Я 1 Дон Nukahan 4,5 В. 2,54 мм 20 ВОЗДЕЛАН Nukahan 1 Исиннн Н.Квалиирована HC/UH Парелхно -параллён 8 50pf СДВИГР 300 млн 8 мка Дюнапразлнн 3-шТат Poloshitelgnый kraй 23 мг 0,0052 а 43 м Не
SN74HC166DBRE4 SN74HC166DBRE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS 2 ММ ROHS COMPRINT SSOP 6,2 мм 5,3 мм СОДЕРИТС 16 130.010913mg 16 в дар Оформлена Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 16 Промлэнно 1 Rregystrы cmenenы Исиннн HC/UH Парелхно 8 190 млн Или, СДВИГР 26 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА 9 Poloshitelgnый kraй 25000000 ggц
SN74HC595PWE4 SN74HC595PWE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 4,4 мм СОДЕРИТС 16 59,987591 м 16 в дар Парелхл Neregystryrovannnnый seriйnый sdvig prawwый whod Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 16 Промлэнно 1 Исиннн HC/UH Сэриал парылхно 8 250 млн СДВИГР 34 м ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 9 25000000 ggц
SNJ54LS674J SNJ54LS674J Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 125 ° С -55 ° С В ROHS COMPRINT Постепок 31,75 мм 4,91 мм 13,4 мм СОДЕРИТС 24 5,5 В. 4,5 В. 24 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) 4 мм Ear99 Rershym yudrжania; ЧiTATA/UPRAVLENIEES; Nwor -otklючoTeT -kak -oposledovotelnhe Не Трубка 1 Дон 24 ВОЗДЕЛАН 1 Исиннн Лаурет Парелхно MIL-PRF-38535 16 В 45 м 45pf СДВИГР 45 м ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Negativnoe opreimaheestvo 20 мг 40 май 40 млн Не
CD4014BCN CD4014BCN Fairchild (napoluprovodonke)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT Окунаан СОУДНО ПРИОН 16 15 16 Ведь д.Допендж на 6 -м и 7 -м. НЕИ 1 E0 Олово/Свинен (SN/PB) Дон Nukahan 16 ВОЗДЕЛАН Nukahan 1 Rregystrы cmenenы Исиннн 4 Н.Квалиирована Парелхно Или, СДВИГР 120 млн 8 2 Poloshitelgnый kraй 3 Верно
CD4006BE CD4006BE Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 5,08 мм В PDIP 19.305 ММ 7,62 мм СОДЕРИТС 14 не 3A001.A.2.C О том, как я не знаю, как 4 Ругистрами Два 4 -Битвен и два 5 -Битвен -Смонн Ругистра not_compliant 8542.39.00.01 4 Не Дон СКВОХА Nukahan 2,54 мм 14 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 18В Nukahan Rregystrы cmenenы Исиннн 5/15 В. Н.Квалиирована 4000/14000/40000 Сэриал 5 Negativnoe opreimaheestvo 7 мг Верно 400 млн 12000000 gц
SN74AHCT594DBRE4 Sn74ahct594dbre4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С -40 ° С CMOS 2 ММ ROHS COMPRINT SSOP 6,2 мм 5,3 мм СОДЕРИТС 16 130.010913mg 5,5 В. 4,5 В. 16 в дар Парллэнг Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 0,65 мм 16 Промлэнно 1 Исиннн AHCT/VHCT/VT Сэриал парылхно СДВИГР 9,2 млн 8 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 9
CD74HC4094NSRG4 CD74HC4094NSRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 125 ° С -55 ° С CMOS 2 ММ ROHS COMPRINT Соп 5,3 мм СОДЕРИТС 16 200.686274mg 16 в дар Paralelgnый -of aavikcyrovanavan; Posledowelnыйvod, зaikcyrovannnnnыйs чasami -sdviga, tataksepepen Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 16 ВОЗДЕЛАН 1 Rregystrы cmenenы Исиннн HC/UH Сэриал парылхно 8 295 м ЗaщeLca, rereStr smenы 33 м ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Poloshitelgnый kraй 10 24 млн 20000000 gц
CD74HC299ME4 CD74HC299ME4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Жeleзnodoroжnый/truebka 1 125 ° С -55 ° С CMOS 2,65 мм ROHS COMPRINT SOIC 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 500.709277mg 20 Обобалавив/Вес; Я 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 4,5 В. 20 ВОЗДЕЛАН Nukahan Исиннн 1 Н.Квалиирована HC/UH Парелхно -параллён 8 300 млн СДВИГР 34 м 7,8 мая 7,8 мая Дюнапразлнн 10 3-шТат Poloshitelgnый kraй 23 мг
SN74LV594ADRE4 SN74LV594ADRE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT SOIC СОДЕРИТС 16 139,989945 м 5,5 В. 16 в дар Парллэнг Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 2,5 В. 16 Промлэнно 1 Исиннн 3,3 В. LV/LV-A/LVX/H. Сэриал парылхно 8 19 млн СДВИГР 9,2 млн ОДНОАНАПРАВЛЕННА Poloshitelgnый kraй 9 50000000 ГГ

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.