Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСигнальные переключатели и мультиплексоры(7687)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Количество цепей | Статус квалификации | Семья | Количество битов | Схема | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Тип поставки | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Количество входных строк | Количество входов | Выходные характеристики | Независимые схемы | Количество выходных линий | фмакс-мин | Максимальный ток источника питания (ICC) | Опора Delay@Nom-Sup | Источник напряжения питания |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC10H159FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h159fng-datasheets-0080.pdf | 20-LCC (J-вывод) | Без свинца | 20 | 20 | неизвестный | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 4 | е3 | Олово (Вс) | -4,94 В~-5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х159 | 20 | 40 | ПЕРЕВЕРНУТЫЙ | Не квалифицированный | 10 ч. | 4 х 2:1 | SPDT | 2,2 нс | Двойной | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 4 | 3,2 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||
| PI5C3251LE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор/демультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | /files/diodesincorporated-pi5c3251qex-datasheets-6122.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 4В~5,5В | 3251 | 1 х 8:1 | 1 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H158MEL | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h158fn-datasheets-0035.pdf | 16-SOIC (ширина 0,209, 5,30 мм) | Содержит свинец | 16 | 16 | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | -4,94 В~-5,46 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 10Х158 | 16 | истинный | Не квалифицированный | 10 ч. | 4 х 2:1 | SPDT | 1,9 нс | Двойной | 2 | 1 | 4 | 53 мА | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H158PG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h158fn-datasheets-0035.pdf | 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 | 16 | да | Нет | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 4 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | -4,94 В~-5,46 В | 260 | 10Х158 | 16 | 40 | 197мВт | истинный | 10 ч. | 4 х 2:1 | SPDT | Мультиплексор, Мукс | 1,9 нс | Двойной | 4 | -50 мА | 50 мА | 2 | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 53 мА | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||
| MC10H159L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h159fng-datasheets-0080.pdf | 16-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -4,94 В~-5,46 В | 235 | 10Х159 | 16 | НЕ УКАЗАН | 218мВт | ПЕРЕВЕРНУТЫЙ | 4 | Не квалифицированный | 10 ч. | 4 х 2:1 | SPDT | Мукс | 2,2 нс | Двойной | 1 | 2 | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H158L | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 ч. | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | 0°С~75°С | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 5,08 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h158fn-datasheets-0035.pdf | 16-ЦДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -4,94 В~-5,46 В | 235 | 10Х158 | 16 | НЕ УКАЗАН | истинный | 4 | Не квалифицированный | 10 ч. | 4 х 2:1 | SPDT | 1,9 нс | Двойной | 1 | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 53 мА | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E158FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 5 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э158 | 28 | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | 5 | 5 х 2:1 | SPDT | Мукс | 650 пс | Двойной | 1 | 2 | 10 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 40 мА | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP58DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep58dtg-datasheets-7888.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,0 В до -5,5 В. | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±3 В~5,5 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 10ЭП58 | 8 | 5,5 В | 3В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 10Е | 1 х 2:1 | SPDT | Мультиплексор, Мукс | 410 пс | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 2 | 40 мА | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||
| MC10EL58DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el58dg-datasheets-1673.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | ±4,2 В~5,7 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 0,65 мм | 10ЭЛ58 | 8 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 1 х 2:1 | ДПСТ | Мукс | 340 пс. | Двойной | 1 | 2 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL57DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10el57dr2-datasheets-0063.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 16 | 16 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 5В | 10ЭЛ57 | 16 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 4 х 2:1 | Мукс | 560 пс. | Двойной | 1 | 2 | 4 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 0,58 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E457FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e457fng-datasheets-9874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 3 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10E457 | 28 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | 3 | 3 х 2:1 | SPDT | Мукс | 700 пс | Двойной | 1 | 2 | 6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 0,7 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||
| MC10EP57DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep57dtg-datasheets-4307.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | Без свинца | 20 | 20 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В С VEE = от -3,0 В до -5,5 В; | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ±3 В~5,5 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 10ЭП57 | 20 | 5,5 В | 3В | 40 | Мультиплексоры/демультиплексоры | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -5,2 В | Не квалифицированный | 10Е | 1 х 4:1 | СП4Т | Мукс | 475 пс. | Двойной | 1 | 4 | 65 мА | 0,52 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||||
| PI3CH281LE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор/демультиплексор | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Соответствует ROHS3 | /files/diodesincorporated-pi3ch281le-datasheets-0070.pdf | 16-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 2,25 В~3,6 В | 3Ч281 | 1 х 4:1 | 2 | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E457FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e457fng-datasheets-9874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | 3 | е3 | Олово (Вс) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10E457 | 28 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | 3 | 3 х 2:1 | SPDT | Мукс | 700 пс | Двойной | 1 | 2 | 6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 0,7 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||
| MC10E163FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e163fnr2g-datasheets-9839.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 25 недель | 28 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 2 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10Э163 | 28 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 10Е | 2 | 1 х 8:1 | Мультиплексор, Мукс | 900 пс | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||
| MC10H158FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10h158fn-datasheets-0035.pdf | 20-LCC (J-вывод) | Без свинца | 20 | 20 | да | Нет | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 4 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | -4,94 В~-5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 10Х158 | 20 | 2 | 40 | 197мВт | истинный | 10 ч. | 4 х 2:1 | SPDT | Мультиплексор, Мукс | 1,9 нс | Двойной | -50 мА | 50 мА | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 4 | 53 мА | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||
| MC10E457FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-mc100e457fng-datasheets-9874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 3 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10E457 | 28 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | 3 | 3 х 2:1 | SPDT | 700 пс | Двойной | 1 | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 0,7 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H158FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-mc10h158fn-datasheets-0035.pdf | 20-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 20 | 20 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -4,94 В~-5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 10Х158 | 20 | 30 | 197мВт | истинный | Не квалифицированный | 10 ч. | 4 х 2:1 | SPDT | Мукс | 1,9 нс | Двойной | 2 | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 4 | 53 мА | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E457FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e457fng-datasheets-9874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 4 недели | 28 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 1 месяц назад) | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 3 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10E457 | 28 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 10Е | 3 | 3 х 2:1 | SPDT | Мультиплексор, Мукс | 700 пс | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 2 | 6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 0,7 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||
| MC10EP58DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep58dtg-datasheets-7888.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,0 В до -5,5 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±3 В~5,5 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,65 мм | 10ЭП58 | 8 | 5,5 В | 3В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | 1 х 2:1 | SPDT | 410 пс | Двойной | 1 | 2 | 1 | 40 мА | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||||||
| MC10EL58DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 эл. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100el58dg-datasheets-1673.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 10 недель | 8 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±4,2 В~5,7 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 0,65 мм | 10ЭЛ58 | 8 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 1 х 2:1 | ДПСТ | Мультиплексор, Мукс | 340 пс. | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 2 | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP56DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep56dtr2g-datasheets-1677.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | Без свинца | 20 | 20 | да | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,0 В до -5,5 В. | неизвестный | ЛЕНТА И КАТУШКА | 2 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ±3 В~5,5 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 10ЭП56 | 20 | 5,5 В | 3В | 40 | Мультиплексоры/демультиплексоры | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | 2 х 2:1 | SPDT | 500 пс | Мукс | 470 пс. | Двойной | 1 | 2 | 4 | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ РЕЗИСТОР | 1 | 78 мА | Двойное питание | |||||||||||||||||||||
| MC10E156FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e156fnr2g-datasheets-8981.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 25 недель | 28 | да | EAR99 | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10Э156 | 28 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -5,2 В | 10Е | 3 | 3 х 4:1 | Защелка, Мультиплексор | 900 пс | Двойной | -50 мА | 50 мА | 4 | 12 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 700 МГц | 90 мА | 0,9 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||
| MC10E164FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-mc100e164fng-datasheets-9848.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VEE = от -4,2 В до -5,7 В с VCC = 0 В. | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э164 | 28 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -5,2 В | Не квалифицированный | 10Е | 1 х 16:1 | Мукс | 1,1 нс | Двойной | 1 | 16 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 0,85 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||
| MC10E163FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100e163fnr2g-datasheets-9839.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | 2 | е3 | Олово (Вс) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10Э163 | 28 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | 2 | 1 х 8:1 | 900 пс | Двойной | 1 | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E167FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc10e167fnr2g-datasheets-8986.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 4 недели | 28 | ПОЖИЗНЕННО (Последнее обновление: 3 недели назад) | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10Э167 | 28 | 5,7 В | 40 | истинный | 10Е | 6 | 6 х 2:1 | 1,05 нс | Двойной | -50 мА | 50 мА | 2 | 12 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 0,8 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||
| MC10E163FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-mc100e163fnr2g-datasheets-9839.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э163 | 28 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 8 | Не квалифицированный | 10Е | 2 | 1 х 8:1 | 900 пс | Двойной | 1 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MC10E167FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э167 | 28 | 5,7 В | 30 | истинный | Не квалифицированный | 10Е | 6 | 6 х 2:1 | 1,05 нс | Двойной | 2 | 12 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 0,8 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||||
| MC10H158FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10 ч. | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°С~75°С | Трубка | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-mc10h158fn-datasheets-0035.pdf | 20-LCC (J-вывод) | 8,965 мм | 8,965 мм | Содержит свинец | 20 | 20 | не_совместимо | ЖЕЛЕЗНОДОРОЖНЫЙ | 4 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | -4,94 В~-5,46 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 10Х158 | 20 | 30 | истинный | Не квалифицированный | 10 ч. | 4 х 2:1 | SPDT | 1,9 нс | Двойной | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 4 | 53 мА | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||
| MC10EP58DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep58dtg-datasheets-7888.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,0 В до -5,5 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±3 В~5,5 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 10ЭП58 | 8 | 5,5 В | 3В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | 1 х 2:1 | Мукс | 410 пс | Двойной | 1 | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 40 мА | Двойное питание |
