Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСигнальные переключатели и мультиплексоры(7687)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Дополнительная функция | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Способ упаковки | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Напряжение питания | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Подкатегория | Выходная полярность | Источники питания | Статус квалификации | Семья | Количество битов | Схема | Выбросить конфигурацию | Включить время задержки | Логическая функция | Задержка распространения | Тип поставки | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Количество входных строк | Количество входов | Выходные характеристики | Независимые схемы | Количество выходных линий | фмакс-мин | Максимальный ток источника питания (ICC) | Опора Delay@Nom-Sup | Источник напряжения питания |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| MC100EP58DTR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100ep58dtg-datasheets-7888.pdf | 8-ТССОП, 8-МСОП (ширина 0,118, 3,00 мм) | 3 мм | 3 мм | Без свинца | 8 | 8 | да | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,0 В до -5,5 В. | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±3 В~5,5 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100EP58 | 8 | 5,5 В | 3В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | 1 х 2:1 | SPDT | Мультиплексор, Мукс | 410 пс | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 2 | Двойное питание | ||||||||||||||||||||
| MC10E155FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 1996 год | /files/onsemiconductor-mc10e155fn-datasheets-9951.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э155 | 28 | 5,7 В | 30 | истинный | Не квалифицированный | 10Е | 6 | 6 х 2:1 | Защелка, Мультиплексор | 700 пс | Двойной | 2 | 12 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 700 МГц | 0,7 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||
| MC10E154FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э154 | 28 | 4,2 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | 5 | 5 х 2:1 | SPDT | Защелка, Мультиплексор | 800 пс | Двойной | 10 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 700 МГц | 0,7 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||||
| MC100E457FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e457fng-datasheets-9874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 25 недель | 28 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 3 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100E457 | 28 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | 3 | 3 х 2:1 | SPDT | Мультиплексор, Мукс | 700 пс | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 2 | 6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 0,7 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||
| MC10E154FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 25 недель | 28 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 10Э154 | 28 | 4,2 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 10Е | 5 | 5 х 2:1 | SPDT | Защелка, Мультиплексор | 800 пс | Двойной | -50 мА | 50 мА | 10 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 700 МГц | 0,7 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||
| MC10E154FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 10Е | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 10Э154 | 28 | 4,2 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 10Е | 5 | 5 х 2:1 | SPDT | Защелка, Мультиплексор | 800 пс | Двойной | 10 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 700 МГц | 0,7 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||
| MC100E157FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e157fng-datasheets-9836.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 4 | е0 | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100Э157 | 28 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 1 х 2:1 | SPDT | Мукс | 550 пс | Двойной | 2 | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 4 | 1 | 0,55 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||||||
| MC100E457FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e457fng-datasheets-9874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | да | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VEE = от -4,2 В до -5,7 В с VCC = 0 В. | Нет | 3 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100E457 | 28 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | 3 х 2:1 | SPDT | Мультиплексор, Мукс | 700 пс | Двойной | -50 мА | 50 мА | 6 | 1 | 3 | 0,7 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||
| MC100EP56DWR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep56dtr2g-datasheets-1677.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | Без свинца | 20 | 12 недель | 20 | ПОЖИЗНЕННЫЙ (Последнее обновление: 10 часов назад) | да | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VCC = 0 В, VEE = от -3,0 В до -5,5 В. | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 2 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±3 В~5,5 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 100EP56 | 20 | 5,5 В | 3В | 40 | Мультиплексоры/демультиплексоры | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 2 х 2:1 | SPDT | 500 пс | Мультиплексор, Мукс | 470 пс. | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 2 | 4 | ПОСЛЕДОВАТЕЛЬНЫЙ РЕЗИСТОР | 1 | 80 мА | 0,5 нс | Двойное питание | ||||||||||||||
| MC100E457FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e457fng-datasheets-9874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 3 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100E457 | 28 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицированный | 3 | 3 х 2:1 | SPDT | Мукс | 700 пс | Двойной | 1 | 2 | 6 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 0,7 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||
| MC100E163FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e163fnr2g-datasheets-9839.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100E163 | 28 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицированный | 2 | 1 х 8:1 | 900 пс | Двойной | 1 | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||
| MC100E163FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e163fnr2g-datasheets-9839.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 2 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100E163 | 28 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицированный | 2 | 1 х 8:1 | 900 пс | Двойной | 1 | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||||||
| MC100E164FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e164fng-datasheets-9848.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VEE = от -4,2 В до -5,7 В с VCC = 0 В. | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100E164 | 28 | 5,7 В | 4,2 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицированный | 1 х 16:1 | Мукс | 1,1 нс | Двойной | 1 | 16 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 0,85 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||
| MC100EP57DTR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 100EP | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100ep57dtg-datasheets-4307.pdf | 20-ТССОП (ширина 0,173, 4,40 мм) | 6,5 мм | Без свинца | 20 | 20 | да | РЕЖИМ NECL: VCC = 0 В С VEE = от -3,0 В до -5,5 В; | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ±3 В~5,5 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 0,65 мм | 100EP57 | 20 | 5,5 В | 3В | 40 | Мультиплексоры/демультиплексоры | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 1 х 4:1 | СП4Т | Мукс | 475 пс. | Двойной | 1 | 4 | 65 мА | 0,52 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||
| MC100E171FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e171fng-datasheets-9854.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 52 недели | 28 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 3 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 4,2 В~5,5 В -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100Э171 | 28 | 5,5 В | 40 | Мультиплексоры/демультиплексоры | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 3 | 3 х 4:1 | Мультиплексор, Мукс | 650 пс | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 4 | 12 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 77мА | 0,65 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||
| MC100E157FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e157fng-datasheets-9836.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е3 | Олово (Вс) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100Э157 | 28 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 1 х 2:1 | SPDT | Мультиплексор, Мукс | 550 пс | Двойной | -50 мА | 50 мА | 2 | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 4 | 1 | 0,55 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||
| MC100E457FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e457fng-datasheets-9874.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 3 | е0 | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100E457 | 28 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицированный | 3 | 3 х 2:1 | SPDT | 700 пс | Двойной | 1 | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 0,7 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||
| MC100E171FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e171fng-datasheets-9854.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 3 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 4,2 В~5,5 В -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100Э171 | 28 | 5,5 В | 30 | Мультиплексоры/демультиплексоры | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 3 | 3 х 4:1 | Мукс | 650 пс | Двойной | 1 | 4 | 12 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 77мА | 0,65 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||
| MC100LVEL58DR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100 УРОВЕЛЕЙ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100lvel58d-datasheets-7369.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Содержит свинец | 8 | 8 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±3 В~3,8 В | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 100УРОВЬ58 | 8 | 3В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -3,3 В | Не квалифицированный | 1 х 2:1 | SPDT | Мукс | 570 пс. | Двойной | 1 | 2 | 30 мА | 0,59 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||||
| MC100LVE164FAR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100ЛВЭ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100lve164far2-datasheets-9909.pdf | 32-LQFP | 7 мм | 7 мм | Содержит свинец | 32 | 32 | РЕЖИМ NECL: VCC=0 С VEE=-3V ДО -3,8 | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±3 В~3,8 В | КВАД | КРЫЛО ЧАЙКИ | 240 | 3,3 В | 0,8 мм | 100LVE164 | 32 | 3,8 В | 3В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -3,3 В | Не квалифицированный | 1 х 16:1 | Мукс | 850 пс | Двойной | 1 | 16 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 45 мА | 0,85 нс | Двойное питание | ||||||||||||||||||||
| PI3B16209AE | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Переключатель обмена полевым транзистором шины | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 48-ТФСОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 3В~3,6В | 16209 | 9 х 2:2 | 1 | Единая поставка | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E158FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e158fnr2g-datasheets-8870.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 25 недель | 28 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 5 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100Э158 | 28 | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 5 | 5 х 2:1 | SPDT | Мультиплексор, Мукс | 650 пс | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 2 | 10 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 46 мА | Двойное питание | ||||||||||||||||||||
| MC100E157FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e157fng-datasheets-9836.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | да | Нет | 4 | е3 | Олово (Вс) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100Э157 | 28 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 1 х 2:1 | SPDT | Мультиплексор, Мукс | 550 пс | Двойной | -50 мА | 50 мА | 2 | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 4 | 1 | 0,55 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||
| MC100E163FNR2G | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100e163fnr2g-datasheets-9839.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 14 недель | 28 | да | Нет | ЛЕНТА И КАТУШКА | 2 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100E163 | 28 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | 2 | 1 х 8:1 | Мультиплексор, Мукс | 900 пс | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | Двойное питание | |||||||||||||||||||||
| MC100E157FNR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | /files/onsemiconductor-mc100e157fng-datasheets-9836.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | нет | не_совместимо | ЛЕНТА И КАТУШКА | 4 | е0 | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100Э157 | 28 | 5,7 В | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 1 х 2:1 | SPDT | 550 пс | Двойной | 2 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 4 | 1 | 0,55 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||
| MC100E163FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | /files/onsemiconductor-mc100e163fnr2g-datasheets-9839.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | 2 | е3 | Олово (Вс) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100E163 | 28 | 5,7 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицированный | 2 | 1 х 8:1 | Мукс | 900 пс | Двойной | 1 | 8 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||||
| MC100E158FN | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Не соответствует требованиям RoHS | 2006 г. | 28-LCC (J-вывод) | Содержит свинец | 28 | 28 | не_совместимо | 5 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 240 | 5В | 100Э158 | 28 | 30 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | Не квалифицированный | 5 | 5 х 2:1 | SPDT | Мукс | 650 пс | Двойной | 1 | 2 | 10 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 46 мА | Двойное питание | ||||||||||||||||||||||||||
| MC100E164FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | 4,57 мм | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e164fng-datasheets-9848.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | РАБОЧИЙ ДИАПАЗОН В РЕЖИМЕ NECL: VEE = от -4,2 В до -5,7 В с VCC = 0 В. | 1 | е3 | Олово (Вс) | ±4,2 В~5,7 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100E164 | 28 | 5,7 В | 4,2 В | 40 | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | -4,5 В | Не квалифицированный | 1 х 16:1 | Мукс | 1,1 нс | Двойной | 1 | 16 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 0,85 нс | Двойное питание | |||||||||||||||||||||||||
| PI5C3301TEX | Диодс Инкорпорейтед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Переключатель | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | /files/diodesincorporated-pi5c3301cex-datasheets-9710.pdf | СК-74А, СОТ-753 | 4В~5,5В | 3301 | 1 х 1:1 | 1 | Единая поставка | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MC100E171FNG | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Дифференциальный цифровой мультиплексор | 100E | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | 0°К~85°К | Трубка | 3 (168 часов) | ОКУ | Соответствует RoHS | 2006 г. | /files/onsemiconductor-mc100e171fng-datasheets-9854.pdf | 28-LCC (J-вывод) | Без свинца | 28 | 28 | да | Нет | 3 | е3 | Матовый олово (Sn) | Без галогенов | 4,2 В~5,5 В -4,2 В~-5,5 В | КВАД | ДЖ БЕНД | 260 | 5В | 100Э171 | 28 | 5,5 В | 40 | Мультиплексоры/демультиплексоры | ДОПОЛНИТЕЛЬНО | 3 | 3 х 4:1 | Мультиплексор, Мукс | 650 пс | Двойной | 1 | -50 мА | 50 мА | 4 | 12 | ОТКРЫТЫЙ ЭМИТТЕР | 1 | 77мА | 0,65 нс | Двойное питание |
