Специализированные ICS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

SpeShaliShirovannene ics (2368)

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус ТИП В припании Управый МОНТАНАНГИП Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Опрегиону Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina СОУДНО ПРИОН Колист Верна - Колист PBFREE CODE Толсина КОД ECCN Доленитейн Ая DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Прилонья Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Телекоммуникации IC THIP Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК ПАКЕТИВАЕТСЯ UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS ТАКТОВА Органихая Шirina pamayti Плотпеф Парллель/сэриал В.С. Ruemap ТИП ИК ПАМЕЙТИ Вес Колиствоистенн Весна кондигионирований Вернее Perviчnы чasы/kriestalkyskaya-astota-noma Взёрт, а я Колиствот Упако SIDYSHIй В.С.Сота-макс Млн Степень Продукта
APX8132HAI-TRG APX8132HAI-TRG Анпек $ 0,64
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 /storage/upload/apx8132hai-trg.pdf
MT6391A/B MT6391A/b Mediatek $ 22,72
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 /storage/upload/mt6391a b.pdf
MT8173V/CB MT8173V/CB Mediatek $ 7,57
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 /storage/upload/mt6391a b.pdf
AD5560JSVUZ AD5560JSVUZ Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 /storage/upload/ad5560jsvuz.pdf
SG6931DZ SG6931DZ Fairchild Semiconductor $ 104
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ШIM -KONTROLLER - Чereз dыru 20-DIP (0,300 ", 7,62 ММ) - 20-pdip МАССА Fairchild Semiconductor Управо
CDP1877CE CDP1877CE ХArrISCORPORAHIN $ 140,60
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 PrograMmIrueemый koantrollergrыwanyй (Pic) - Чereз dыru 28-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) - 28-pdip МАССА ХArrISCORPORAHIN Управо
CD22402E CD22402E ХArrISCORPORAHIN $ 8,46
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Гератор - Чereз dыru 24-Dip (0,600 ", 15,24 ММ) - 24-Pdip МАССА ХArrISCORPORAHIN Актифен
CD22402D CD22402D ХArrISCORPORAHIN $ 421,77
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Гератор - Чereз dыru 24-CDIP (0,600 ", 15,24 ММ) - 24-SBDIP МАССА ХArrISCORPORAHIN Актифен
LT1088CD LT1088CD Аналого -иустерства
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 19,3 мм 7,62 мм Верна 1 Не Дон СКВОХА 4,25 В. 2,54 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С Аналеоз R-CDIP-T14 14 4191 мм
IDT72P51539L6BBI8 IDT72P51539L6BBI8 Ингрированая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 3 (168 чASOW) CMOS Асинров В not_compliant E0 Olovo/strineц (sn63pb37) В дар Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ Коммер 70 ° С Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована S-PBGA-B256 166 мг 16KX36 36 589824 Ибит 0,1а 3,7 млн Druegoe fipo 256
88P8341BHGI 88p8341bhgi Ингрированая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 CMOS 2,44 мм ROHS COMPRINT 35 ММ 35 ММ ICON-PBFREE DA Ear99 TtakжebueTsip APAR 3,3 VI/O Supply Сообщите 8542.39.00.01 E3 МАГОВОЙ В дар Униджин Маян 260 1,8 В. 1 ММ 820 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 1,96 1,68 30 Drugie -микропроэссоц 1,83,3 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B820 МИКРОПРЕССОНА АНАСА 820
80HCPS1616CHMGI 80HCPS1616CHMGI Ингрированая
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 4 (72 чACA) CMOS 3,34 мм ROHS COMPRINT 21 мм 21 мм ICON-PBFREE DA Сообщите 8542.39.00.01 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) В дар Униджин Маян 245 1V 1 ММ 400 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 1,05 0,95 В. Nukahan S-PBGA-B400 МИКРОПРЕССОНА АНАСА 400
80KSW0002ALG 80 к.0002alg ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 4 (72 чACA) В 1999 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80ksw0002alg-datasheets-8382.pdf 19 мм 19 мм СОУДНО ПРИОН 324 в дар 3,27 мм E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) 260 324 Nukahan
IDT72P51559L6BB IDT72P51559L6BB ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) CMOS Асинров ROHS COMPRINT 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51559l6bb-datasheets-8348.pdf BGA 256 256 E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ Коммер 70 ° С Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 166 мг 64KX36 36 2359296 Ибит 0,1а 3,7 млн Druegoe fipo
IDT72P51539L6BBI IDT72P51539L6BBI ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) CMOS Асинров В 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51539l6bbi-datasheets-8178.pdf BGA 256 256 not_compliant E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ Промлэнно 85 ° С -40 ° С Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 166 мг 16KX36 36 589824 Ибит 0,1а 3,7 млн Druegoe fipo
80HCPS1616CHMG 80HCPS1616CHMG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 4 (72 чACA) CMOS 3,34 мм В 2014 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hcps1616chmg-datasheets-8151.pdf 21 мм 21 мм СОУДНО ПРИОН 400 12 400 в дар 2,75 мм 8542.39.00.01 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) В дар Униджин Маян 245 1V 400 Коммер 70 ° С 1,05 0,95 В. Nukahan МИКРОПРЕССОНА АНАСА
IDT72P51539L6BB8 IDT72P51539L6BB8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 3,5 мм В 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51539l6bb8-datasheets-8060.pdf BGA 17 ММ 17 ММ 256 256 Ear99 not_compliant 8542.32.00.71 1 E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ 256 Коммер 70 ° С 1,9 1,7 Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 166 мг 16KX36 36 589824 Ибит Парлель 0,1а 3,7 млн Druegoe fipo В дар 6 м
IDT72P51539L6BB IDT72P51539L6BB ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) CMOS Асинров ROHS COMPRINT 2009 /files/integrateddevicetechnology-idt72p51539l6bb-datasheets-7955.pdf BGA 256 256 E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ Коммер 70 ° С Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 166 мг 16KX36 36 589824 Ибит 0,1а 3,7 млн Druegoe fipo
IDT72P51539L5BB8 IDT72P51539L5BB8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 3,5 мм В 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51539l5bb8-datasheets-7830.pdf BGA 17 ММ 17 ММ 256 256 Ear99 not_compliant 8542.32.00.71 1 E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ 256 Коммер 70 ° С 1,9 1,7 Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 200 мг 16KX36 36 589824 Ибит Парлель 0,1а 3,6 млн Druegoe fipo В дар 5 млн
8N3PG10MBKI-161LFT 8n3pg10mbki-161lft ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 1 ММ В 2007 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-8n3pg10mbki161lft-datasheets-7776.pdf 7 мм 5 ММ СОУДНО ПРИОН 10 10 в дар 900 мкм Ear99 Rabothotet -c nominalnыm 3,3 В 8542.39.00.01 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран NeT -lederStva 260 2,5 В. 10 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 2.625V 2.375V 30 8n ВОДЕЛЕЙС 2 DIFERENцIAL
IDT72P51539L5BB IDT72P51539L5BB ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) CMOS Асинров ROHS COMPRINT 2009 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51539l5bb-datasheets-7738.pdf BGA 256 256 E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ Коммер 70 ° С Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 200 мг 16KX36 36 589824 Ибит 0,1а 3,6 млн Druegoe fipo
80HCPS1432CHMGI 80HCPS1432CHMGI ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 4 (72 чACA) 2,83 мм В 2015 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hcps1432chmgi-datasheets-7686.pdf 25 ММ 25 ММ СОУДНО ПРИОН 576 20 576 в дар 2,6 мм 8542.39.00.01 1 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) В дар Униджин Маян 245 1V 1 ММ 576 Промлэнно ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА 85 ° С -40 ° С Nukahan
IDT72P51369L6BBI8 IDT72P51369L6BBI8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS Асинров ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51369l6bbi8-datasheets-7655.pdf BGA 256 256 E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ Промлэнно 85 ° С -40 ° С Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 166 мг 128KX36 36 4718592 Ибит 0,1а 3,7 млн Druegoe fipo
8N3PG10MBKI-161LF 8N3PG10MBKI-161LF ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 3 (168 чASOW) 1 ММ В 2007 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-8n3pg10mbki161lf-datasheets-7642.pdf 7 мм 5 ММ СОУДНО ПРИОН 10 12 10 в дар 900 мкм Ear99 Rabothotet -c nominalnыm 3,3 В 8542.39.00.01 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран NeT -lederStva 260 2,5 В. 10 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 2.625V 2.375V 30 8n ВОДЕЛЕЙС 2 DIFERENцIAL
80HCPS1432CHMG 80HCPS1432CHMG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА 4 (72 чACA) 2,83 мм В 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-80hcps1432chmg-datasheets-7575.pdf 25 ММ 25 ММ СОУДНО ПРИОН 576 12 576 в дар 2,6 мм 8542.39.00.01 1 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) В дар Униджин Маян 245 1V 1 ММ 576 Коммер ТЕЛЕКОММУНИКАЙОНАНА 70 ° С Nukahan
IDT72P51369L6BBI IDT72P51369L6BBI ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) CMOS Асинров В 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51369l6bbi-datasheets-7524.pdf BGA 256 256 not_compliant E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ Промлэнно 85 ° С -40 ° С Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 166 мг 128KX36 36 4718592 Ибит 0,1а 3,7 млн Druegoe fipo
IDT72P51369L6BB8 IDT72P51369L6BB8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 3,5 мм ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51369l6bb8-datasheets-7442.pdf BGA 17 ММ 17 ММ 256 256 Ear99 8542.32.00.71 1 E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ 256 Коммер 70 ° С 1,9 1,7 Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 166 мг 128KX36 36 4718592 Ибит Парлель 0,1а 3,7 млн Druegoe fipo В дар 6 м
IDT72P51369L6BB IDT72P51369L6BB ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 3 (168 чASOW) CMOS Асинров ROHS COMPRINT 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51369l6bb-datasheets-7262.pdf BGA 256 256 E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ Коммер 70 ° С Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 166 мг 128KX36 36 4718592 Ибит 0,1а 3,7 млн Druegoe fipo
IDT72P51369L5BB8 IDT72P51369L5BB8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) CMOS Синжронно 3,5 мм В 2005 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-idt72p51369l5bb8-datasheets-7187.pdf BGA 17 ММ 17 ММ 256 256 Ear99 not_compliant 8542.32.00.71 1 E0 Olovo/strineц (sn63pb37) Униджин Маян 1,8 В. 1 ММ 256 Коммер 70 ° С 1,9 1,7 Fifos 1,8 В. 0,15 мая Н.Квалиирована 200 мг 128KX36 36 4718592 Ибит Парлель 0,1а 3,6 млн Druegoe fipo В дар 5 млн
8T49N242-999NLGI8 8t49n242-999nlgi8 ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С CMOS 1 ММ ROHS COMPRINT 2013 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/integrateddevicetechnology-8t49n242999nlgi8-datasheets-7140.pdf 6 мм 6 мм СОУДНО ПРИОН 40 18 40 в дар 900 мкм Alo rabothotet nnominalnomonompostawque 3,3 E3 Олово (sn) Квадран NeT -lederStva 260 2,5 В. 0,5 мм 40 Промлэнно 2.625V 2.375V Nukahan Gererator чasow, drugoй 875 мг 1000 мг
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)