Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
UARTS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Техниль PakeT / KORPUES Делина Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Wremape@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Скороп Я UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Сообщитель Graoniцa kkanirowanee Унигир Колиш ТАКТОВА Скороп Адреса иирин Иурин В конце Протокол С. МОД КОДИРОВАНА/ДЕКОДИРОВАНА ДАННАН
SC16C2550BIBS SC16C2550BIBS NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS 1 ММ ROHS COMPRINT 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 5,5 В. 2,25 В. 32 в дар 4,5 мая E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 32 Промлэнно 2 30 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 5 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 80 мг 3 8 Асинрон, nemnogo
XR16L580IMTR-F Xr16l580imtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм 48 5,5 В. 2,25 В. в дар 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Промлэнно 1 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована S-PQFP-G48 3125 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 50 мг 0,390625 мсб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR68C92CV-F Xr68c92cv-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 4 70 ° С 0 ° С CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 10 мм 10 мм СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 в дар RabothototeTpripriposque 3,3 В 1,5 мая E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,8 мм 44 Коммер 2 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1 март / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 4 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16L580IL24 XR16L580IL24 Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT Qfn 4 мм 4 мм 24 5,5 В. 2,97 24 RraTATOT PRI 2,25 В. 5,5 В. 3MA E0 Олейнн Квадран NeT -lederStva 240 0,5 мм 24 Промлэнно 1 Nukahan Секриген Конроллер Н.Квалиирована 3125 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 50 мг 0,390625 мсб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16L570IL32TR-F XR16L570IL32TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT Qfn 5,5 В. 2,97 32 3MA 1 4 марта / с
XR16L570IL32-F XR16L570IL32-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT Qfn 5 ММ 5 ММ 32 5,5 В. 1,62 В. 32 в дар 3MA E3 МАГОВОЙ Квадран NeT -lederStva 260 0,5 мм 32 Промлэнно 1 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 4 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 50 мг 0,5 мбб / с 3 8 Асинрон, nemnogo
XR17D154IVTR-F Xr17d15444ivtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 20 ММ 20 ММ 144 в дар Rabothotet pri 3,3 В. 8542.31.00.01 E3 МАГОВОЙ В дар Квадран Крхлоп Nukahan 0,5 мм 144 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Н.Квалиирована S-PQFP-G144 6,25 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Пенсионт Не В дар 4 50 мг 0,78125 мБИТ / С 32 32 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16L570IL24TR-F XR16L570IL24TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT Qfn 5,5 В. 2,97 24 3MA 1 4 марта / с
XR16L2750IMTR-F XR16L2750IMTR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TQFP 5,5 В. 2,25 В. 5 май 2 6,25 мб / с
XR16L2750IJ-F Xr16l2750ij-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 16 585 мм 16 585 мм 44 5,5 В. 2,25 В. 44 в дар 5 май E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 6,25 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 50 мг 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC16C554DIB64 SC16C554DIB64 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT 10 мм 10 мм СОУДНО ПРИОН 64 Rabothotet pri 2,25 vmionimalnoй podaч 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 64 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,63 В. 2,97 40 Секриген Конроллер 2.5/5 Н.Квалиирована S-PQFP-G64 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 80 мг 0,625 мб / с 5 8 Асинрон, nemnogo
XR17D154CVTR-F Xr17d154cvtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 20 ММ 20 ММ 144 в дар Rabothotet pri 3,3 В. 8542.31.00.01 E3 МАГОВОЙ В дар Квадран Крхлоп Nukahan 0,5 мм 144 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Н.Квалиирована S-PQFP-G144 6,25 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Пенсионт Не В дар 4 50 мг 0,78125 мБИТ / С 32 32 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16L2750CJ-F XR16L2750CJ-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 16 585 мм 16 585 мм 44 5,5 В. 2,25 В. 44 в дар 5 май E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Коммер 2 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 6,25 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 50 мг 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
TL16PNP200PH TL16PNP200PH Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 3,1 мм В QFP 20 ММ 14 ММ 80 не not_compliant В дар Квадран Крхлоп Nukahan 0,8 мм 80 Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Верный копейрллер 25 май Н.Квалиирована Артос -конролр, иса Иса 4 мг 24 8
SC16C554BIB64-S SC16C554BIB64-S NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT LQFP СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 2,25 В. 6ma 4 5 марта / с 20 млн
TL16C750IPMG4 TL16C750IPMG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT LQFP СОДЕРИТС 64 342.689036mg 5,25 В. 64 в дар Не E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Промлэнно 1 Секриген Конроллер 1 март / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 3 8 Асинрон, nemnogo
XR16L2551ILTR-F Xr16l2551iltr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT 5,5 В. 2,25 В. 3MA 2 3125 мб / с
XR88C681CP/40 Xr88c681cp/40 Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 70 ° С 0 ° С CMOS 6,35 мм ROHS COMPRINT PDIP 51,75 мм 40 5,25 В. 4,75 В. 40 15 май E0 Олейнн Дон Nukahan 40 Коммер 2 Nukahan Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1 март / с Серригн ио/конроллр С. А.С. 8080; 8080a; 8085; 8086; 8088; Z80; Z8000; 68xx; 65xx; 8051; 68HC11 Не В дар 2 4 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR17D152IMTR-F Xr17d152imtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT TQFP 6,25 мб / с
XR16L2550IL XR16L2550IL Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 CMOS 1 ММ ROHS COMPRINT 5 ММ 5 ММ 32 Tykhe rabothotet pri -miynimalnom -postaque 2,5 8542.31.00.01 E0 Олейнн Квадран NeT -lederStva 240 0,5 мм 32 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 2,25 В. Nukahan Секриген Конроллер 2.5/5 Н.Квалиирована S-XQCC-N32 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 50 мг 0,390625 мсб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16L2550IJ-F Xr16l2550ij-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT LCC 16 5862 ММ 16 5862 ММ 44 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 44 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 2,25 В. 40 Секриген Конроллер 2.5/5 Н.Квалиирована S-PQCC-J44 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 50 мг 0,390625 мсб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16L2450IM-F XR16L2450IM-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT /files/exar-xr16l2450imf-datasheets-3973.pdf TQFP 7 мм 7 мм 48 НЕИ 5,5 В. 2,25 В. 48 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 0,1875 мб / с 3 8 2,4 В. Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16L2450IJ-F Xr16l2450ij-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT LCC 16 585 мм 16 585 мм 44 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 44 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 2,25 В. 40 Секриген Конроллер 2.5/5 Н.Квалиирована S-PQCC-J44 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 24 млн 0,1875 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C864IQTR-F Xr16c864iqtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT /files/exar-xr16c864iqtrf-datasheets-2959.pdf QFP 100 5,5 В. 2,97 100 в дар 6ma E3 Олово (sn) Квадран Крхлоп 260 0,635 мм Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16C864CQTR-F Xr16c864cqtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT QFP 100 5,5 В. 2,97 100 в дар 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,635 мм Коммер 4 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR17C158IVTR-F XR17C1588888888888888888888888 гг Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT LQFP 8 6,25 мб / с
XR16C854IVTR-F Xr16c85444ivtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 CMOS ROHS COMPRINT /files/exar-xr16c85444444ivtrf-datasheets-1617.pdf LQFP 5,5 В. в дар 8542.31.00.01 E3 МАГОВОЙ 260 40 Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16C854IQTR-F Xr16c854iqtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT /files/exar-xr16c854iqtrf-datasheets-1301.pdf QFP 5,5 В. 2,97 100 в дар 6ma E3 МАГОВОЙ 260 4 40 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16C854IJTR-F Xr16c854ijtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 CMOS ROHS COMPRINT LCC 5,5 В. в дар Ear99 8542.31.00.01 E3 МАГОВОЙ 260 40 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16C854CVTR-F Xr16c854cvtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 3 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT /files/exar-xr16c854cvtrf-datasheets-0655.pdf LQFP 5,5 В. 2,97 64 в дар 6ma E3 МАГОВОЙ 260 4 40 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.