Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
UARTS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус Управый Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Поступил Кваликакахионн Статус Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй КОД JESD-30 Скороп Raзmerpmayti UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Сообщитель Graoniцa kkanirowanee Унигир Колиш ТАКТОВА Скороп Адреса иирин Иурин Протокол С. МОД КОДИРОВАНА/ДЕКОДИРОВАНА ДАННАН
ST16C552AIJ68-F ST16C552AIJ68-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 5,08 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 68 5,5 В. 2,97 68 в дар Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 68 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 0,1875 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C450IQ48TR-F ST16C450IQ48TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT TQFP 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 1,5 мбес / с
ST16C550IQ48-F ST16C550IQ48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер SMD/SMT 85 ° С -40 ° С 3MA ROHS COMPRINT TQFP 7,1 мм 1,05 мм 7,1 мм СОУДНО ПРИОН 9.071791G НЕИ 5,5 В. 2,97 48 Не 3MA 1 1,5 мбес / с 16b
IS82C52 IS82C52 Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT 1996 /files/intersil-is82c52-datasheets-7951.pdf PLCC СОДЕРИТС 4 май 28 8 5,5 В. 4,5 В. 28 не Ear99 Свине, олово Не 4 май E0 Олово/Свинен (SN/PB) Квадран J Bend 225 28 Промлэнно 1 Секриген Конроллер 1 март / с Серригн ио/конроллр С. А.С. 80C86; 80C88 Не В дар 1 2 8 Асинрон, nemnogo
IS82C50A-5Z IS82C50A-5Z Intersil (Renesas Electronics America)
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер МАССА 3 85 ° С -40 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT 1996 /files/intersil-is82c50a5z-datasheets-7858.pdf PLCC СОУДНО ПРИОН 6ma 44 8 5,5 В. 4,5 В. 44 Ear99 Не 6ma E3 МАНЕВОВО Квадран J Bend 44 Промлэнно 1 Секриген Конроллер 625 Серригн ио/конроллр С. А.С. 80C86; 80C88 Не В дар 1 3 8 Асинрон, nemnogo
ST16C550IJ44-F ST16C550IJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 16,66 мм 3,68 мм 16,66 мм СОУДНО ПРИОН 44 НЕИ 5,5 В. 2,97 44 в дар Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Промлэнно 1 40 Секриген Конроллер 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 1 24 млн Асинрон, nemnogo Невзгоды
SCC2681AC1N28,129 SCC2681AC1N28,129 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT PDIP 5,25 В. 4,75 В. 28 10 май 28 2
XR16M770IL32-F XR16M770IL32-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер CMOS ROHS COMPRINT Qfn 32 32 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С Секриген Конроллер 1,8/3,3 В. Н.Квалиирована Серригн ио/конроллр С. А.С.
ST16C550CP40-F ST16C550CP40-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 70 ° С 0 ° С 3MA ROHS COMPRINT PDIP 53,21 мм 4,95 мм 14,73 мм СОУДНО ПРИОН 5.953513G НЕИ 5,5 В. 2,97 40 Не 3MA 1 1,5 мбес / с 16b
ST16C550CP40 ST16C550CP40 Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT PDIP 5,5 В. 2,97 40 3MA 1 1,5 мбес / с
ST16C550CJ44-F ST16C550CJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 16,66 мм 3,68 мм 16,66 мм СОУДНО ПРИОН 44 НЕИ 5,5 В. 2,97 44 в дар Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Коммер 1 40 Секриген Конроллер 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 1 24 млн Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C454IJ68-F ST16C454IJ68-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 5,08 мм ROHS COMPRINT LCC СОУДНО ПРИОН 68 5,5 В. 2,97 68 в дар RabothototeTpripriposque 3,3 В 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 68 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 0,1875 мб / с 5 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C454CJ68-F ST16C454CJ68-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 24,33 ММ 3,68 мм 24,33 ММ СОУДНО ПРИОН 68 5,5 В. 2,97 68 в дар RabothototeTpripriposque 3,3 В 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 68 Коммер 4 Nukahan Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C452CJ68-F ST16C452CJ68-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 24,33 ММ 5,08 мм 24,33 ММ СОУДНО ПРИОН 68 5,5 В. 2,97 68 в дар Не 5 май E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 68 Коммер 2 40 Секриген Конроллер 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
TL16PNP100APT TL16PNP100APT Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1,6 ММ В LQFP 7 мм 7 мм СОДЕРИТС 48 не not_compliant 8542.31.00.01 В дар Квадран Крхлоп Nukahan 0,5 мм 48 Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Верный копейрллер 0,7 ма Н.Квалиирована S-PQFP-G48 МИКРОПРЕССОНА АНАСА
XR16M770IB25-F XR16M770IB25-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер CMOS ROHS COMPRINT BGA 25 25 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Униджин М 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С Секриген Конроллер 1,8/3,3 В. Н.Квалиирована Серригн ио/конроллр С. А.С.
ST16C450IQ48-F ST16C450IQ48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 3MA 1,2 ММ ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 48 9.071791G 5,5 В. 48 в дар Rabothotet pri 2,97- 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Промлэнно 40 Секриген Конроллер 3.3/5. Н.Квалиирована 921,6 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 1 24 млн 0,1875 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC16C652IB48 SC16C652IB48 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 48 Rabothotet pri 2,5. 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,63 В. 2,97 40 Секриген Конроллер 3.3/5. Н.Квалиирована S-PQFP-G48 5 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 80 мг 3 8 Асинрон, nemnogo
ST16C450IJ44-F ST16C450IJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 в дар Ear99 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Промлэнно 1 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 1 24 млн 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C450CP40-F ST16C450CP40-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru МАССА 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT PDIP СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 2,97 40 Не 3MA 1 1,5 мбес / с
ST16C2552IJ44-F ST16C2552IJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 16,66 мм 3,68 мм 16,66 мм СОУДНО ПРИОН 44 НЕИ 5,5 В. 2,97 44 в дар 5A991 Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер 4 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 64 мг 0,5 мбб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C2552CJ44-F ST16C2552CJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS 3MA ROHS COMPRINT PLCC 16,66 мм 3,68 мм 16,66 мм СОУДНО ПРИОН 44 2.386605G НЕИ 5,5 В. 2,97 44 в дар 5A991 Otakж rabothotet pri 3,3 Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Коммер 2 40 Секриген Конроллер 4 марта / с 16b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 64 мг 0,5 мбб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C2550IQ48-F ST16C2550IQ48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 SMD/SMT 85 ° С -40 ° С CMOS 3MA ROHS COMPRINT TQFP 7,1 мм 1,2 ММ 7,1 мм СОУДНО ПРИОН 48 9.071791G НЕИ 5,5 В. 2,97 48 Uart в дар 5A991.B RabothototeTpripriposque 3,3 В Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 85 ° С 4 марта / с 16b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 64 мг 0,5 мбб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16M680IM48-F Xr16m680im48-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TQFP 48 3,63 В. 1,62 В. 48 2,5 мая E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 0,5 мм Промлэнно 1 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 16 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
ST16C2550CQ48TR-F ST16C2550CQ48TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT TQFP 7,1 мм 1,05 мм 7,1 мм СОУДНО ПРИОН 48 5,5 В. 2,97 48 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 0,5 мм Коммер 2 Секриген Конроллер 3.3/5. Н.Квалиирована 4 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
ST16C2550CJ44-F ST16C2550CJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С CMOS 3MA ROHS COMPRINT PLCC 16,66 мм 3,68 мм 16,66 мм СОУДНО ПРИОН 44 2.386605G НЕИ 5,5 В. 2,97 44 в дар RabothototeTpripriposque 3,3 В Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Коммер 2 40 Секриген Конроллер 3/5. 4 марта / с 16b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 64 мг 0,5 мбб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C2450IJ44-F ST16C2450IJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 в дар 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 0,1875 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16M680IL32-F XR16M680IL32-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер CMOS ROHS COMPRINT Qfn 32 32 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С Секриген Конроллер 1,8/3,3 В. Н.Квалиирована Серригн ио/конроллр С. А.С.
SC16C650BIBS SC16C650BIBS NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 5,5 В. 2,25 В. 32 в дар Так -rabothotet pri 2,5 ali 3,3 В. 4,5 мая E4 Ngecely palladyй В дар Квадран NeT -lederStva 260 0,5 мм 32 Промлэнно 1 30 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 3 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 48 мг 0,375 мБИТ / С 3 8 Асинрон, nemnogo
ST16C1551CQ48-F ST16C1551CQ48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер CMOS 1,2 ММ ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм 48 в дар 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Коммер 70 ° С 5,5 В. 2,97 40 Секриген Конроллер 3/5. Н.Квалиирована S-PQFP-G48 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 24 млн 0,1875 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.