Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
UARTS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Имен PBFREE CODE Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee HTS -KOD Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус ДАТАПЕРКЕРКИ СТАТУСА Скороп Raзmerpmayti Nomer- /Водад ШIrIna шinыdannnых UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Power Dissipation-Max Сообщитель Graoniцa kkanirowanee Унигир Колиш ТАКТОВА Скороп Адреса иирин Иурин Протокол С. МОД КОДИРОВАНА/ДЕКОДИРОВАНА ДАННАН
SC16C654BIB64S SC16C654BIB64S NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT LQFP СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 2,25 В. 6ma 4 5 марта / с
XR16V564IV80-F Xr16v564iv80-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 3MA 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 12 ММ 12 ММ СОУДНО ПРИОН 80 639,990485 м 3,6 В. 2,25 В. 80 в дар Rabothotet pri 2,5. E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 80 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер 2,5/3,3 В. Н.Квалиирована 16 марта / с 32B Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 2 марта / с 3 8 Асинрон, nemnogo
XR16V564IV-F Xr16v564iv-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер ROHS COMPRINT LQFP 16 марта / с
ST78C36CJ44-F ST78C36CJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS 7ma 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC 16 5862 ММ 16 5862 ММ СОУДНО ПРИОН 44 2.386605G 44 в дар 1 Ear99 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 44 Коммер 5,5 В. 4,5 В. 40 Prallelgnый io port Н.Квалиирована 8 Prallegnый io -port, и
XR16V564IL-F XR16V564IL-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 3MA 1 ММ ROHS COMPRINT Qfn 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 48 150.507618mg 3,6 В. 2,25 В. в дар Rabothotet pri 2,5. E3 МАГОВОЙ Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер 2,5/3,3 В. Н.Квалиирована 16 марта / с 32B Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 2 марта / с 3 8 Асинрон, nemnogo
ST78C34CJ44-F ST78C34CJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS 4 май 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC 16 5862 ММ 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 44 2.386605G 44 Парлель в дар 1 Ear99 8542.39.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 44 Коммер 40 Н.Квалиирована 20 8B 500 м
XR20M1280IL24TR-F XR20M1280IL24TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 2 85 ° С -40 ° С CMOS 1 ММ ROHS COMPRINT Qfn СОУДНО ПРИОН 24 3,63 В. 1,62 В. в дар 2,5 мая E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 24 Промлэнно 4 40 24 марта / с Серридж и конроллр С. А.И. Не В дар 1 3 марта / с 2 I2c Невзгоды
SC16C654BIEC SC16C654BIEC NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 2 85 ° С -40 ° С CMOS 1,5 мм ROHS COMPRINT 6 мм 6 мм СОУДНО ПРИОН 64 5,5 В. 2,25 В. 64 Так -азабол 2,5- или 5в. 6ma В дар Униджин М 260 0,5 мм 64 Промлэнно 4 30 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 5 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 80 мг 5 8 Асинрон, nemnogo
ST16C654IQ64-F ST16C654IQ64-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT LQFP 10 мм 1,4 мм 10 мм СОУДНО ПРИОН 64 342.689036mg НЕИ 5,5 В. 2,97 64 в дар Ear99 Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с 16b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C654IQ100-F ST16C654IQ100-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 4 85 ° С -40 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT QFP 20 ММ СОУДНО ПРИОН 100 8.190007G 5,5 В. 2,97 100 в дар Ear99 Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,65 мм 100 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с 64b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 0,1875 мб / с 5 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16V554IVTR-F XR16V554444IVTR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT LQFP 3,3 В. 3,6 В. 2,25 В. 3MA 4 4 марта / с
ST16C654IJ68-F ST16C654IJ68-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT PLCC 24,33 ММ 5,08 мм 24,33 ММ СОУДНО ПРИОН 68 4.869796G 5,5 В. 2,97 68 в дар Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 68 Промлэнно 4 10 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C654DCQ64-F ST16C654DCQ64-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 70 ° С 0 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT LQFP 10,1 мм 1,45 мм 10,1 мм СОУДНО ПРИОН 64 342.689036mg НЕИ 5,5 В. 2,97 64 в дар Ear99 Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Коммер 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C654CQ64-F ST16C654CQ64-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 SMD/SMT 70 ° С 0 ° С CMOS 6ma 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 10 мм 10 мм СОУДНО ПРИОН 64 342.689036mg НЕИ 5,5 В. 2,97 64 в дар 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Коммер 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. Н.Квалиирована 1,5 мбес / с 64b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 0,1875 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC28L92A1B/G,528 SC28L92A1B/G, 528 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT 44 2013-06-14 00:00:00
ST16C654CJ68-F ST16C654CJ68-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 SMD/SMT 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 24,33 ММ 5,08 мм 24,33 ММ СОУДНО ПРИОН 68 5,5 В. 2,97 68 в дар Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 68 Коммер 4 40 Секриген Конроллер 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16V2750IMTR-F XR16V2750IMTR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT TQFP
ST16C650IJ44-F ST16C650IJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT PLCC 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 3125 мб / с
ST16C650AIQ48-F ST16C650AIQ48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 48 5,5 В. 2,9 В. 48 в дар Не 3MA E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Промлэнно 1 40 Секриген Конроллер 3125 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Иса Не В дар 1 50 мг 0,390625 мсб / с 10 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C580CQ48-F ST16C580CQ48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 48 5,5 В. 2,97 48 в дар Ear99 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Коммер 1 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 24 млн 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16V654IV64-F Xr16v654iv64-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В
ST16C554DIQ64-F ST16C554DIQ64-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 SMD/SMT 85 ° С -40 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT LQFP 10,1 мм 1,45 мм 10,1 мм СОУДНО ПРИОН 64 342.689036mg НЕИ 5,5 В. 2,97 64 в дар 5A991 Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с 16b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 4 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C554DIJ68-F ST16C554DIJ68-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 24,33 ММ 3,68 мм 24,33 ММ СОУДНО ПРИОН 68 НЕИ 5,5 В. 2,97 68 в дар 5A991 Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 68 Промлэнно 4 30 Секриген Конроллер 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 4 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C554DCQ64-F ST16C554DCQ64-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 SMD/SMT 70 ° С 0 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT LQFP 10,1 мм 1,45 мм 10,1 мм СОУДНО ПРИОН 64 342.689036mg НЕИ 5,5 В. 2,97 64 в дар 5A991 Не 6ma E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Коммер 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с 16b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 4 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC16C654BIA68 SC16C654BIA68 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 80 мг ROHS COMPRINT PLCC 24,33 ММ 4,06 мм 24,33 ММ СОУДНО ПРИОН 68 НЕТ SVHC 5,5 В. 2,25 В. 68 в дар Так -азабол 2,5- или 5в. 6ma E3 Олово (sn) Квадран J Bend 245 1,27 ММ 68 Промлэнно 4 30 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 5 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 Асинрон, nemnogo
XR20M1172IG28TR-F XR20M1172IG28TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 CMOS 1,2 ММ ROHS COMPRINT TSSOP 9,7 мм 4,4 мм 3,6 В. СОУДНО ПРИОН 28 28 в дар 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 28 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,63 В. 40 Секриген Конроллер 1,8/3,3 В. Н.Квалиирована 16 марта / с Серридж и конроллр С. А.И. Не В дар 2 24 млн 2 марта / с 2 I2c Невзгоды
ST16C554CQ64-F ST16C554CQ64-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 SMD/SMT 70 ° С 0 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT LQFP 10,1 мм 1,45 мм 10,1 мм СОУДНО ПРИОН 64 342.689036mg НЕИ 5,5 В. 2,97 64 в дар 5A991 Не 6ma E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Коммер 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с 16b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 4 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16V2550ILTR-F Xr16v2550iltr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 CMOS ROHS COMPRINT Qfn 32 32 в дар 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 260 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 40 Секриген Конроллер 2,5/3,3 В. Н.Квалиирована Серригн ио/конроллр С. А.С.
ST16C552IJ68-F ST16C552IJ68-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 24,33 ММ 3,68 мм 24,33 ММ СОУДНО ПРИОН 68 5,5 В. 2,97 68 в дар Ear99 Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 68 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C552CJ68-F ST16C552CJ68-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 24,33 ММ 5,08 мм 24,33 ММ СОУДНО ПРИОН 68 НЕИ 5,5 В. 2,97 68 в дар Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 68 Коммер 2 40 Секриген Конроллер 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.