Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
UARTS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee HTS -KOD О.К.Ко Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Скороп Raзmerpmayti UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Сообщитель Graoniцa kkanirowanee Унигир Колиш ТАКТОВА Скороп Адреса иирин Иурин Протокол С. МОД КОДИРОВАНА/ДЕКОДИРОВАНА ДАННАН
XR88C92IJTR-F Xr88c92ijtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC 16 585 мм 16 585 мм СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 1,5 мая E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend Nukahan Промлэнно 2 Nukahan 1 март / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 4 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C850CJ-F XR16C850CJ-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 в дар RabothototeTpri -минимум 2,97 Не 4 май E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Коммер 1 40 Секриген Конроллер 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Иса Не В дар 1 36 мг 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR88C92CVTR-F Xr88c92cvtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 10 мм 10 мм 44 5,5 В. 2,97 1,5 мая E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп Nukahan 0,8 мм Коммер 2 Nukahan S-PQFP-G44 1 март / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 4 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C2852CJ-F XR16C2852CJ-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 16,66 мм 3,68 мм 16,66 мм СОУДНО ПРИОН 44 НЕИ 5,5 В. 2,97 44 в дар RabothototeTpripriposque 3,3 В Не 4 май E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Коммер 2 40 Секриген Конроллер 3,1 мсб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 50 мг Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C2850IM-F XR16C2850IM-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 SMD/SMT 85 ° С -40 ° С CMOS 3MA ROHS COMPRINT TQFP 7,1 мм 1,05 мм 7,1 мм СОУДНО ПРИОН 48 9.071791G НЕИ 5,5 В. 2,97 48 в дар Ear99 Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 6,25 мб / с 128b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 Асинрон, nemnogo
XR88C192IVTR-F Xr88c192ivtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 3 CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 10 мм 10 мм 44 в дар Rabothotottpripriposque 3,3 -pri -8 -mmgц 8542.31.00.01 E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 0,8 мм 44 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 2,97 40 S-PQFP-G44 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 24 млн 0,125 мБИТ / С 4 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C2850CM-F XR16C2850CM-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 SMD/SMT 70 ° С 0 ° С CMOS 3MA ROHS COMPRINT TQFP 7,1 мм 1,05 мм 7,1 мм СОУДНО ПРИОН 48 9.071791G НЕИ 5,5 В. 2,97 48 в дар Ear99 Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Коммер 2 40 Секриген Конроллер 6,25 мб / с 128b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 Асинрон, nemnogo
XR16C2850CJ-F XR16C2850CJ-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC 16 585 мм 16 585 мм СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 в дар Ear99 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Коммер 2 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 6,25 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 3 8 Асинрон, nemnogo
ST16C554DCJ68TR-F ST16C554DCJ68TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 68 5,5 В. 2,97 68 Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 1,27 ММ Коммер 4 Секриген Конроллер 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16C2550IM-F XR16C2550IM-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 48 5,5 В. 2,97 48 в дар Не 3MA E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер 4 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 64 мг 0,5 мбб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR68M752IL32TR-F XR68M752IL32TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT Qfn 32
XR16C2550IJ-F Xr16c2550ij-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT LCC 16 585 мм 16 585 мм 44 5,5 В. в дар 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 44 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 40 Секриген Конроллер 3.3/5. Н.Квалиирована S-PQCC-J44 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 64 мг 0,5 мбб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR68M752IB49-F Xr68m752ib49-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 4 CMOS 1,18 мм ROHS COMPRINT TFBGA 4 мм 4 мм 49 Rabothototetpripripodahe 1,8 ali 2,5 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Униджин М 245 3,3 В. 0,5 мм 49 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,63 В. 2,97 40 Секриген Конроллер 1,8/3,3 В. Н.Квалиирована S-PBGA-B49 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 64 мг 2 марта / с 3 8 Асинрон, nemnogo
XR68C681P-F Xr68c681p-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 85 ° С -40 ° С CMOS 6,35 мм ROHS COMPRINT PDIP 51,75 мм 40 4,75 В. 40 Ear99 15 май E3 МАГОВОЙ Дон Nukahan 40 Промлэнно 2 Nukahan Н.Квалиирована 1 март / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 4 мг 4 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR68C192CVTR-F Xr68c192cvtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT LQFP 5,5 В. 2,97 1,5 мая 2 1 март / с
ST16C650CQ48-F ST16C650CQ48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS ROHS COMPRINT TQFP 5,5 В. СОУДНО ПРИОН 48 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран Крхлоп 0,5 мм Коммер 70 ° С Секриген Конроллер Н.Квалиирована S-PQFP-G48 3125 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
SCC2691AE1A28,129 SCC2691AE1A28,129 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 4,5 В. 28 2,5 мая 28 1
XR20M1172G28-0A-EB XR20M1172G28-0A-EB Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TSSOP 3,6 В. 1,62 В. В дар 500 мк 2 16 марта / с
ST68C554IJ68-F ST68C554IJ68-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 5,08 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 68 5,5 В. 2,97 68 в дар Ear99 RabothototeTpripriposque 3,3 В 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend Nukahan 1,27 ММ 68 Промлэнно 4 Nukahan Секриген Конроллер 3.3/5. Н.Квалиирована 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 4 0,1875 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC16C654BIBS SC16C654BIBS NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 2 85 ° С -40 ° С CMOS 1 ММ ROHS COMPRINT 6 мм 6 мм СОУДНО ПРИОН 48 5,5 В. 2,25 В. 48 в дар Так -азабол 2,5- или 5в. 6ma E4 Ngecely palladyй В дар Квадран NeT -lederStva 260 48 Промлэнно 4 30 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 5 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 80 мг 5 8 Асинрон, nemnogo
XR20M1170IG16 XR20M1170IG16 Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 4,4 мм 16 3,6 В. 1,62 В. 16 500 мк Дон Крхлоп 225 3,3 В. 0,65 мм 16 Промлэнно 1 Nukahan Секриген Конроллер Н.Квалиирована 16 марта / с Серридж и конроллр С. А.И. Не Не 8 24 млн 2 марта / с I2c
XR20M1170G24-0B-EB XR20M1170G24-0B-EB Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TSSOP 3,6 В. 1,62 В. В дар 500 мк 1 16 марта / с
ST16C650ACJ44-F ST16C650ACJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS 3MA 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 44 2.386605G 5,5 В. 2,9 В. 44 в дар 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Коммер 1 40 Секриген Конроллер 3.3/5. Н.Квалиирована 3125 мб / с 32B Серригн ио/конроллр С. А.С. Иса Не В дар 1 50 мг 0,390625 мсб / с 10 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16M752IM48TR-F Xr16m752im48tr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TQFP СОУДНО ПРИОН 3,63 В. 1,62 В. 48 Не 2MA 2 16 марта / с
XR16V2551IM-F Xr16v2551im-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер CMOS 1,2 ММ ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм 3,6 В. СОУДНО ПРИОН 48 в дар Rabothototetpripripodahe 2,5- прри 50 мг. 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,63 В. 40 Секриген Конроллер 2,5/3,3 В. Н.Квалиирована S-PQFP-G48 16 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 64 мг 2 марта / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16L2752CJTR-F XR16L2752CJTR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT LCC СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 2,25 В. 4 май 2 6,25 мб / с
XR19L400IL40TR-F XR19L400IL40TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) ROHS COMPRINT Qfn 40 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Nukahan Nukahan Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16L580IL24TR-F XR16L580IL24TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 2 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT Qfn 4 мм 4 мм СОУДНО ПРИОН 24 5,5 В. 2,25 В. 24 в дар 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 260 0,5 мм 24 Промлэнно 1 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 3125 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 50 мг 0,390625 мсб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16L570IL24-F XR16L570IL24-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT QFN EP 4,1 мм 950 мкм 4,1 мм СОУДНО ПРИОН 24 5,5 В. 1,62 В. 24 в дар 3MA E3 МАГОВОЙ Квадран NeT -lederStva 260 0,5 мм 24 Промлэнно 1 40 Н.Квалиирована 4 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 50 мг 0,5 мбб / с Асинрон, nemnogo
XR16L2752CJ-F XR16L2752CJ-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC 16 585 мм 16 585 мм СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,25 В. 44 в дар Не 4 май E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Коммер 2 40 Секриген Конроллер 6,25 мб / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 50 мг 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.