Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
UARTS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Вернояж Весели МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Скороп Raзmerpmayti Nomer- /Водад UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Сообщитель Graoniцa kkanirowanee Унигир Колиш ТАКТОВА Скороп Адреса иирин Иурин Протокол С. МОД КОДИРОВАНА/ДЕКОДИРОВАНА ДАННАН
XR16C864IQ-F Xr16c864iq-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT QFP 20,1 мм 3,05 мм 14,1 мм СОУДНО ПРИОН 100 НЕИ 5,5 В. 2,97 100 в дар Не 6ma E3 Олово (sn) Квадран Крхлоп 250 0,65 мм 100 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 0,25 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C864CQ-F Xr16c864cq-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С 6ma ROHS COMPRINT PQFP СОУДНО ПРИОН 657.000198mg 5,5 В. 2,97 100 Не 6ma 4 2 марта / с 128b
ST16C2550IJ44-F ST16C2550IJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 16,66 мм 4,57 мм 16,66 мм СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 в дар RabothototeTpripriposque 3,3 В Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 4 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 64 мг 0,5 мбб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C854IV-F Xr16c854iv-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT LQFP 10,1 мм 1,45 мм 10,1 мм СОУДНО ПРИОН 64 342.689036mg НЕИ 5,5 В. 2,97 64 в дар Ear99 Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 2 марта / с 128b 8 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 32 мг 0,25 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C1550CJ28TR-F ST16C1550CJ28TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 70 ° С 0 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 28 5,5 В. 2,97 28 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend Nukahan Коммер 1 Nukahan 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 24 млн 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C1551IJ28-F ST16C1551IJ28-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 28 5,5 В. 2,97 28 в дар Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 28 Промлэнно 1 40 Секриген Конроллер 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 24 млн 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C854IQ-F Xr16c854iq-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 4 85 ° С -40 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT QFP 20,1 мм 3,05 мм 14,1 мм СОУДНО ПРИОН 100 8.190007G 5,5 В. 2,97 100 в дар Ear99 Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,65 мм 100 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 2 марта / с 128b 8 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 32 мг 0,25 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC16C654DBIB64 SC16C654DBIB64 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 1 SMD/SMT 85 ° С -40 ° С CMOS 80 мг ROHS COMPRINT LQFP 10,1 мм 1,45 мм 10,1 мм СОУДНО ПРИОН 64 НЕТ SVHC 5,5 В. 2,25 В. 64 в дар Так -азабол 2,5- или 5в. 6ma E3 Олово (sn) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Промлэнно 4 30 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 5 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 Асинрон, nemnogo
ST16C554DIQ64TR-F ST16C554DIQ64TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 10 мм 10 мм СОУДНО ПРИОН 64 5,5 В. 2,97 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 0,5 мм Промлэнно 4 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 4 0,1875 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo
ST16C2450CJ44-F ST16C2450CJ44-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 16,66 мм 3,68 мм 16,66 мм СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 в дар Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран J Bend 260 44 Коммер 2 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C2450CP40F ST16C2450CP40F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT PDIP СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 2,97 40 3MA 2 1,5 мбес / с
XR16C854DIV-F Xr16c854div-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT LQFP 10,1 мм 1,45 мм 10,1 мм СОУДНО ПРИОН 64 342.689036mg НЕИ 5,5 В. 2,97 64 в дар Ear99 Не 6ma E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 32 мг 0,25 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C1550IQ48-F ST16C1550IQ48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 48 5,5 В. 2,97 48 в дар Не 3MA E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Промлэнно 1 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 24 млн 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16L784IVTR-F Xr16l784ivtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT LQFP 5,5 В. 2,97 64 5 май 4 6,25 мб / с
ST16C1450IJ28-F ST16C1450IJ28-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 28 5,5 В. 2,97 28 в дар E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран J Bend 260 28 Промлэнно 1 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 24 млн 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC16C850LIBS SC16C850LIBS NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 5 ММ 5 ММ 1,8 В. 32 1,95 1,65 В. 32 в дар 2MA E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Квадран NeT -lederStva 260 1,8 В. 0,5 мм 32 Промлэнно 1 30 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 5 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 80 мг 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C854DCV-F XR16C854DCV-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 70 ° С 0 ° С CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 10 мм 10 мм СОУДНО ПРИОН 64 5,5 В. 2,97 64 в дар Не 6ma E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Коммер 4 40 Секриген Конроллер 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 32 мг 0,25 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C2450CQ48-F ST16C2450CQ48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 48 5,5 В. 2,97 48 в дар 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Коммер 2 40 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не Не 2 0,1875 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C854CQ-F Xr16c854cq-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 70 ° С 0 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT QFP 20 ММ СОУДНО ПРИОН 100 8.190007G 5,5 В. 2,97 100 в дар Ear99 Не 6ma E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 0,65 мм 100 Коммер 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 2 марта / с 128b Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 32 мг 0,25 мб / с 5 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C450CJ44TR-F ST16C450CJ44TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 2,97 44 3MA 1 1,5 мбес / с
XR16C854CJ-F XR16C854CJ-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC 24,33 ММ 3,68 мм 24,33 ММ СОУДНО ПРИОН 68 5,5 В. 2,97 68 в дар Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 1,27 ММ 68 Коммер 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 32 мг 0,25 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C1551CJ28-F ST16C1551CJ28-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 28 5,5 В. 2,97 28 в дар Не 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 28 Коммер 1 40 Секриген Конроллер 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 24 млн 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC16C850IET SC16C850IET NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TFBGA 3,5 мм 3,5 мм 3,3 В. 36 3,63 В. 2,25 В. TykhemeTraTATH 2MA E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) В дар Униджин М 260 3,3 В. 0,5 мм 36 Промлэнно 1 30 Секриген Конроллер Н.Квалиирована S-PBGA-B36 5 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 80 мг 3 8 Асинрон, nemnogo
XR16C850IJ-F Xr16c850ij-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 в дар RabothototeTpri -минимум 2,97 Не 4 май E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend 260 44 Промлэнно 1 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 2 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Иса Не В дар 1 36 мг 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C2550CJ44TR-F ST16C2550CJ44TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Лю 70 ° С 0 ° С CMOS ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран J Bend Коммер 2 Секриген Конроллер 3.3/5. Н.Квалиирована 4 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
TL16PNP550AFN TL16PNP550AFN Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 4,57 мм В PLCC 24,23 мм 24,23 мм СОДЕРИТС 68 не not_compliant 8542.31.00.01 В дар Квадран J Bend Nukahan 1,27 ММ 68 Коммер 70 ° С 5,25 В. 4,75 В. Nukahan Drugie -микропрохессой Н.Квалиирована S-PQCC-J68 Серригн ио/конроллр С. А.С. Иса Не Не 1 22 мг 0,125 мБИТ / С 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16C850CM-F XR16C850CM-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 70 ° С 0 ° С CMOS 4 май ROHS COMPRINT TQFP 7,1 мм 1,05 мм 7,1 мм СОУДНО ПРИОН 48 9.071791G НЕИ 5,5 В. 2,97 48 в дар Не 4 май E3 МАГОВОЙ Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 48 Коммер 1 40 Секриген Конроллер 2 марта / с 128b Серригн ио/конроллр С. А.С. Иса Не В дар 1 36 мг Асинрон, nemnogo Невзгоды
ST16C2550IQ48TR-F ST16C2550IQ48TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TQFP СОУДНО ПРИОН 48 5,5 В. 2,97 48 3MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 0,5 мм Промлэнно 2 Секриген Конроллер 3.3/5. Н.Квалиирована 4 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
SC16C751BIBS SC16C751BIBS NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 5 ММ 5 ММ 32 5,5 В. 2,25 В. 24 Rabothotet pri 2,5. 4,5 мая E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 32 Промлэнно 1 30 Секриген Конроллер Н.Квалиирована S-PQCC-N32 5 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 80 мг 3 8 Асинрон, nemnogo
ST16C654DIQ64-F ST16C654DIQ64-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 6ma ROHS COMPRINT LQFP 10 мм 1,4 мм 10 мм СОУДНО ПРИОН 64 360.605934mg НЕИ 5,5 В. 2,97 64 в дар Не 6ma E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 0,5 мм 64 Промлэнно 4 40 Секриген Конроллер 3.3/5. 1,5 мбес / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 0,1875 мб / с Асинрон, nemnogo Невзгоды

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.