Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
UARTS - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колиство Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист PBFREE CODE КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Подкейгория Питания Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Скороп Raзmerpmayti DefereneNцiAlnый whod Вес ИНЕРФЕРА Недомер Nomer- /Водад UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS Колиствоэвов Graoniцa kkanirowanee Унигир Колиш ТАКТОВА Скороп Адреса иирин Иурин Протокол С. МОД КОДИРОВАНА/ДЕКОДИРОВАНА ДАННАН
ST16C1551CJ28TR-F ST16C1551CJ28TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT PLCC
ST16C1550IQ48TR-F ST16C1550IQ48TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 1,2 ММ ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм 48 в дар 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран Крхлоп Nukahan 0,5 мм Промлэнно 85 ° С -40 ° С 5,5 В. 2,97 Nukahan S-PQFP-G48 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 24 млн 0,1875 мб / с 3 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC26C92A1A SC26C92A1A NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 8 мг 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC 16 585 мм 16 585 мм СОУДНО ПРИОН 44 НЕТ SVHC 5,5 В. 4,5 В. 44 в дар Ear99 Не 10 май E3 Олово (sn) Квадран J Bend 245 44 Промлэнно 2 30 Секриген Конроллер 230,4 15 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 4 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
XR16M770IL24-F XR16M770IL24-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT Qfn СОУДНО ПРИОН 24 НЕИ 3,63 В. 1,62 В. 24 2,5 мая E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 0,5 мм Промлэнно 1 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 16 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
ST16C1450IQ48TR-F ST16C1450IQ48TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TQFP 48
SC16C554DIA68 SC16C554DIA68 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC 24,23 мм 24,23 мм СОУДНО ПРИОН 68 68 Rabothotet pri 2,25 vmionimalnoй podaч 8542.31.00.01 В дар Квадран J Bend 245 3,3 В. 1,27 ММ 68 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,63 В. 2,97 40 Секриген Конроллер 2.5/5 Н.Квалиирована 5 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 4 80 мг 5 8 Асинрон, nemnogo
ST16C1450IJ28TR-F ST16C1450IJ28TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Lenta и катахка (tr) 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT LCC 28 1,5 мбес / с
ST16C1450CQ48TR-F ST16C1450CQ48TR-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT TQFP 48
XR19L202IL48-F XR19L202IL48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 1 ММ ROHS COMPRINT Qfn 7 мм 7 мм СОУДНО ПРИОН 48 5,5 В. 3,3 В. Ear99 3 45 май E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 260 0,5 мм 48 Промлэнно 2 40 Н.Квалиирована S-XQCC-N48 1 март / с Не ШMITTTTTTTTTT Смотрейк 3 3
XR88C192CVTR-F Xr88c192cvtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 3 CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 10 мм 10 мм 44 в дар Rabothotottpripriposque 3,3 -pri -8 -mmgц 8542.31.00.01 E3 МАГОВОЙ В дар Квадран Крхлоп 260 0,8 мм 44 Коммер 70 ° С 5,5 В. 2,97 40 Секриген Конроллер 3.3/5. Н.Квалиирована S-PQFP-G44 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 24 млн 0,125 мБИТ / С 4 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC16C750BIBS SC16C750BIBS NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 5,5 В. 2,25 В. 32 в дар 4,5 мая E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Квадран NeT -lederStva 260 0,5 мм 32 Промлэнно 1 30 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 3 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 1 48 мг 0,375 мБИТ / С 3 8 Асинрон, nemnogo
XR16M781IL32-F XR16M781IL32-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT Qfn СОУДНО ПРИОН 32 НЕИ 3,63 В. 1,62 В. 32 2MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 0,5 мм Промлэнно 1 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 20 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16M781IB25-F XR16M781IB25-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT BGA СОУДНО ПРИОН 25 НЕИ 3,63 В. 1,62 В. 25 2MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Униджин М 0,5 мм Промлэнно 1 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 20 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16M698IQ100-F XR16M698IQ100-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 4 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT QFP СОУДНО ПРИОН 100 3,63 В. 1,62 В. 100 2MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 0,635 мм Промлэнно 8 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 15 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16M681IL32-F XR16M681IL32-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT Qfn СОУДНО ПРИОН 32 НЕИ 3,63 В. 1,62 В. 32 2MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 0,5 мм Промлэнно 1 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 20 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16M681IB25-F XR16M681IB25-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT BGA СОУДНО ПРИОН НЕИ 3,63 В. 1,62 В. 25 2MA 1 20 марта / с
XR16M581IL32-F XR16M581IL32-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT Qfn СОУДНО ПРИОН 32 НЕИ 3,63 В. 1,62 В. 32 2MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 0,5 мм Промлэнно 1 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 20 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR16M581IB25-F XR16M581IB25-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT BGA СОУДНО ПРИОН 25 НЕИ 3,63 В. 1,62 В. 25 2MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Униджин М 0,5 мм Промлэнно 1 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 20 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR82C684CJTR-F Xr82c684cjtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT PLCC 5,25 В. 4,75 В. 68 15 май 4 1 март / с
XR16M570IL24-F XR16M570IL24-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 85 ° С -40 ° С CMOS 2MA ROHS COMPRINT Qfn 4,1 мм 950 мкм 4,1 мм СОУДНО ПРИОН 24 928.191737mg 3,63 В. 1,62 В. 24 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 0,5 мм Промлэнно 1 Секриген Конроллер Н.Квалиирована 16 марта / с 16b Серригн ио/конроллр С. А.С.
XR68M752IM48TR-F Xr68m752im48tr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 ROHS COMPRINT TQFP 3,6 В. СОУДНО ПРИОН 16 марта / с
XR16M752IL32-F XR16M752IL32-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 1 ММ ROHS COMPRINT Qfn 5 ММ 5 ММ СОУДНО ПРИОН 32 3,63 В. 1,62 В. в дар 2MA E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 32 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер 1,8/3,3 В. Н.Квалиирована 16 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 64 мг 3 8 Асинрон, nemnogo
TL16C752PT TL16C752PT Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 МАССА CMOS 1,6 ММ В LQFP 7 мм 7 мм СОДЕРИТС 48 не not_compliant В дар Квадран Крхлоп Nukahan 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,6 В. 2 Nukahan Секриген Конроллер 3,3 В. Н.Квалиирована S-PQFP-G48 3,13 мбрит / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 50 мг 3 8 Асинрон, nemnogo
SCC2691AC1A28,129 SCC2691AC1A28,129 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT PLCC СОУДНО ПРИОН 2MA 5,5 В. 4,5 В. 28 2MA 28 1
SCC2681AE1N28,129 SCC2681AE1N28,129 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT PDIP СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 4,5 В. 28 Не 10 май 28 2
XR88C192CJTR-F Xr88c192cjtr-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 CMOS 4,57 мм ROHS COMPRINT PLCC 16 585 мм 16 585 мм 44 в дар Rabothotottpripriposque 3,3 -pri -8 -mmgц 8542.31.00.01 E3 МАГОВОЙ В дар Квадран J Bend 260 3,3 В. 1,27 ММ 44 Коммер 70 ° С 5,5 В. 2,97 40 S-PQCC-J44 Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 24 млн 0,125 мБИТ / С 4 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды
SC16C654BIBS,128 SC16C654BIBS, 128 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 В 48
XR16M2650IM48-F XR16M2650IM48-F Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер CMOS 1,2 ММ ROHS COMPRINT TQFP 7 мм 7 мм 3,63 В. СОУДНО ПРИОН 48 в дар Rabothototetpripripodahe 1,8 ali 2,5 8542.31.00.01 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 48 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 40 Секриген Конроллер 1,8/3,3 В. Н.Квалиирована S-PQFP-G48 16 марта / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 64 мг 2 марта / с 3 8 Асинрон, nemnogo
SC26C92C1N,129 SC26C92C1N, 129 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Чereз dыru Жeleзnodoroжnый/truebka 70 ° С 0 ° С ROHS COMPRINT PDIP СОУДНО ПРИОН 5,5 В. 4,5 В. 40 Не 10 май 40 2
XR88C192IV-F Xr88c192iv-f Exar Corporation
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 Пефер 3 85 ° С -40 ° С CMOS 1,6 ММ ROHS COMPRINT LQFP 10 мм 10 мм СОУДНО ПРИОН 44 5,5 В. 2,97 44 в дар Rabothotottpripriposque 3,3 -pri -8 -mmgц Не 1,5 мая E3 MATOWAN ONOUVA (SN) Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,8 мм 44 Промлэнно 2 40 Секриген Конроллер 1 март / с Серригн ио/конроллр С. А.С. Не В дар 2 4 8 Асинрон, nemnogo Невзгоды

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.