Uarts (2345)

Сознание	Проиджодель	Колиство	Raзmer (lxwxh)	Управый	Упако	Вернояж	Весели	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	МАКСИМАЛНГОН	Колист	МАССА	DOSTIчH SVHC	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	Колист	PBFREE CODE	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	HTS -KOD	Н.	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Пефер	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Raboч -yemperatura (mamaks)	Raboч -ytemperatura (мин)	PoSta	Posta	Колист. Каналов	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Подкейгория	Питания	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Уровина Скринина	Скороп	Raзmerpmayti	Nomer- /Водад	Я	UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS	Сообщитель	Graoniцa kkanirowanee	Унигир	Колиш	ТАКТОВА	Скороп	Адреса иирин	Иурин	Протокол С.	МОД КОДИРОВАНА/ДЕКОДИРОВАНА ДАННАН
Xr68c681j-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		1		85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	PLCC	16,66 мм	3,68 мм	16,66 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		44		НЕИ	5,25 В.	4,75 В.	44	в дар	Ear99		Не		15 май	E3	Олово (sn)		Квадран	J Bend	260	5в		44	Промлэнно					2	40	Секриген Конроллер	5в			MIL-STD-883	1 март / с			400 млн	Серригн ио/конроллр С. А.С.		Не	Не	2	4 мг				Асинрон, nemnogo	Невзгоды
SC28L202A1DGG/G: 51	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0										В
Xr68c681cp-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Чereз dыru				70 ° С	0 ° С	CMOS		6,35 мм	ROHS COMPRINT	PDIP	51,75 мм			5в	СОУДНО ПРИОН		40	5.953513G	НЕИ	5,25 В.	4,75 В.	40				Не		15 май	E3	МАГОВОЙ		Дон			5в		40	Коммер					2							1 март / с	3B			Серригн ио/конроллр С. А.С.		Не	Не	2	4 мг		4	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
Xr68c681cj-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		1	SMD/SMT	70 ° С	0 ° С	CMOS	15 май		ROHS COMPRINT	PLCC	16,66 мм	4,57 мм	16,66 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		44	2.386605G		5,25 В.	4,75 В.	44	в дар	Ear99		Не		15 май	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	J Bend	260	5в		44	Коммер					2	40	Секриген Конроллер	5в			MIL-STD-883	1 март / с	3B		400 млн	Серригн ио/конроллр С. А.С.		Не	Не	2	4 мг				Асинрон, nemnogo	Невзгоды
Xr68c192iv-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		4		85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	LQFP	10,1 мм	1,45 мм	10,1 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		44			5,5 В.	2,97	44	в дар		RabothototeTpripriposque 3,3 В	Не		1,5 мая	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	Крхлоп	260	3,3 В.	0,8 мм	44	Промлэнно					2	40	Секриген Конроллер					1 март / с				Серригн ио/конроллр С. А.С.		Не	В дар	2					Асинрон, nemnogo	Невзгоды
XR68C192CV-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		4		70 ° С	0 ° С	CMOS	1,5 мая	1,6 ММ	ROHS COMPRINT	LQFP	10 мм		10 мм		СОУДНО ПРИОН		44	356.09836mg		5,5 В.	2,97	44	в дар		RabothototeTpripriposque 3,3 В	Не		1,5 мая	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	Крхлоп	260	3,3 В.	0,8 мм	44	Коммер					2	40	Секриген Конроллер	3.3/5.				1 март / с	16b			Серригн ио/конроллр С. А.С.		Не	В дар	2			4	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
SC16C654IB64	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			1				CMOS		1,6 ММ	ROHS COMPRINT	LQFP	10 мм		10 мм		СОУДНО ПРИОН		64								Rabothotet pri 2,5.		8542.31.00.01				В дар	Квадран	Крхлоп	260	3,3 В.	0,5 мм	64	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	3,63 В.	2,97		40	Секриген Конроллер	3.3/5.	Н.Квалиирована	S-PQFP-G64		5 марта / с				Серригн ио/конроллр С. А.С.		Не	В дар	4	80 мг		5	8	Асинрон, nemnogo
Xr17d158iv	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер				85 ° С	-40 ° С	CMOS		1,6 ММ	ROHS COMPRINT	LQFP	20 ММ		20 ММ	5в	СОДЕРИТС		144			5,5 В.	4,5 В.	144			TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В			5 май	E0	Олово/Свинен (SN/PB)		Квадран	Крхлоп	Nukahan	5в	0,5 мм	144	Промлэнно					8	Nukahan	Секриген Конроллер		Н.Квалиирована			6,25 мб / с				Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	8	50 мг		32	32	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
XR17C154CV-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер				70 ° С	0 ° С				ROHS COMPRINT	LQFP				5в	СОУДНО ПРИОН					5,5 В.	4,5 В.	144				Не		3MA															4							6,25 мб / с
SCC68692E1N40,129	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Чereз dыru				85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	PDIP				5в		10 май				5,5 В.	4,5 В.	40						10 май									40						2
TL16CP754CPMRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Lenta и катахка (tr)	3		70 ° С	0 ° С	CMOS		1,6 ММ	ROHS COMPRINT	LQFP	10 мм		10 мм	1,8 В.	СОДЕРИТС	28 май	64			5,5 В.	1,62 В.	64	в дар		Rabothototetpripri -odaue 1,8 -/2,5 -3,3	Не		28 май	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		Квадран	Крхлоп	260	5в	0,5 мм	64	Коммер					4		Секриген Конроллер	1,8/5.				3 марта / с				Серригн ио/конроллр С. А.С.		Не	Не	4		0,375 мБИТ / С	3	8	Асинрон, nemnogo
Xr17v25888iv-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		2A		85 ° С	-40 ° С	CMOS	4 май		ROHS COMPRINT	LQFP	20,1 мм	1,45 мм	20,1 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН		144	1.290414G	НЕИ	3,6 В.	3В	144	в дар			Не		4 май	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	Крхлоп	260	3,3 В.	0,5 мм	144	Промлэнно					8		Секриген Конроллер					8 марта / с	16b			Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	8	64 мг	1 март / с			Асинрон, nemnogo
Xr17d158iv-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер			SMD/SMT	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	LQFP	20,1 мм	1,45 мм	20,1 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		144		НЕИ	5,5 В.	4,5 В.	144	в дар	5A991	TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В	Не		5 май	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	Крхлоп		5в	0,5 мм	144	Промлэнно					8		Секриген Конроллер					6,25 мб / с		41		Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	8	50 мг				Асинрон, nemnogo	Невзгоды
Xr17d158cv-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер			SMD/SMT	70 ° С	0 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	LQFP	20,1 мм	1,45 мм	20,1 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		144		НЕИ	5,5 В.	4,5 В.	144	в дар		TykebueTsepipsepapypapypoStawca 3,3 В	Не		5 май	E3	МАГОВОЙ		Квадран	Крхлоп		5в	0,5 мм	144	Коммер					8							6,25 мб / с				Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	8	50 мг				Асинрон, nemnogo	Невзгоды
XR16V2652ILTR-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0										ROHS COMPRINT	PLCC
Xr17d154iv-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер			SMD/SMT	85 ° С	-40 ° С	CMOS	4 май		ROHS COMPRINT	LQFP	20,1 мм	1,45 мм	20,1 мм		СОУДНО ПРИОН		144	1.290414G	НЕИ	5,5 В.	3В	144	в дар			Не		4 май	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	Крхлоп		5в	0,5 мм	144	Промлэнно					4							6,25 мб / с	64b			Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	4	50 мг	0,78125 мБИТ / С			Асинрон, nemnogo	Невзгоды
XR17D154CV-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер				70 ° С	0 ° С	CMOS	4 май		ROHS COMPRINT	LQFP	20,1 мм	1,45 мм	20,1 мм		СОУДНО ПРИОН		144	1.290414G	НЕИ	5,5 В.	3В	144	в дар	5A991		Не		4 май	E3	МАГОВОЙ		Квадран	Крхлоп		5в	0,5 мм	144	Коммер					4							6,25 мб / с	64b			Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	4	50 мг	0,78125 мБИТ / С			Асинрон, nemnogo	Невзгоды
Xr16m654iv64-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер				85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	LQFP				3,3 В.	СОУДНО ПРИОН		64		НЕИ	3,6 В.	1,62 В.	64						2MA	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	Крхлоп			0,5 мм		Промлэнно					4		Секриген Конроллер		Н.Квалиирована			16 марта / с				Серригн ио/конроллр С. А.С.
Xr17d152im-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер				85 ° С	-40 ° С	CMOS	4 май		ROHS COMPRINT	TQFP	14,1 мм	1,05 мм	14,1 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		100	657.000198mg		5,5 В.	3В	100	в дар			Не		4 май	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	Крхлоп	260	5в	0,5 мм	100	Промлэнно					2	40	Секриген Конроллер					6,25 мб / с	64b			Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	2	50 мг				Асинрон, nemnogo	Невзгоды
Xr17d152cm-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер			SMD/SMT	70 ° С	0 ° С	CMOS	4 май		ROHS COMPRINT	TQFP	14,1 мм	1,05 мм	14,1 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		100	657.000198mg	НЕИ	5,5 В.	3В	100	в дар	5A991		Не		4 май	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	Крхлоп	260	5в	0,5 мм	100	Коммер					2	40	Секриген Конроллер					6,25 мб / с	64b			Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	2	50 мг				Асинрон, nemnogo	Невзгоды
SCC2698BE1A84	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		МАССА	3		85 ° С	-40 ° С	CMOS		4,57 мм	ROHS COMPRINT	PLCC	29,31 мм		29,31 мм	5в			84			5,25 В.	4,75 В.		в дар					30 май	E3	Олово (sn)	В дар	Квадран	J Bend	245	5в	1,27 ММ	84	Промлэнно					8	30	Секриген Конроллер	5в	Н.Квалиирована			115,2				Серригн ио/конроллр С. А.С.		Не	В дар	8	4 мг	0,125 мБИТ / С	6	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
ST16C2450IQ48-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			3		85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT	TQFP	7 мм		7 мм		СОУДНО ПРИОН		48			5,5 В.	2,97	48	в дар			Не		3MA	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)	В дар	Квадран	Крхлоп	260	5в	0,5 мм	48	Промлэнно					2	40	Секриген Конроллер	3.3/5.				1,5 мбес / с				Серригн ио/конроллр С. А.С.		Не	Не	2		0,1875 мб / с	3	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
Xr17c15888iv-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер				85 ° С	-40 ° С	CMOS	5 май		ROHS COMPRINT	LQFP	20,1 мм	1,45 мм	20,1 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		144	1.319103G		5,5 В.	4,5 В.	144	в дар	Ear99	RabothototeTpripriposque 3,3 В	Не		5 май	E3	МАГОВОЙ		Квадран	Крхлоп		5в	0,5 мм	144	Промлэнно					8							6,25 мб / с	64b			Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	8	50 мг				Асинрон, nemnogo	Невзгоды
Xr17c158iv	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер				85 ° С	-40 ° С	CMOS		1,6 ММ	ROHS COMPRINT	LQFP	20 ММ		20 ММ				144			5,5 В.	4,5 В.	144			RabothototeTpripriposque 3,3 В			5 май	E0	Олово/Свинен (SN/PB)		Квадран	Крхлоп	Nukahan	5в	0,5 мм	144	Промлэнно					8	Nukahan	Секриген Конроллер	5в	Н.Квалиирована			6,25 мб / с				Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	8	50 мг		32	32	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
XR17C158CV-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		4		70 ° С	0 ° С	CMOS	5 май	1,6 ММ	ROHS COMPRINT	LQFP	20 ММ		20 ММ	5в	СОУДНО ПРИОН		144	1.290414G		5,5 В.	4,5 В.	144	в дар			Не		5 май	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	Крхлоп	250	5в	0,5 мм	144	Коммер					8							6,25 мб / с	64b			Серригн ио/конроллр С. А.С.	Пенсионт	Не	В дар	8	50 мг		32	32	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
Xr17c154iv-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер				85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	LQFP				5в	СОУДНО ПРИОН					5,5 В.	4,5 В.	144				Не		3MA															4							6,25 мб / с
Xr16v798iq-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		4		85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	QFP					СОУДНО ПРИОН		100			3,6 В.	2,25 В.	100				Не		5 май	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		Квадран	Крхлоп			0,635 мм		Промлэнно					8		Секриген Конроллер	2,5/3,3 В.				8 марта / с				Серригн ио/конроллр С. А.С.
SC28L202A1DGG-S	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0					85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	TSSOP				5в						5,5 В.	3В							20 май															2							2 марта / с
XR16V5544V80-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер			SMD/SMT	85 ° С	-40 ° С		3MA		ROHS COMPRINT	LQFP					СОУДНО ПРИОН			639,990485 м	НЕИ	3,6 В.	2,25 В.	80	в дар														80						4							4 марта / с	16b
SC16C654IA68	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0							CMOS		4572 мм	ROHS COMPRINT		24.2316 ММ		24.2316 ММ		СОУДНО ПРИОН		68					68			Rabothotet pri 2,5.		8542.31.00.01				В дар	Квадран	J Bend	245	3,3 В.	1,27 ММ	68	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	3,63 В.	2,97		40	Секриген Конроллер	3.3/5.	Н.Квалиирована			5 марта / с				Серригн ио/конроллр С. А.С.		Не	В дар	4	80 мг		5	8	Асинрон, nemnogo

Uarts (2345)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии