Uarts (2345)

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Управый	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	ЧastoTA	ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	МАКСИМАЛНГОН	Колист	МАССА	DOSTIчH SVHC	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	Колист	Имен	PBFREE CODE	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	HTS -KOD	Колист	Н.	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Naprayeseee	Пефер	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Raboч -yemperatura (mamaks)	Raboч -ytemperatura (мин)	PoSta	Posta	Колист. Каналов	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Подкейгория	Питания	Поступил	Кваликакахионн Статус	Diapaзontemperaturы okruжeй stredы vыsokiй	КОД JESD-30	ДАТАПЕРКЕРКИ СТАТУСА	Скороп	Raзmerpmayti	DefereneNцiAlnый whod	Вес	ИНЕРФЕРА	Недомер	Nomer- /Водад	Я	UPS/UCS/PERIPRIGHYSKIGHTIP ICS	Колиствоэвов	Сообщитель	Graoniцa kkanirowanee	Унигир	Колиш	ТАКТОВА	Скороп	Адреса иирин	Иурин	Протокол С.	МОД КОДИРОВАНА/ДЕКОДИРОВАНА ДАННАН
XR19L212IL48-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		3	85 ° С	-40 ° С	CMOS			1 ММ	ROHS COMPRINT	QFN EP	7 мм		7 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		48			5,5 В.	3,3 В.	48			Ear99				3	45 май	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)			Квадран	NeT -lederStva	260		0,5 мм	48	Промлэнно					2	40				Н.Квалиирована				1 март / с		Не	ШMITTTTTTTTTT	Смотрейк	3				3
ST16C452IJ68TR-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0										ROHS COMPRINT	PLCC
SCC68692C1A44	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		3	70 ° С	0 ° С	CMOS	4 мг		4,57 мм	ROHS COMPRINT	PLCC				5в	СОУДНО ПРИОН		44		НЕТ SVHC	5,5 В.	4,5 В.	44		в дар			Не			10 май	E3	Олово (sn)			Квадран	J Bend	245	5в		44	Коммер					2	30	Секриген Конроллер	5в						115,2						14		Серригн ио/конроллр С. А.С.		S68000	Не	В дар	2			4	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
TL16C2752FNRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Lenta и катахка (tr)	3	70 ° С	0 ° С	CMOS			4,57 мм	ROHS COMPRINT	PLCC	16 585 мм		16 585 мм	5в	СОДЕРИТС		44	2.265694G		5,5 В.	4,5 В.	44		в дар			Не				E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Квадран	J Bend	260	5в		44	Коммер					2		Секриген Конроллер							6 марта / с								Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	Не	2	48 мг	0,375 мБИТ / С	3	8	Асинрон, nemnogo
XR19L200IL32-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		3	85 ° С	-40 ° С	CMOS		35 май		ROHS COMPRINT	Qfn	5 ММ		5 ММ		СОУДНО ПРИОН		32	188.609377mg		5,5 В.	3В			в дар							E3	MATOWAN ONOUVA (SN)			Квадран	NeT -lederStva	260	5в	0,5 мм	32	Промлэнно					1	40	Секриген Конроллер	3.3/5.		Н.Квалиирована		S-XQCC-N32		250	16b							Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	1	50 мг		3	8	Асинрон, nemnogo
SCC2698BC1A84	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka	3	70 ° С	0 ° С	CMOS			4,57 мм	ROHS COMPRINT	PLCC	29,31 мм		29,31 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		84			5,25 В.	4,75 В.	84		в дар			Не			30 май	E3	Олово (sn)			Квадран	J Bend	245	5в	1,27 ММ	84	Коммер					8	30	Секриген Конроллер	5в						115,2								Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	8	4 мг	0,125 мБИТ / С	6	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
ST16C2550IJ44TR-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0						CMOS				ROHS COMPRINT	PLCC							44														E3	MATOWAN ONOUVA (SN)		В дар	Квадран	J Bend			1,27 ММ		Промлэнно	85 ° С	-40 ° С					Секриген Конроллер	3.3/5.		Н.Квалиирована		S-PQCC-J44										Серригн ио/конроллр С. А.С.
TL16C2752FNG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		3	70 ° С	0 ° С	CMOS			4,57 мм	ROHS COMPRINT	PLCC	16 585 мм		16 585 мм	5в	СОДЕРИТС		44	2.265694G		5,5 В.	1,62 В.	44		в дар			Не				E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Квадран	J Bend	260	5в		44	Коммер					2		Секриген Конроллер							6 марта / с								Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	Не	2	48 мг	0,375 мБИТ / С	3	8	Асинрон, nemnogo
SCC2692AC1A44	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер	Лю	3	70 ° С	0 ° С	CMOS			4,57 мм	ROHS COMPRINT	PLCC				5в	СОУДНО ПРИОН		44		НЕТ SVHC	5,5 В.	4,5 В.	44		в дар	Ear99		Не			10 май	E3	Олово (sn)	5в		Квадран	J Bend	245	5в		44	Коммер					2	30	Секриген Конроллер	5в						115,2						15		Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	2	36864 мг		4	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
XR68C192CJ-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		1	70 ° С	0 ° С	CMOS			4,57 мм	ROHS COMPRINT	PLCC	16 585 мм		16 585 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		44			5,5 В.	2,97	44		в дар		RabothototeTpripriposque 3,3 В	Не			1,5 мая	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)			Квадран	J Bend	260	3,3 В.		44	Коммер					2	40	Секриген Конроллер							1 март / с								Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	2			4	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
ST16C2450IQ48TR-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				85 ° С	-40 ° С					ROHS COMPRINT	TQFP												48
SC16C750IA44	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0						CMOS			4,57 мм	ROHS COMPRINT		16 585 мм		16 585 мм		СОУДНО ПРИОН		44					44				Rabothotet pri 2,5.		8542.31.00.01						В дар	Квадран	J Bend	245	5в	1,27 ММ	44	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	5,5 В.	4,5 В.		40	Секриген Конроллер	3.3/5.		Н.Квалиирована				3 марта / с								Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	1	48 мг	0,375 мБИТ / С	3	8	Асинрон, nemnogo
TL16C550AN	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0						МИГ			5,08 мм	ROHS COMPRINT	PDIP	52,455 мм		15,24 мм		СОДЕРИТС		40							не				8542.31.00.01						Не	Дон	СКВОХА	Nukahan	5в	2,54 мм	40	Коммер	70 ° С		5,25 В.	4,75 В.		Nukahan	Секриген Конроллер	5в	10 май	Н.Квалиирована												Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	Не	1	4 мг	0,03125 мб / с	3	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
Xr88c192ijtr-f	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0						CMOS			4,57 мм	ROHS COMPRINT	PLCC	16 585 мм		16 585 мм				44							в дар		Rabothotottpripriposque 3,3 -pri -8 -mmgц		8542.31.00.01			E3	МАГОВОЙ		В дар	Квадран	J Bend	260	5в	1,27 ММ	44	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	5,5 В.	2,97		40						S-PQCC-J44										Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	2	24 млн	0,125 мБИТ / С	4	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
SCC2691AC1D24	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		3	70 ° С	-40 ° С	CMOS			2,65 мм	ROHS COMPRINT	ТАК			7,5 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		24			5,5 В.	4,5 В.	24		в дар			Не			2MA	E4	Ngecely palladyй			Дон	Крхлоп	260	5в		24	Коммер					1	30	Секриген Конроллер	5в						115,2						1		Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	1	4 мг	0,0046875 мсб / с	3	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
ST16C2450CQ48TR-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				70 ° С	0 ° С					ROHS COMPRINT	TQFP												48
ST16C2450CJ44TR-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Lenta и катахка (tr)		70 ° С	0 ° С					ROHS COMPRINT	LCC												44																																	1,5 мбес / с
SC28L198A1A	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			3	85 ° С	-40 ° С	CMOS			4,57 мм	ROHS COMPRINT	PLCC	29,31 мм		29,31 мм	5в	СОУДНО ПРИОН		84			5,5 В.	3В			в дар		RabothototeTpripriposque 3,3 В				150 май	E3	Олово (sn)		В дар	Квадран	J Bend	245	5в	1,27 ММ	84	Промлэнно					8	30	Секриген Конроллер			Н.Квалиирована				460,8								Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	8		0,06103515625 мсб / с	8	8	Асинрон, nemnogo
TL16C550DIRHBG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		2 (1 годы)	85 ° С	-40 ° С	CMOS				ROHS COMPRINT	VQFN EP	5 ММ	900 мкм	5 ММ	5в	СОДЕРИТС	8 май	32	71.809342mg		5,5 В.	2,25 В.	32		в дар		Rabothotet pri 2,5 v/3,3 В.	Не			8 май	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Квадран		260	5в		32	Промлэнно					1		Секриген Конроллер							1,5 мбес / с								Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	Не	1	24 млн				Асинрон, nemnogo
ST16C1551IQ48TR-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0										ROHS COMPRINT	TQFP
SC28L194A1A	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			3	85 ° С	-40 ° С	CMOS				ROHS COMPRINT	PLCC				5в	СОУДНО ПРИОН		68			5,5 В.	3В			в дар		Rabothotottpripriposque 3,3 -pri 20 -hgц				30 май	E3	Олово (sn)		В дар	Квадран	J Bend	245	5в	1,27 ММ	68	Промлэнно					4	30	Секриген Конроллер			Н.Квалиирована		S-PQCC-J68		460,8						4		Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	4	33 мг	0,125 мБИТ / С	7	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
XR17V35444IB176-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		4	85 ° С	-40 ° С	CMOS		120 май		ROHS COMPRINT	FBGA	13,1 мм	1,5 мм	13,1 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН		176			3,63 В.	1,08	176	PCI, UART		Ear99		Не			100 май	E1	Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu)			Униджин	М	245	1,2 В.	0,8 мм	176	Промлэнно					4		Секриген Конроллер				85 ° С			25 март / с	256b							Серригн ио/конроллр С. А.С.		Пенсионт	В дар	В дар	3					Асинрон, nemnogo	Невзгоды
ST16C1551IJ28TR-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			1			CMOS			4,57 мм	ROHS COMPRINT	PLCC	11,505 ММ		11,505 ММ		СОУДНО ПРИОН		28															Neprigodnnый		В дар	Квадран	J Bend	260	5в	1,27 ММ		Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	5,5 В.	2,97		Nukahan						S-PQCC-J28										Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	1	24 млн	0,1875 мб / с	3	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
SC28C94A1N	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0						CMOS			4,9 мм	ROHS COMPRINT	PDIP	62,1 мм		15,24 мм		СОУДНО ПРИОН		48					48						8542.31.00.01						Не	Дон	СКВОХА		5в	2,54 мм	48	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	5,5 В.	4,5 В.						Н.Квалиирована												Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	4	8 мг	0,125 мБИТ / С	6	8	Асинрон, nemnogo
XR88C681CP/40-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Чereз dыru			70 ° С	0 ° С	CMOS			6,35 мм	ROHS COMPRINT	PDIP	51,75 мм			5в	СОУДНО ПРИОН		40		НЕИ	5,25 В.	4,75 В.	40		в дар	Ear99		Не			15 май	E3	МАГОВОЙ			Дон			5в		40	Коммер					2									1 март / с							400 млн	Серригн ио/конроллр С. А.С.		8080; 8080a; 8085; 8086; 8088; Z80; Z8000; 68xx; 65xx; 8051; 68HC11	Не	В дар	2			4	8	Асинрон, nemnogo	Невзгоды
ST16C1551CQ48TR-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0										ROHS COMPRINT	TQFP
XR17V352IB113-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		4	85 ° С	-40 ° С	CMOS				ROHS COMPRINT	FBGA	9,1 мм	1,15 мм	9,1 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН		113			3,6 В.	3В	113					Не			70 май	E1	Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu)			Униджин	М		1,2 В.	0,8 мм	113	Промлэнно					2		Секриген Конроллер							25 март / с								Серригн ио/конроллр С. А.С.		Пенсионт	Не	В дар	2					Асинрон, nemnogo	Невзгоды
XR16M654DIV64-F	Exar Corporation	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер			85 ° С	-40 ° С	CMOS				ROHS COMPRINT	LQFP					СОУДНО ПРИОН		64			3,63 В.	1,62 В.	64								2MA	E3	MATOWAN ONOUVA (SN)			Квадран	Крхлоп			0,5 мм		Промлэнно					4		Секриген Конроллер	1,8/3,3 В.		Н.Квалиирована				16 марта / с								Серригн ио/конроллр С. А.С.
SC28C94A1A-T	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Весели	3			CMOS			4,57 мм	В		19.125 ММ		19.125 ММ		СОУДНО ПРИОН		52											8542.31.00.01			E3	Оло		В дар	Квадран	J Bend	245	5в	1,27 ММ	52	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	5,5 В.	4,5 В.		30				Н.Квалиирована		S-PQCC-J52	2013-06-14 00:00:00									Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	4	8 мг	0,125 мБИТ / С	6	8	Асинрон, nemnogo
SC26C92C1A	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	Пефер		3	70 ° С	0 ° С	CMOS	3,69 мг			ROHS COMPRINT	PLCC	16,66 мм	4,06 мм	16,66 мм	5в	СОУДНО ПРИОН	10 май	44		НЕТ SVHC	5,5 В.	4,5 В.	44		в дар	Ear99		Не			10 май	E3	Олово (sn)	5в		Квадран	J Bend	245	5в		44	Коммер					2	30	Секриген Конроллер	5в						230,4						15		Серригн ио/конроллр С. А.С.			Не	В дар	2					Асинрон, nemnogo	Невзгоды

Uarts (2345)

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии