Переоджики в Анапра.

Сознание	Проиджодель	Колист	Raзmer (lxwxh)	Статус	Управый	Упако	Вернояж	МАКСИМАЛЕН	Мин	Тела	ЧastoTA	Весарая (МАКСИМУМА)	Статус Ройс	Опуликовано	Техниль	PakeT / KORPUES	Делина	Вес	Шyrina	Опресагионе	СОУДНО ПРИОН	Колист	Верна -	МАССА	МАКСИМАЛНА	МИНАПРЕЗА	Колист	PBFREE CODE	Толсина	Колист	КОД ECCN	Доленитейн Ая	Rradiaцyonnoe wyproчneneenee	DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN	HTS -KOD	МЕСТОД УПАКОККИ	Колист	Н.	КОД JESD-609	ТЕРМИНАЛЕН	Полаяня	Пефер	Терминала	Терминаланая	Пико -Аймперратара	Надо	Терминал	Поседл	ТЕМПЕРАТУРА	Raboч -yemperatura (mamaks)	Raboч -ytemperatura (мин)	PoSta	Posta	Колист. Каналов	Wremaping@pikovoйtemperaturu (я)	Колист	Подкейгория	Vodnana polarnostaph	Питания	Поступил	Кваликакахионн Статус	КОД JESD-30	Смерть	ЛОГИСКИЯ ТИП ИК	Скороп	Колист	Вес	ИНЕРФЕРА	Втипа	В.	Nagruзka emcostath	Logiчeskayavy	Я	Коли	Вес	ВЫДЕС	Кргителнь ТОК	На том, что	PoSta	OTrITeLnoE naprayanieepepanymeman-noema	Колист	Вес	ТИП	Токпитания.	Maks i (ol)	ТИП	На nanapravyenee -o	Псевдод	Проп. ЗAdErжKA@nom-sup	Я	«	Весальки илиргисттразииииииииииииииииииииииииии	ТОК - В.О.
SN74LVCC3245ADBLE	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0							CMOS		2 ММ	В			SSOP			5,3 мм		СОДЕРИТС	24						не		2		TtakжebueTsePARY PODAчA OT 3-DO 5,5 В. ДЛЯ		not_compliant		Лю	1					В дар	Дон	Крхлоп	Nukahan	3,3 В.	0,65 мм	24	Промлэнно		-40 ° С	3,6 В.	2,3 В.		Nukahan		Верный Аатер -/Приоэратхики	Исиннн	3,35 В.		Н.Квалиирована	R-PDSO-G24	LVC/LCX/Z.	Верно		8					50pf		2,4 млн									3-шТат			0,024 а	ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ	Дюнапразлнн	3 В 3/5.	7,6 млн
IDT74LVC4245APSG8	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			Lenta и катахка (tr)		85 ° С	-40 ° С	CMOS		2 ММ	ROHS COMPRINT	2006	/files/integrateddevicetechnology-idt74lvc4245apyg8-datasheets-3828.pdf	SSOP			5,3 мм			24								2		5 -ypapAs дл		НЕИ			1		E3	МАГОВОЙ		В дар	Дон	Крхлоп		3,3 В.	0,65 мм	24	Промлэнно			3,6 В.	2,7 В.	1				Исиннн			Н.Квалиирована	R-PDSO-G24	LVC/LCX/Z.	Верно		8			Naprayeseee			ЕГО	6,7 млн									3-шТат
74LVCC3245ADBQRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю	2	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			SSOP			3,9 мм		СОДЕРИТС	24		129 500622 м	5,5 В.	2,3 В.	24	в дар		2		TtakжebueTsePARY PODAчA OT 3-DO 5,5 В. ДЛЯ	Не				1		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Nerting		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,635 мм	24	Промлэнно					1			Верный Аатер -/Приоэратхики		3,3 В.				LVC/LCX/Z.	Верно	200 мБИТ / С	8			Naprayeseee	2,4 млн		ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК	14,5 млн		-24ma	24ma	80 мка	Дюнапразлнн				3-шТат				ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ		3 В 3/5.	7,6 млн				24ma
SN74LVCC3245APWTE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			TSSOP			4,4 мм		СОДЕРИТС	24		89,499445 м	5,5 В.	2,3 В.	24	в дар		2		TtakжebueTsePARY PODAчA OT 3-DO 5,5 В. ДЛЯ	Не				1		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Nerting		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	24	Промлэнно							1	Верный Аатер -/Приоэратхики		3,3 В.				LVC/LCX/Z.	Верно	200 мБИТ / С	8			Naprayeseee	2,4 млн		ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК	14,5 млн		-24ma	24ma	80 мка	Дюнапразлнн				3-шТат				ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ		3 В 3/5.	7,6 млн				24ma
74LVCH8T245PWRE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			TSSOP			4,4 мм		СОДЕРИТС	24		89,499445 м	5,5 В.	1,65 В.	24	в дар		2			Не				1		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Nerting		Дон	Крхлоп	260	1,8 В.	0,65 мм	24	Промлэнно							1	Верный Аатер -/Приоэратхики		3,3 В.				LVC/LCX/Z.	Верно						32,2 млн		Перегратка, Трансир	23,8 млн	8	32 май	32 май		Дюнапразлнн				3-шТат				ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ		N/a	6,2 млн
MC100ES60T22EJR2	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер			85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2003	/files/integrateddevicetechnology-mc100es60t22ejr2-datasheets-3263.pdf	TSSOP	3 ММ		3 ММ	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН				3,8 В.	3.135V	8	в дар	970 мкм		Ear99			НЕИ														8																		2				450 с		Пероводжик	280 ps		-50MA	50 май
MC100ES60T22EJ	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер			85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2003	/files/integrateddevicetechnology-mc100es60t22ej-datasheets-3023.pdf	TSSOP	3 ММ		3 ММ	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН				3,8 В.	3.135V	8	в дар	970 мкм		Ear99		Не															8																		2				450 с		Пероводжик	280 ps		-50MA	50 май
SN74AUP1T98DCKTG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			В	2 ММ	900 мкм	1,25 мм		СОУДНО ПРИОН	6		2.494758mg	3,6 В.	2,3 В.	6						Не				1	900NA	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		6	Промлэнно					3			Drugoй yanterfeйs ics									1		Цeph	Naprayeseee	10 млн		Пероводжик	10,8 млн		-4ma	4 май	500NA																4 май
IDT74LVC4245APGEG	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		2 ММ	ROHS COMPRINT	2006	/files/integrateddevicetechnology-idt74lvc4245apyg-datasheets-1642.pdf	SSOP			5,3 мм			24								2		5 -ypapAs дл					1		E3	МАГОВОЙ		В дар	Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	24	Промлэнно			3,6 В.	2,7 В.	1	30			Исиннн			Н.Квалиирована	R-PDSO-G24	LVC/LCX/Z.	Верно		8			Naprayeseee			ЕГО	6,7 млн									3-шТат
74GTLP21395PWRE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			TSSOP	6,5 мм		4,4 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	20		76.997305mg	3,45 В.	3,15 В.	20	в дар		2			Не			Лю	2	20 май	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Nerting		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	20	Промлэнно							1	Верный Аатер -/Приоэратхики						GTLP	Верно		2				10,4 млн		ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК	8,8 млн					Дюнапразлнн				3-шТат				NeShaviymый koantroly		GTLP & lvttl					100 май
74GTLP21395PWRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			TSSOP	6,5 мм		4,4 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	20		76.997305mg	3,45 В.	3,15 В.	20	в дар		2			Не			Лю	2	20 май	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Nerting		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	20	Промлэнно							1	Верный Аатер -/Приоэратхики						GTLP	Верно		2				10,4 млн		ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК	8,8 млн					Дюнапразлнн				3-шТат				NeShaviymый koantroly		GTLP & lvttl					100 май
SN65CML100DG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			SOIC	4,9 мм	158 ММ	3,91 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	8		75,891673 м	3,6 В.	3В	8						Не				1		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		В дар	Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		8	Промлэнно					1			Имени								1,5 -гбит / с			Цeph		800 с		Пероводжик	800 с																				400 мк
SN74GTLP21395DWG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0				1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			SOIC			7,5 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	20		500.709277mg	3,45 В.	3,15 В.	20	в дар		2			Не			Трубка	2	20 май	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		В дар	Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		20	Промлэнно								Верный Аатер -/Приоэратхики	Надо					GTLP	Верно		2						ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК	8,8 млн					Дюнапразлнн				3-шТат			0,1 а	NeShaviymый koantroly		GTLP & lvttl					100 май
MC100ES60T23EF	ТЕГЕЛЕГИЯ	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0	СКАХАТА	Пефер		1	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT	2003	/files/integrateddevicetechnology-mc100es60t23ef-datasheets-0515.pdf	SOIC	4,9 мм		3,9 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН				3,6 В.	3В	8	в дар	1,5 мм		Ear99		Не					19ma	E3	МАНЕВОВО								8																		2				1,75 млн		Пероводжик	1,75 млн		-24ma	24ma
ISL3034Eirtz-T	Intersil (Renesas Electronics America)	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			Веса	1	85 ° С	-40 ° С	Bicmos		0,8 мм	ROHS COMPRINT	2006	/files/intersil-isl3034eirtzt-datasheets-0258.pdf		3 ММ		3 ММ			16	7		3,2 В.	1,35 В.	16				Ear99				8542.39.00.01		1	18 Мка	E3	МАНЕВОВО		В дар	Квадран	NeT -lederStva	260	3,3 В.	0,5 мм		Промлэнно						30			Исиннн	2,5/3,3 В.		Н.Квалиирована				100 мб / с	1						Пероводжик	6,5 млн		-20 мка	20 мк					6	3-шТат										Уд	4 май
SN65CML100DRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			SOIC	4,9 мм		3,9 мм	3,3 В.	СОУДНО ПРИОН	8		75,891673 м	3,6 В.	3В	8						Не				1		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		В дар	Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		8	Промлэнно					1			Имени								1,5 -гбит / с			Цeph		800 с		Пероводжик	800 с																				400 мк
74LVCH8T245DGVRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер		1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			TFSOP	5 ММ		4,4 мм		СОДЕРИТС	24		59,987591 м	5,5 В.	1,65 В.	24	в дар		2			Не			Лю	1		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	1,8 В.	0,4 мм	24	Промлэнно							1	Верный Аатер -/Приоэратхики	Исиннн	3,3 В.				LVC/LCX/Z.	Верно								Перегратка, Трансир	23,8 млн	8	32 май	32 май		Дюнапразлнн				3-шТат				ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ		N/a	6,2 млн
SN74GTLP1394DRE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0			Lenta и катахка (tr)	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS	175 мг	1,75 мм	ROHS COMPRINT			SOIC	9,9 мм		3,9 мм	3,3 В.	СОДЕРИТС	16		141.690917mg	3,45 В.	3,15 В.	16	в дар		3			Не				1	20 май	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)		В дар	Дон	Крхлоп	260	3,3 В.		16	Промлэнно								Drugie -lohikicki -ics	Надо					GTLP	Верно		2						ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК	4,8 млн					Дюнапразлнн				3-шТат											100 май
74GTL16612DGGRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю	1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С	Bicmos	95 мг		ROHS COMPRINT			TSSOP					СОДЕРИТС	56		252 792698 м	5,25 В.	3,15 В.	56	в дар		2		Пероудея	Не				1	120 май	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Nerting		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,5 мм	56	Промлэнно							1			3,35 В.				GTL/TVC			18				7,4 млн		Трансир	6,3 м		64ma	32 май	12 Мка	Дюнапразлнн				3-шТат	Poloshitelgnый kraй		0,064 а	NeShaviymый koantroly		Gtl & lvttl					128 май
SN74GTLPH1645DGV	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0							Bicmos		1,2 ММ	ROHS COMPRINT				11,3 мм		4,4 мм			56								2							2					В дар	Дон	Крхлоп	Nukahan	3,3 В.	0,4 мм	56	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	3,45 В.	3,15 В.		Nukahan		Верный Аатер -/Приоэратхики	Исиннн	3,3 В.		Н.Квалиирована	R-PDSO-G56	GTLP	Верно		16																3-шТат		40 май	0,1 а	ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ	Дюнапразлнн	GTL/P & lvttl		8,4 млн
GTL2034PW112	Nexperia	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер			85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT			TSSOP				3,3 В.					3,6 В.	3В	14						Не																							4																БУР, ИНВЕРИРОВАН		1
SN74LVCC3245APWE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS			ROHS COMPRINT			TSSOP			4,4 мм		СОДЕРИТС	24		89,499445 м	5,5 В.	2,3 В.	24	в дар		2		TtakжebueTsePARY PODAчA OT 3-DO 5,5 В. ДЛЯ	Не				1		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Nerting		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,65 мм	24	Промлэнно					1			Верный Аатер -/Приоэратхики		3,3 В.				LVC/LCX/Z.	Верно	200 мБИТ / С	8			Naprayeseee	14,5 млн		ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК	7,1 м		-24ma	24ma	80 мка	Дюнапразлнн				3-шТат				ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ		3 В 3/5.	7,6 млн				24ma
Sn10kht5540nt	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0							БИПОЛНА		5,08 мм	В			PDIP	31,64 мм		7,62 мм		СОДЕРИТС	24						не			Ear99			not_compliant	8542.39.00.01		8					Не	Дон	СКВОХА	Nukahan	5в	2,54 мм	24	Коммер	70 ° С		5,5 В.	4,5 В.		Nukahan			Пефернут	5-5,2 В.	120 май	Н.Квалиирована					1	Станода					Пероводжик								-5.2V		3-шТат									6,4 млн	Уд
SN74GTL1655DGG	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0									1,2 ММ	ROHS COMPRINT			TSSOP	17 ММ		6,1 мм		СОУДНО ПРИОН	64								2							2					В дар	Дон	Крхлоп		3,3 В.	0,5 мм	64	Промлэнно	85 ° С	-40 ° С	3,6 В.	3В					Исиннн			Н.Квалиирована	R-PDSO-G64	GTL/TVC			16						Трансир										3-шТат								6,2 млн
74GTLP22033DGGRE4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS	175 мг		ROHS COMPRINT			TSSOP				3,3 В.	СОДЕРИТС	48		223.195796mg	3,45 В.	3,15 В.	48	в дар		2		Веса-аоир	Не				1	40 май	E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Nerting		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,5 мм	48	Промлэнно							1							GTLP			8				8,8 млн		Трансир	8,8 млн					Дюнапразлнн				Открт-дельна/3-гоодарство	Poloshitelgnый kraй			NeShaviymый koantroly		GTLP & lvttl	7,4 млн				100 май
74avch16t245dgg: 51	Nexperia	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0							CMOS		1,2 ММ	В				12,5 мм		6,1 мм			48								2		DVATDELNHNых naStraivaemых nanaprawlaющiх -pietanipemymy -porta a porta b					2					В дар	Дон	Крхлоп	Nukahan	1,2 В.	0,5 мм	48	Автомобиль	125 ° С	-40 ° С	3,6 В.	0,8 В.		Nukahan			Исиннн				R-PDSO-G48	Avc	Верно		8																3-шТат								10,2 млн
74GTLPH16612DLRG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Лю	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		2,79 мм	ROHS COMPRINT			SSOP			7,49 мм		СОДЕРИТС	56		694.790113mg	5,25 В.	3,15 В.	56	в дар		2		Выпить	Не				1		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Nerting		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,635 мм	56	Промлэнно					18		1			3,35 В.				GTLP			18						Трансир	7,8 млн		64ma	32 май		Дюнапразлнн				3-шТат	Poloshitelgnый kraй		0,064 а	NeShaviymый koantroly		GTL/P & lvttl
74GTLPH16612DLG4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Жeleзnodoroжnый/truebka	1	85 ° С	-40 ° С	CMOS		2,79 мм	ROHS COMPRINT			SSOP			7,49 мм		СОДЕРИТС	56		694.790113mg	5,25 В.	3,15 В.	56	в дар		2		Выпить	Не				1		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)	Nerting		Дон	Крхлоп	260	3,3 В.	0,635 мм	56	Промлэнно					18		1			3,35 В.				GTLP			18						Трансир	7,8 млн		64ma	32 май		Дюнапразлнн				3-шТат	Poloshitelgnый kraй		0,064 а	NeShaviymый koantroly		GTL/P & lvttl
GTL2014PW/G, 118	NXP Semiconductors / Freescale	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0										В
Txb0101dbvrg4	Тел	RFQ МИН: 1 Mult: 1	0x0x0		Пефер	Lenta и катахка (tr)	1 (neograniчennnый)	85 ° С	-40 ° С				ROHS COMPRINT			SOT-23	2,9 мм				СОУДНО ПРИОН	6		6 492041 м	5,5 В.	1,2 В.	6						Не				1		E4	Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au)			Дон	Крхлоп	260	1,5 В.	0,95 мм	6	Промлэнно								Drugoй yanterfeйs ics								100 мб / с	1		Цeph		7,4 млн		Пероводжик	31 м		-20 мка	20 мк			1,8 В.

Переоджики в Анапра.

Скайп

Что -то

Электронная почта

Тел

В наличии