Переводчики напряжения и переключатели уровня - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
+86 19168759373 info@chipsmt.ru
Английский

Переоджики в Анапра.

Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Управый Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Rradiaцyonnoe wyproчneneenee DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD МЕСТОД УПАКОККИ Колист Н. КОД JESD-609 ТЕРМИНАЛЕН Полаяня Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Поседл ТЕМПЕРАТУРА Raboч -yemperatura (mamaks) Raboч -ytemperatura (мин) PoSta Posta Колист. Каналов Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Поступил Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГЕЕСКИЯ ТИП ДАТАПЕРКЕРКИ СТАТУСА Скороп Колист Вес ИНЕРФЕРА Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Колист Коли Вес Веса Кргителнь ТОК На том, что OTrITeLnoE naprayanieepepanymeman-noema Колист Вес ТИП Токпитания. Maks i (ol) ТИП На nanapravyenee -o Псевдод Проп. ЗAdErжKA@nom-sup Я « Весальки илиргисттразииииииииииииииииииииииииии ТОК - В.О.
74AVC16T245EV,557 74AVC16T245EV, 557 Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В
IDT74LVC4245ASOG IDT74LVC4245ASOG ТЕГЕЛЕГИЯ
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT 2006 /files/integrateddevicetechnology-idt74lvc4245asog-datasheets-3582.pdf SOIC 7,5 мм 24 5,25 В. 2,7 В. 24 2 5 -ypapAs дл 1 E3 МАГОВОЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 24 Промлэнно 1 30 Исиннн Н.Квалиирована LVC/LCX/Z. Верно 8 Naprayeseee Ведь, как, то есть 6,7 млн -24ma 24ma 80 мка 3-шТат
74AVC16T245DGG,512 74AVC16T245DGG, 512 Nexperia
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT
SN74GTL16616DLRG4 SN74GTL16616DLRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С Bicmos 95 мг 2,79 мм ROHS COMPRINT SSOP 7,49 мм СОДЕРИТС 56 694.790113mg 5,25 В. 3,15 В. 56 в дар 2 Perrewod meжdi urownamymit Не 1 120 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,635 мм 56 Промлэнно 1 3,35 В. GTL/TVC 17 14,4 млн 50pf Трансир 14,4 млн 64ma 32 май Дюнапразлнн 3-шТат Poloshitelgnый kraй 5 май 0,064 а NeShaviymый koantroly Gtl & lvttl 6,7 млн 64ma
74GTL16616DGGRG4 74GTL16616DGGRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С -40 ° С Bicmos 95 мг 1,2 ММ ROHS COMPRINT TSSOP 14 ММ 6,1 мм СОДЕРИТС 56 252 792698 м 5,25 В. 3,15 В. 56 в дар 2 Perrewod meжdi urownamymit Не 8542.39.00.01 Лю 1 120 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,5 мм 56 Промлэнно Исиннн 3,35 В. GTL/TVC 17 Трансир 14,4 млн 64ma 32 май Дюнапразлнн 3-шТат Poloshitelgnый kraй 0,064 а NeShaviymый koantroly Gtl & lvttl 6,7 млн 128 май
74LVCH8T245RHLRG4 74lvch8t245rhlrg4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 2 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT VQFN 5,5 мм 3,5 мм СОДЕРИТС 24 50.093607mg 5,5 В. 1,65 В. 24 в дар 2 Не 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting Квадран 260 1,8 В. 0,5 мм 24 Промлэнно 1 Верный Аатер -/Приоэратхики 3,3 В. LVC/LCX/Z. Верно 32,2 млн Перегратка, Трансир 23,8 млн 8 32 май 32 май Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ N/a 6,2 млн
SN74FB2041RC SN74FB2041RC Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 В 2,45 мм В QFP 10 мм 10 мм СОДЕРИТС 52 не 2 SOWMESTIM C IEEE 1194.1 BTL & 896.2 FUTION BUS+ Станадарт; Снахнажннми Портами Ттл и бтл not_compliant 8542.39.00.01 1 В дар Квадран Крхлоп Nukahan 5в 0,65 мм Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Верный Аатер -/Приоэратхики Пефернут 5в Н.Квалиирована Кв Верно 7 30pf OTKrыTый-kollektOr/3-гоо-д 0,1 а NeShaviymый koantroly ОДНОАНАПРАВЛЕННА Btl & ttl 7,9 млн 7,9 млн
CD40109BE CD40109BE Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 125 ° С -55 ° С CMOS В /files/texasinstruments-cd40109be-datasheets-8713.pdf СОУДНО ПРИОН 16 16 2 Perrewodчyk s onkykim и vыsokym naprayesemememememememememememem 4 Не Дон СКВОХА 5в 16 ВОЗДЕЛАН 18В 3В Исиннн Восточный 1 240 м 4 3-шТат 6,8 мая
NLSX5002BMUTCG NLSX5002BMUTCG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 0,55 мм ROHS COMPRINT 1,4 мм 1,2 ММ 8 8 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 2 Ngekelh/serebro/зoloTo/payladiй (ni/ag/au/pd) В дар Квадран NeT -lederStva 2,8 В. 0,4 мм 8 ВОЗДЕЛАН 125 ° С -55 ° С 4,5 В. 0,9 В. Drugoй yanterfeйs ics 0,9/4,5 Н.Квалиирована Цeph
SN74LVCC4245APWE4 SN74LVCC4245APWE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 85 ° С -40 ° С CMOS 1,2 ММ ROHS COMPRINT TSSOP 4,4 мм СОДЕРИТС 24 89,499445 м 5,5 В. 4,5 В. 24 в дар 2 Ear99 DVODELNыхRELACA -SAPO -PODAHERESEROGOGROэNERGIKIO -porta A 4,5 -5,5. Не Трубка 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 24 Промлэнно Восточный Исиннн 3,35 В. LVC/LCX/Z. Верно 200 мБИТ / С 8 Naprayeseee ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 7 млн Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ N/a 7,1 м 24ma
SN74AVC4T245PWE4 SN74AVC4T245PWE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 16 61.887009mg 3,6 В. 1,2 В. 16 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 1 ММ 2 Ear99 ДВА -ДОЛНКОНКОН Не Трубка 2 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting Дон Крхлоп 260 1,5 В. 16 Промлэнно 2 Восточный 1,5/3,3 В. Avc Верно 380 мБИТ / С 4 10,3 млн 15pf Пероводжик 2,9 млн -12ma 12ma 80 мка 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ Дюнапразлнн 1,5/3,3 В 1,5/3,3 6,3 м 12ma
TXB0106PWRG4 TXB0106PWRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Lenta и катахка (tr) 1 85 ° С -40 ° С ROHS COMPRINT TSSOP 5 ММ 1,15 мм 4,4 мм СОДЕРИТС 16 61.887009mg 5,5 В. 1,65 В. 16 не 2 Не 8542.39.00.01 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Квадран 260 1,5 В. 16 Промлэнно Исиннн 1000 Верно 100 мб / с 1 9,5 млн Пероводжик 35,6 м 6 -20 мка 20 мк 3,5 мка 3-шТат
GTL2000DL/G,518 GTL2000DL/G, 518 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT SSOP 48
SN74GTL16612ADLR SN74GTL16612ADLR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Bicmos 2,79 мм ROHS COMPRINT SSOP 18 415 мм 7,49 мм СОДЕРИТС 56 не 2 Выпить 8542.39.00.01 Лю 1 В дар Дон Крхлоп Nukahan 3,3 В. 0,635 мм 56 Промлэнно 85 ° С -40 ° С 3,45 В. 3,15 В. Nukahan Исиннн 3,35 В. Н.Квалиирована R-PDSO-G56 GTL/TVC 18 Трансир Открт-дельна/3-гоодарство Poloshitelgnый kraй 0,064 а NeShaviymый koantroly Дюнапразлнн Gtl & lvttl 7,8 млн
74AVCAH164245VRE4 74AVCAH164245VRE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TFSOP 9,7 мм 4,4 мм СОДЕРИТС 48 123.490523mg 3,6 В. 1,4 В. 48 в дар 2 Не 2 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting Дон Крхлоп 260 1,5 В. 0,4 мм 48 Промлэнно 2 Верный Аатер -/Приоэратхики 1,5/3,3 В. Avc Верно 400 мб / с 16 10,8 млн ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 3.1 м -12ma 12ma Дюнапразлнн 3-шТат 0,004 а ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ 1,5/3,3 В 1,5/3,3 6,8 млн 12ma
MAX3373EEKA+ Max3373333eeka+ МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 85 ° С -40 ° С Bicmos ROHS COMPRINT 2013 /files/maximintegrate-max337333333333333333333333333333333333333 годы SOT-23-8 1,45 мм 8 5,5 В. 1,2 В. в дар Ear99 Сообщите 1 E4 ЗOlOTO (au) - c nekelewыm (ni) бараж В дар Дон Крхлоп Nukahan 1,8 В. 0,65 мм Промлэнно Nukahan 2 R-PDSO-G8 16 марта / с Цeph 210 м 130 мка 1
SN100KT5543NT SN100KT5543NT Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Эkl 5,08 мм В PDIP 31,64 мм 7,62 мм 24 не Ear99 not_compliant 8542.39.00.01 8 Не Дон СКВОХА Nukahan 5в 2,54 мм 24 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Вернаф Исиннн 5-4,5. Н.Квалиирована 1 Ttl to ecl -perrewodчyk -4,5 3-шТат 3,6 млн Уд
SN100KT5543DW SN100KT5543DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Эkl 2,65 мм В SOIC 15,4 мм 7,5 мм 24 не Ear99 not_compliant 8542.39.00.01 8 В дар Дон Крхлоп Nukahan 5в 1,27 ММ 24 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Вернаф Исиннн 5-4,5. Н.Квалиирована R-PDSO-G24 1 Ttl to ecl -perrewodчyk -4,5 3-шТат 3,6 млн Уд
SN100KT5540DW SN100KT5540DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 БИПОЛНА 2,65 мм В SOIC 15,4 мм 7,5 мм 24 не Ear99 not_compliant 8542.39.00.01 8 В дар Дон Крхлоп Nukahan 5в 1,27 ММ 24 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Вернаф Пефернут 5-4,5. 120 май Н.Квалиирована R-PDSO-G24 1 Станода Ecl to ttl -4,5 3-шТат 6,4 млн Уд
SN100KT5539DW SN100KT5539DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 БИПОЛНА 2,65 мм В SOIC 15,4 мм 7,5 мм 24 не Ear99 not_compliant 8542.39.00.01 8 В дар Дон Крхлоп Nukahan 5в 1,27 ММ 24 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Вернаф Исиннн 5-4,5. 114ma Н.Квалиирована R-PDSO-G24 1 Станода Ecl to ttl -4,5 Otkrыtый kollektor 12,4 млн Уд
FXWA9306UMX FXWA9306UMX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT
SN74GTL2007PWE4 SN74GTL2007PWE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 1 85 ° С -40 ° С БИПОЛНА 1,2 ММ ROHS COMPRINT TSSOP 9,7 мм 4,4 мм 3,3 В. СОДЕРИТС 28 117.508773mg 3,6 В. 3В 28 в дар Ear99 Не 8542.39.00.01 1 12ma E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 28 Промлэнно Drugoй yanterfeйs ics Исиннн 12 Gtl крансир 10 млн Пероводжик 10 млн 12 Зaщelca 16ma
FXLA101FHX FXLA101FHX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT в дар
SN10KHT5573NT SN10KHT5573NT Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 БИПОЛНА 5,08 мм В PDIP 31,64 мм 7,62 мм 24 не Ear99 not_compliant 8542.39.00.01 8 Не Дон СКВОХА Nukahan 5в 2,54 мм 24 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Вернаф Исиннн 5-5,2 В. 111ma Н.Квалиирована 1 Станода Ecl to ttl -5.2V 3-шТат 6,8 млн Зaщelca
GTL2002D/G.118 GTL2002D/G.118 NXP Semiconductors / Freescale
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT 8 8 2013-06-14 00:00:00
SN10KHT5573DW SN10KHT5573DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 БИПОЛНА 2,65 мм В SOIC 15,4 мм 7,5 мм 24 не Ear99 not_compliant 8542.39.00.01 8 В дар Дон Крхлоп Nukahan 5в 1,27 ММ 24 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Вернаф Исиннн 5-5,2 В. 111ma Н.Квалиирована R-PDSO-G24 1 Станода Ecl to ttl -5.2V 3-шТат 6,8 млн Зaщelca
FXL6408MCSX FXL6408MCSX На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 ROHS COMPRINT
SN10KHT5539NT SN10KHT5539NT Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 БИПОЛНА 5,08 мм В PDIP 31,64 мм 7,62 мм 24 не Ear99 not_compliant 8542.39.00.01 8 Не Дон СКВОХА Nukahan 5в 2,54 мм 24 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Вернаф Исиннн 5-5,2 В. 114ma Н.Квалиирована 1 Станода Ecl to ttl -5.2V Otkrыtый kollektor 12,4 млн Уд
74AVCB164245VRG4 74AVCB164245VRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 Пефер Лю 1 85 ° С -40 ° С CMOS ROHS COMPRINT TFSOP 9,7 мм 4,4 мм СОДЕРИТС 48 123.490523mg 3,6 В. 1,4 В. 48 в дар 2 Не 2 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Nerting Дон Крхлоп 260 1,5 В. 0,4 мм 48 Промлэнно 2 Верный Аатер -/Приоэратхики 1,5/3,3 В. Avc Верно 400 мб / с 16 10 млн ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 10 млн -12ma 12ma Дюнапразлнн 3-шТат 0,004 а ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ 1,5/3,3 В 1,5/3,3 6,8 млн 12ma
SN10KHT5538DW SN10KHT5538DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

 0 0x0x0 БИПОЛНА 2,65 мм В SOIC 15,4 мм 7,5 мм СОДЕРИТС 24 не Ear99 not_compliant 8542.39.00.01 8 В дар Дон Крхлоп Nukahan 5в 1,27 ММ 24 Коммер 70 ° С 5,5 В. 4,5 В. Nukahan Пефернут 5-5,2 В. 114ma Н.Квалиирована R-PDSO-G24 1 Станода Пероводжик -5.2V Otkrыtый kollektor 11,7 м Уд
Нажмите Enter, чтобы найти или ESC, чтобы закрыть

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.

Список запросов (0 пунктов)