Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 155 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 150 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 136 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 185 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 187 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 147 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Переводчики напряжения и переключатели уровня - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН Колист Верна МАССА МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА DOSTISHOCHODA SOOTWOTSTVIN HTS -KOD МЕСТОД УПАКОККИ Колист Н. КОД JESD-609 Особз ТЕРМИНАЛЕН Полаяня БЕЗОПАСНЫЙ Пефер Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл ТЕМПЕРАТУРА PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово Wremaping@pikovoйtemperaturu (я) Rugulyruemый porog Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК ПАКЕТИВАЕТСЯ Скороп Колист ИНЕРФЕРА Вес Втипа В. Nagruзka emcostath Logiчeskayavy Я Колист Вес Веса Кргителнь ТОК Переоборот Napryaneece-nom Napryaneeneee (мин) PoSta Naprayeseee -pietyna 1 минюта ТИП КАНАЛА OTrITeLnoE naprayanieepepanymeman-noema Вес Колиствоистенн КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА Токпитания. Переграклейни ТИП Псевдод « Весальки илиргисттразииииииииииииииииииииииииии ТОТ КРЕВО Wshod ТИП ПЕРЕВОДИЙКА Naprayжeniee - vcca Naprayжeniee - vccb Канала В. В.
GTL2010PW,112 GTL2010PW, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-gtl2010pw112-datasheets-3308.pdf 24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм) Анаправон 1 24-NTSSOP Откргит Дюнапразлнн Управление 1 В ~ 5,5 В. 1 В ~ 5,5 В. 10
MC100LVEL90DWR2G MC100LVEL90DWR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100lvel Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 2,65 мм Rohs3 2006 /files/onsemyonductor-mc100lvel90dwg-datasheets-7186.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 8 3,8 В. -3V 20 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар Ear99 Не 3 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 100lvel90 20 3 40 Додер 1 1 DIFERENцIAL 710 ps Пероводжик 670 ps -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -3,3 В. 0,66 м СМАННАННА Lvpecl Эkl
SY100EPT23LKC SY100EPT23LKC Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер 0 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) В /files/rochesterelectronicsllc-sy100ept23lkc-datasheets-3314.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 не НЕИ 2 E0 Олейнн В дар Дон Крхлоп 240 3,3 В. 0,65 мм 8 3,6 В. 30 Исиннн 1 Коммер S-PDSO-G8 1 Pepkl ttl perrewodчyk Нюртировано ОДНОАНАПРАВЛЕННА Уд СМАННАННА 2 Lvttl Lvpecl
74ALVC164245BQ,518 74ALVC164245BQ, 518 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74Alvc Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) Rohs3 2010 ГОД /files/nxpusainc-74Alvc164245bq518-datasheets-3309.pdf 60-ufqfn dvoйne raDы, oTkrыTAIN 74ALVC164245 2 Три-Госхарство, neryrtyrovano Дюнапразлнн Управление 1,5 В ~ 3,6 В. 1,5 В ~ 5,5 В. 8
MAX3012EUP+T MAX3012EUP+T. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Bicmos Rohs3 2008 /files/maximintegrated-max3001eup-datasheets-7190.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм 20 12 5,5 В. 1,65 В. 20 в дар Не 8 E3 Rraзehenee gystoчnika pietanip MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 0,65 мм MAX3012 20 8 Drugoй yanterfeйs ics 1 35 мсб / с Цeph Три-Госхарство, neryrtyrovano Пероводжик 8,5 млн -20 мка 20 мк 10 мк ОДНОАНАПРАВЛЕННА Управление 1,2 В ~ 5,5 В. 1,65 n 5,5
MC10ELT25D MC10ELT25D Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10elt Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) В /files/rochesterelectronicsllc-mc10elt25d-datasheets-3260.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 1 8 лейт Нюртировано ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 1 В Эkl
GTL2002D,112 GTL2002D, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-gtl2002gm125-datasheets-3240.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) Анаправон 1 8 ТАКОГО Откргит Дюнапразлнн Управление 1 В ~ 5,5 В. 1 В ~ 5,5 В. 2
MC100EP91DWR2G MC100EP91DWR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100эP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) 85 ° С -40 ° С Rohs3 2007 /files/onsemyonductor-mc100ep91dwg-datasheets-7270.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) СОУДНО ПРИОН 8 3,8 В. 2.375V 20 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) БЕЗОПАСНЫЙ 100EP91 3 1 20 лейт 3 DIFERENцIAL 675 ps Пероводжик 675 ps -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 3 NECL CML, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL
MC100EPT25MNR4G MC100EPT25MNR4G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100ept25dtg-datasheets-5292.pdf 8-vfdfn oTkrыTAIN-oploщadca 2 ММ 2 ММ СОУДНО ПРИОН 8 4 neDe 3,6 В. -3V 8 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар Ear99 1 Ngechelh/зoLoTOTO/PALLAODIй (Ni/Au/PD) БЕЗОПАСНЫЙ Дон NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 100EPT25 8 1 40 Исиннн -4,5 Н.Квалиирована 1 Нюртировано 1,6 млн Пероводжик 1,6 млн -3ma 24ma ОДНОАНАПРАВЛЕННА -3,3 В. Уд СМАННАННА Lvttl Эkl
NB6L16DG NB6L16DG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl 6 -й 12ma Rohs3 2008 /files/onsemoronductor-nb6l16dtr2g-datasheets-3152.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 5 ММ 1,5 мм 4 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 4 neDe 3,6 В. 2.375V 8 Lifetime (Poslednniй obnownen: 1 декабря в дар Не 1 12ma E3 Олово (sn) Nerting БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 2,5 В. NB6L16 8 40 1 6L ВОДЕЛЕЙС 6 -gbiot / s DIFERENцIAL Бер, я, 2 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,06 м Lvttl СМАННАННА Эkl CML, LVCMOS, LVDS, LVNECL, LVPECL, LVTTL
MAX13035EEBE+T Max13035eebe+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Полески 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С Bicmos Rohs3 2007 /files/maximintegrated-max13035eete-datasheets-0144.pdf 2 ММ 2 ММ СОУДНО ПРИОН 16 14 16 в дар Ear99 Далее, Секребро, олова 8542.39.00.01 1 Униджин М 260 1,8 В. 0,5 мм 16 Промлэнно 3,2 В. Nukahan Drugoй yanterfeйs ics 2,5/3,3 В. Н.Квалиирована 100 мб / с 6 Цeph Пероводжик 6,5 млн -20 мка 20 мк 3,3 В. 2,2 В.
MAX9375EUA+T MAX9375EUA+T. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) БИПОЛНА Rohs3 2003 /files/maximintegrated-max5858888aecmd-datasheets-5095.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 3,3 В. 8 6 3,6 В. в дар Ear99 Не 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм MAX9375 8 1 Додер S-PDSO-G8 1 DIFERENцIAL 600 с Пероводжик 600 с -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,6 м СМАННАННА Lvpecl CML, HSTL, LVDS, LVPECL
74LVC16T245DGVRG4 74LVC16T245DGVRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVC Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 48-tfsop (0,173, ширина 4,40 мм) 9,7 мм 1,2 ММ 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 48 6 123.490523mg 5,5 В. 1,65 В. 48 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 1,05 мм 2 ДВАДЕЙНЕГОНЯ ЗOLOTO Не Тргенд 2 E4 Nerting Дон Крхлоп 260 1,8 В. 0,4 мм 74LVC16T245 48 Верный Аатер -/Приоэратхики 2 LVC/LCX/Z. Верно 16 Три-Госхарство, neryrtyrovano 23,8 млн 15pf ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 4,2 млн -32ma 32 май 20 мк Дюнапразлнн 3-шТат 0,03 Ма ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ Управление 1,65 n 5,5 1,65 n 5,5 8
MC100EPT26MNR4G MC100EPT26MNR4G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100ept26dtr2g-datasheets-3035.pdf 8-vfdfn oTkrыTAIN-oploщadca 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 7 3,6 В. 8 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар Ear99 Не 1 Ngechelh/зoLoTOTO/PALLAODIй (Ni/Au/PD) БЕЗОПАСНЫЙ Дон 260 3,3 В. 0,5 мм 100EPT26 8 1 40 Исиннн 1 Нюртировано 2 млн Пероводжик 2,2 млн -3ma 24ma ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 2 Lvttl LVDS, LVPECL
GTL2107PW,112 GTL2107PW, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-gtl2107pw112-datasheets-3238.pdf 28-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 1 28-tssop Otkrыtath dreneж, totolчok ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 12 Lvttl Gtl
GTL2005PW,112 GTL2005PW, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-gtl2005pw112-datasheets-3239.pdf 14-tssop (0,173, Ирина 4,40 мм) 1 14-tssop Нюртировано Дюнапразлнн СМАННАННА 4 Lvttl, ttl Gtl
GTL2002GM,125 GTL2002GM, 125 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-gtl2002gm125-datasheets-3240.pdf 8-xfqfn oTkrыTAIN ANPLOUSADCA Анаправон 1 8-xqfn (1,6x1,6) Откргит Дюнапразлнн Управление 1 В ~ 5,5 В. 1 В ~ 5,5 В. 2
74AVCH16T245EV,518 74AVCH16T245EV, 518 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74avch Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 2 (1 годы) В /files/rochesterelectronicsllc-74avch16t245ev518-datasheets-3241.pdf 56-VFBGA 2 56-VFBGA (4,5x7) 380 мБИТ / С Три-Госхарство, neryrtyrovano Дюнапразлнн Управление 0,8 В ~ 3,6 В. 0,8 В ~ 3,6 В. 8
PTN3310D,112 PTN3310D, 112 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-tpn3310d112-datasheets-3242.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 1 8 ТАКОГО 800 мб / с DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 1 Пекл LVDS
CAVCB164245MDGGEP CAVCB164245MDGGEP Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AVCB Пефер -55 ° C ~ 125 ° C TA Трубка 1 CMOS Rohs3 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 12,5 мм 1,2 ММ 6,1 мм СОУДНО ПРИОН 48 6 48 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 1,15 мм 2 2 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 1,5 В. 0,5 мм VCB164245 48 3,6 В. 1,4 В. Nukahan Верный Аатер -/Приоэратхики Исиннн 1,5/3,3 В. 2 Н.Квалиирована Avc Верно 16 Три-Госхарство, neryrtyrovano 15pf 13,6 млн Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ 1,5/3,3 В 1,5/3,3 Управление 1,4 Е 3,6 В. 1,4 Е 3,6 В. 8
GTL2018PW,118 GTL2018PW, 118 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Автомобиль, AEC-Q100 Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/nxpusainc-gtl2018pw112-datasheets-9695.pdf 24 т. Гнева (0,173, Иирин 4,40 мм) 4,4 мм 24 7 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 74GTL2018 24 3,6 В. 30 Drugoй yanterfeйs ics 3,3 В. 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G24 Цeph Нюртировано Дюнапразлнн СМАННАННА 8 Gtl Lvttl
MC100EPT622FAG MC100EPT622FAG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Поднос 2 (1 годы) Эkl Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mc100ept622mnr4g-datasheets-9195.pdf 32-LQFP 7 мм 7 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 32 5 nedely 3,8 В. 32 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар Ear99 10 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Квадран Крхлоп 260 3,3 В. 0,8 мм 100EPT622 32 10 40 Исиннн 1 Н.Квалиирована 1 50 май Нюртировано 875 ps Пероводжик 875 ps -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,875 млн Уд СМАННАННА Lvpecl Lvcmos, lvttl
MC100H601FN MC100H601FN Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 асо Пефер 0 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) 4,57 мм В /files/rochesterelectronicsllc-mc100h601fn-datasheets-3254.pdf 28-LCC (J-Lead) 28 в дар 9 E0 Олейнн В дар Квадран J Bend 240 28 5,5 В. 4,5 В. 30 Исиннн 1 Коммер S-PQCC-J28 1 Три-Госхарство, neryrtyrovano ОДНОАНАПРАВЛЕННА 3-шТат Уд СМАННАННА 9 В Эkl
NVT2001GM,115 NVT2001GM, 115 Nxp poluprovoDonnyki
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2003 /files/nxpusainc-nvt2002gd125-datasheets-7329.pdf 6-xfdfn 7 E3 Анаправон Олово (sn) Nukahan NVT2001 6 Nukahan 1 Цeph Otkrыtath dreneж, totolчok Дюнапразлнн Управление 1 В ~ 3,6 В. 1,8 В ~ 5,5 В.
NTS0101GF,132 NTS0101GF, 132 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc NTS0101G1115-datasheets-3192.pdf 6-xfdfn Анаправон 1 6-xson, sot891 (1x1) 50 мсб / с OTKrыTый dreNaж, tri -gosudarstwva Дюнапразлнн Управление 1,65, ~ 3,6 В. 2,3 В ~ 5,5 В. 1
NB6L16DTR2G NB6L16DTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 12ma Rohs3 2008 /files/onsemoronductor-nb6l16dtr2g-datasheets-3152.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 7 3,6 В. 8 Срок службы (posleDniй obnownen: 1 шар в дар Оло Не 6 -й 1 12ma E3 БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,65 мм NB6L16 8 2.375V 40 1 6L ВОДЕЛЕЙС 6 -gbiot / s DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 0,06 м Lvttl СМАННАННА Эkl CML, LVCMOS, LVDS, LVNECL, LVPECL, LVTTL
74LVC2T45GD,125 74LVC2T45GD, 125 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74LVC Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-74lvc2t45gd125-datasheets-3216.pdf 8-xfdfn 1 8-xson (2x3) 420 мБИТ / С Три-Госхарство, neryrtyrovano Дюнапразлнн Управление 1,2 В ~ 5,5 В. 1,2 В ~ 5,5 В. 2
MC100EP90DTR2G MC100EP90DTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100эP Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-mc100ep90dtr2g-datasheets-3156.pdf 20-opmop (0,173, Ирина 4,40 мм) 6,5 мм 4,4 мм СОУДНО ПРИОН 20 6 -5,5 В. -3V 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар Ear99 3 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 100EP90 20 3 40 Додер -4,5 1 Н.Квалиирована 1 DIFERENцIAL 370 ps Пероводжик 340 ps -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -3,3 В. Уд СМАННАННА PECL, LVPECL Эkl
LTC1556IGN#TRPBF LTC15566ing#trpbf Lehneйnahnehnohnologiar / analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 1998 /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc1555cgntrpbf-datasheets-3003.pdf 20-ssop (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 20 16 Ear99 1 E3 ИНЕРФЕРА СИМ-КАРТИ Олово (sn) В дар Дон Крхлоп 250 0,635 мм LTC1556 20 Пероклэннн 40 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G20 Откргит 3,6 В. 2,7 В. Дюнапразлнн УДОН 800 kgц Управление 1,8 В ~ 5,5 В. 2,7 В ~ 10
TPS65680RSNT Tps65680rsnt Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TJ Lenta и катахка (tr) 2 Rohs3 32-wfqfn otkrыtai-aip-o 4 мм 800 мкм 4 мм 32 6 32 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 750 мкм 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) В дар Квадран NeT -lederStva Nukahan 3,3 В. TPS65680 5,5 В. 2,8 В. 18 САМЕМАПА Nukahan В дар 1 Programmirueemый +2,525. Дюнапразлнн Управление 18

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.