Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 154 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Переводчики напряжения и переключатели уровня - Электронные компоненты Sourcing - Лучший электронный компонентный агент - ICGNT
Срэйват Ибрагейн Сознание Проиджодель ЦEnы (DOLLARR) Колист Вер (К.) Raзmer (lxwxh) Статус В припании Управый МОНТАНАНГИП Rraboч -yemperatura Упако Вернояж МАКСИМАЛЕН Мин Тела ЧastoTA ЭksplyaTASHYONNNыйTOK SNABHENIPER Весарая (МАКСИМУМА) Статус Ройс Опуликовано Техниль PakeT / KORPUES Делина Вес Шyrina Опресагионе СОУДНО ПРИОН МАКСИМАЛНГОН Колист Верна - МАССА DOSTIчH SVHC МАКСИМАЛНА МИНАПРЕЗА Колист Статус жIзnennogogo цikla PBFREE CODE Толсина Колист КОД ECCN Доленитейн Ая Конец Rradiaцyonnoe wyproчneneenee МАКСИМАЛАНА МЕСТОД УПАКОККИ Колист МАКСИМАЛНА Н. КОД JESD-609 Особз ТЕРМИНАЛЕН Полаяня БЕЗОПАСНЫЙ Пефер МАКСИМАЛЕВАЯ Терминала Терминаланая Пико -Аймперратара Надо Терминал Я Поседл PoSta Posta Колист. Каналов Аналогово Wremape@pikovoйtemperaturu (я) Колист Подкейгория Vodnana polarnostaph Питания Поступил Колист Кваликакахионн Статус КОД JESD-30 Смерть ЛОГИСКИЯ ТИП ИК ПАКЕТИВАЕТСЯ Скороп МАКСИМАЛНГАН Мон Колист DefereneNцiAlnый whod Вес ИНЕРФЕРА В конце концов Вес Втипа В. Logiчeskayavy Я Колист Вес Веса Кргителнь ТОК Napryaneece-nom Napryaneeneee (мин) PoSta Колист ТИП КАНАЛА OTrITeLnoE naprayanieepepanymeman-noema Колиствоэвов Колист ИНЕРФЕР Вес Колиствоистенн Весна кондигионирований Fmax-Min КОНГИГУРИЯ КОММУТАТОРА Переграклейни ТИП Псевдод Poluhith « Весальки илиргисттразииииииииииииииииииииииииии ТОТ КРЕВО Wshod ТИП ПЕРЕВОДИЙКА Naprayжeniee - vcca Naprayжeniee - vccb Канала В. В.
MAX9378EUA+T MAX9378EUA+T. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) БИПОЛНА Rohs3 2003 /files/maximintegrated-max9378eua-datasheets-7320.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 8 6 в дар Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм MAX9378 8 3,6 В. Nukahan Додер 1 Н.Квалиирована S-PDSO-G8 1 DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,6 м Уд СМАННАННА LVDS CML, HSTL, LVDS, LVPECL
MC100LVEL92DWR2G MC100LVEL92DWR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100lvel Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 2,65 мм Rohs3 1997 /files/onsemoronductor-mc100lvel92dwr2g-datasheets-3171.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 8 5,5 В. 4,5 В. 20 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар Ear99 Не 3 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 100lvel92 20 3 40 Додер 1 1 DIFERENцIAL 760 ps Пероводжик 760 ps -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА Lvpecl Пекл
MAX13042EETD+T Max13042eetd+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Bicmos 0,8 мм Rohs3 2007 /files/maximintegrated-max13043eetdt-datasheets-8336.pdf 14-wfdfn otkrыtai-anploщaudka 3 ММ 3 ММ 14 6 3,6 В. 1,62 В. 14 в дар Ear99 Не 1 25 мк E3 Rraзehenee gystoчnika pietanip MATOWAN ONOUVA (SN) В дар 1 951 г. Дон 260 1,8 В. MAX13042E 14 4 30 Drugoй yanterfeйs ics 2,5/3,3 В. 1 100 мб / с Цeph Otkrыtath dreneж, totolчok Пероводжик 6,5 млн -20 мка 20 мк 3,3 В. Дюнапразлнн Управление 1,62 В ~ 3,2 В. 2,2 В ~ 3,6 В.
MC100LVEL91DWR2G MC100LVEL91DWR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100lvel Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 2,65 мм Rohs3 1997 /files/onsemyonductor-mc100lvel91dwr2g-datasheets-3183.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 8 3,8 В. -3V 20 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар Ear99 3 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 100lvel91 20 3 40 Додер 1 Н.Квалиирована 1 DIFERENцIAL 810 с Пероводжик 770 ps -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,76 м Уд СМАННАННА Эkl Lvpecl
GTL2002D/DG,118 GTL2002D/DG, 118 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc-gtl2002ddg118-datasheets-3186.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) Анаправон 1 8 ТАКОГО Откргит Дюнапразлнн Управление 1 В ~ 5,5 В. 1 В ~ 5,5 В. 2
MC10H601FNG MC10H601FNG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10 Пефер Пефер 0 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) Rohs3 2006 28-LCC (J-Lead) 12,57 мм 3,69 мм 12,57 мм СОУДНО ПРИОН 28 52 nede НЕТ SVHC 5,5 В. 4,5 В. 28 Срок службы (posleDniй obnownen: 1 месяца назад) в дар Не 9 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Квадран J Bend 260 10H601 28 40 Исиннн 5-5,2 В. 1 1 48 май Три-Госхарство, neryrtyrovano 9,6 м Пероводжик 4,8 млн -15 мая 48 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -5.2V 9 3-шТат СМАННАННА В Эkl
NTS0101GM,115 NTS0101GM, 115 Rochester Electronics
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 125 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/rochesterelectronicsllc NTS0101G1115-datasheets-3192.pdf 6-xfdfn Анаправон 1 6-xson, sot886 (145x1) 50 мсб / с OTKrыTый dreNaж, tri -gosudarstwva Дюнапразлнн Управление 1,65, ~ 3,6 В. 2,3 В ~ 5,5 В. 1
MAX3013ETP+T Max3013etp+t МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 85 ° С -40 ° С Rohs3 2005 /files/maximintegrated-max3013eup-datasheets-7228.pdf 20-wqfn otkrыtaiNav-oploщadka 3,3 В. 6 3,6 В. 1,65 В. 20 Rraзehenee gystoчnika pietanip MAX3013 8 1 20-TQFN (5x5) 100 мб / с 8 Три-Госхарство, neryrtyrovano Пероводжик 6 м -20 мка 20 мк 100NA Дюнапразлнн Управление 1,2 n 3,6 В. 1,65, ~ 3,6 В. 8
MAX9372EUA+T MAX9372EUA+T. МАКСИМАЛНГИНГРИРОВАН
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) БИПОЛНА Rohs3 2002 /files/maximintegrated-max9371esa-datasheets-7486.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 8 6 в дар Ear99 2 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм MAX9372 8 3,6 В. Nukahan Вернаф Додер 3,3 В. 1 Н.Квалиирована S-PDSO-G8 1 Lvttl/ttl до lvpecl/pereslopekl DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,4 млн Уд СМАННАННА 2 Lvpecl, pecl Lvttl, ttl
NB6L16DTG NB6L16DTG На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 3 (168 чASOW) Эkl 6 -й 12ma Rohs3 2008 /files/onsemoronductor-nb6l16dtr2g-datasheets-3152.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3,1 мм 950 мкм 3,1 мм 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 18ma 8 4 neDe НЕИ 3.465V 2.375V 8 Lifetime (PosleDnyй obnownen: 2 дня назад) в дар Оло Не 1 12ma E3 Nerting БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 2,5 В. 0,65 мм NB6L16 8 40 1 6L ВОДЕЛЕЙС 6 -gbiot / s DIFERENцIAL 2 ОДНОАНАПРАВЛЕННА 1 0,06 м Lvttl СМАННАННА Эkl CML, LVCMOS, LVDS, LVNECL, LVPECL, LVTTL
MC100EL91DWR2G MC100EL91DWR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl 2,65 мм Rohs3 2003 /files/onsemoronductor-mc100el91dwr2g-datasheets-3212.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 20 8 5,5 В. 4,75 В. 20 Актифен (Постэдни в Обновен: 3 дня назад) в дар Ear99 3 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 100el91 20 3 40 Додер 1 Н.Квалиирована 1 DIFERENцIAL 860 ps Пероводжик 820 с -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -5V Уд СМАННАННА Эkl Пекл
74AVCB164245GRE4 74AVCB164245GRE4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AVCB Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-74avcb164245gre4-datasheets-0127.pdf 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 12,5 мм 1,2 ММ 6,1 мм СОУДНО ПРИОН 48 6 223.195796mg 3,6 В. 1,4 В. 48 Активна (Постенни в Обновен: 5 дней назад) в дар 1,15 мм 2 Ear99 ЗOLOTO Не Тргенд 2 E4 Nerting Дон Крхлоп 260 1,5 В. 0,5 мм 74AVCB164245 48 2 Восточный 1,5/3,3 В. Avc Верно 400 мб / с 16 12ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 5 млн ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 3.1 м -12ma 12ma Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ 1,5/3,3 В 1,5/3,3 Управление 1,4 Е 3,6 В. 1,4 Е 3,6 В. 8
LTC1556CGN#TRPBF LTC1556CGN#TRPBF Lehneйnahnehnohnologiar / analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 1998 /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc1555cgntrpbf-datasheets-3003.pdf 20-ssop (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 20 18 Ear99 1 E3 ИНЕРФЕРА СИМ-КАРТИ MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 250 0,635 мм LTC1556 20 Пероклэннн Nukahan 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G20 Откргит 3,6 В. 2,7 В. Дюнапразлнн УДОН 800 kgц Управление 1,8 В ~ 5,5 В. 2,7 В ~ 10
LTC1555CGN#PBF LTC1555CGN#PBF Lehneйnahnehnohnologiar / analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) CMOS 60 мка Rohs3 1998 /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc1555cgntrpbf-datasheets-3003.pdf 16-ssop (0,154, Ирина 3,90 мм) 4,9 мм СОУДНО ПРИОН 16 8 16 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) Ear99 Не 1 10 В E3 ИНЕРФЕРА СИМ-КАРТИ MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп 260 0,635 мм LTC1555 16 1 Пероклэннн 30 Drugie -analogowыe ecs 20 май 2,7 В. Откргит ЕГО 18 млн 3,6 В. Дюнапразлнн УДОН 800 kgц Управление 1,8 В ~ 5,5 В. 2,7 В ~ 10
SN65EPT23DGK SN65EPT23DGK Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 65EPT Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 1,07 мм 3 ММ 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 6 3,6 В. 8 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 970 мкм Не 2 15 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) 188 м Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 65EPT23 8 2 1 ВОДЕЛЕЙС 600 мб / с Нюртировано 2 млн Пероводжик 1,9 млн -3ma 24ma ОДНОАНАПРАВЛЕННА 2 DIFERENцIAL 300 мг СМАННАННА Lvcmos, lvttl LVDS, LVPECL
MC10ELT20DR2G MC10ELT20DR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 10elt Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc10elt20dg-datasheets-8138.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 4,9 мм 3,9 мм СОУДНО ПРИОН 8 5 nedely 5,25 В. 4,75 В. 8 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 10elt20 8 1 40 Додер 1 DIFERENцIAL 1,35 млн Пероводжик 1,1 млн -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА Otkrыtый эmiTter СМАННАННА Пекл В
MC100EPT22MNR4G MC100EPT22MNR4G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100ept22dtg-datasheets-5414.pdf 8-vfdfn oTkrыTAIN-oploщadca 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 12 3,6 В. 8 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар Ear99 2 Ngechelh/зoLoTOTO/PALLAODIй (Ni/Au/PD) БЕЗОПАСНЫЙ Дон NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 100EPT22 8 2 40 Додер 1 Н.Квалиирована 1 DIFERENцIAL 675 ps Пероводжик 675 ps -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,7 м Уд СМАННАННА Lvpecl Lvcmos, lvttl
ADG3304BCPZ-REEL ADG3304BCPZ-REEL Analog Devices Inc.
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/analogdevicesinc-adg330444bruzreel7-datasheets-3446.pdf 20-WFQFN PAD, CSP СОДЕРИТС 20 14 5,5 В. 1,15 В. 20 Проиодшо (posledene obnowoneee: 3 мая. не Ear99 1 E3 MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Квадран NeT -lederStva 260 1,8 В. 0,5 мм ADG3304 20 40 Drugoй yanterfeйs ics 1 Н.Квалиирована 50 мсб / с Цeph Три-Госхарство, neryrtyrovano Пероводжик 35 м -20 мка 20 мк 5 Мка Дюнапразлнн Управление 1,15 n 5,5 1,65 n 5,5 4
SY89325VMG-TR SY89325VMG-TR ТЕГЕЛОГИЯ МИККРОЙХАПА
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Sy89 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) 0,9754 ММ Rohs3 /files/microchiptechnology-sy89325vmgtr-datasheets-2619.pdf 8-VFDFN PAD, 8-MLF® 2 ММ 2 ММ СОУДНО ПРИОН 8 6 8 Ear99 Синяя Хт-Русмотроннн; Tykhe -rabotatet -vcc 5v номинал 1 E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон NeT -lederStva 260 3,3 В. 0,5 мм 89325 40 Додер 50 май 1 Н.Квалиирована 1,5 -гбит / с 1 DIFERENцIAL 700 с Пероводжик 700 с -4ma 4 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,7 м Уд СМАННАННА LVDS CML, PECL, LVPECL
74AVCAH164245ZQLR 74AVCAH164245ZQLR Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74avcah Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 /files/texasinstruments-74avcah164245zqlr-datasheets-0108.pdf 56-VFBGA 7 мм 1 ММ 4,5 мм СОУДНО ПРИОН 56 58.28662mg 3,6 В. 1,4 В. 56 Lifebuy (poslegedniй obnowlenen: 5 дней назад) в дар 750 мкм 2 Ear99 Далее, Секребро, олова Не Тргенд 2 E1 Olovo/serebro/mmedion (sn/ag/cu) Nerting Униджин М 260 1,5 В. 0,65 мм 74avcah164245 56 Верный Аатер -/Приоэратхики 1,5/3,3 В. 2 Avc Верно 400 мб / с 8 12ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 2,7 млн ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 10,8 млн 16 -12ma 12ma Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ 1,5/3,3 В 1,5/3,3 Управление 1,4 Е 3,6 В. 1,4 Е 3,6 В. 8
NB4L16MMNR2G NB4L16MMNR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 2009 /files/onsemyonductor-nb4l16mmnr2g-datasheets-3127.pdf 16-vfqfn otkrыtai-anploщadka 3 ММ 3 ММ СОУДНО ПРИОН 16 18 16 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар 3,5 -е 1 Ngechelh/зoLoTOTO/PALLAODIй (Ni/Au/PD) БЕЗОПАСНЫЙ Квадран NeT -lederStva 260 2,5 В. 0,5 мм NB4L16M 16 3,8 В. 2.375V 40 Имени 2,5/3,3 В. 55 май 1 Н.Квалиирована 5 гвит / с Цeph DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,265 млн Lvttl СМАННАННА CML CML, HSTL, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL
SN10KHT5574DW SN10KHT5574DW Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер 0 ° C ~ 75 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) БИПОЛНА Rohs3 24 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 15,4 мм 2,65 мм 7,5 мм СОУДНО ПРИОН 24 6 624,398247 м 5,5 В. 4,94 24 Активна (Постенни в Обновен: 1 декабря в дар 2,35 мм Ear99 Не 8 100 май E4 Ncycelh/pallaadiй/зolothot (ni/pd/au) Дон Крхлоп 260 10KHT5574 24 8 Исиннн 5-5,2 В. 1 1 Станода Три-Госхарство, neryrtyrovano 7,7 млн Пероводжик 7,4 млн -15 мая 48 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА -5.2V 3-шТат Зaregystryrowath СМАННАННА В Эkl
LTC1556IGN#PBF LTC1556ING#PBF Lehneйnahnehnohnologiar / analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) 60 мка Rohs3 1998 /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc1555cgntrpbf-datasheets-3003.pdf 20-ssop (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм СОУДНО ПРИОН 20 16 20 Проиджодво (posleDene obnowoneee: 2 nededeli -nanazhad) Ear99 1 10 В E3 ИНЕРФЕРА СИМ-КАРТИ Олово (sn) В дар Дон Крхлоп 250 0,635 мм LTC1556 20 1 Пероклэннн 40 Н.Квалиирована 20 май 2,7 В. Откргит ЕГО 18 млн 3,6 В. Дюнапразлнн УДОН 800 kgц Управление 1,8 В ~ 5,5 В. 2,7 В ~ 10
85320AMILFT 85320AMILFT Renesas Electronics America
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) Rohs3 /files/renesaselectronicsamericainc-85320amilf-datasheets-5287.pdf 8 SOIC (0,154, Ирина 390 мм) 12 ICS85320 1 8 лейт DIFERENцIAL ОДНОАНАПРАВЛЕННА СМАННАННА 1 Lvpecl Lvcmos, lvttl
MC100EPT20DTR2G MC100EPT20DTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemoronductor-mc10ept20mnr4g-datasheets-8259.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 4 neDe 3,6 В. 8 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 100EPT20 8 1 40 Додер 1 DIFERENцIAL 450 с Пероводжик 450 с -50MA 50 май ОДНОАНАПРАВЛЕННА 0,45 м СМАННАННА Lvpecl Lvcmos, lvttl
LTC1045CSW#TRPBF LTC1045CSW#TRPBF Lehneйnahnehnohnologiar / analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 2001 /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc1045cnpbf-datasheets-7392.pdf 20 SOIC (0,295, Ирина 7,50 мм) 7,493 мм 20 8 Ear99 6 E3 ПРОГОРСКИЙ МОМАЙСКОЙ МОХАНЕСТВО/СКОРОСТА MATOWAN ONOUVA (SN) В дар Дон Крхлоп LTC1045 20 4,5 В. 1 R-PDSO-G20 Не Станода Линэна Три-Госхарство, neryrtyrovano ОДНОАНАПРАВЛЕННА 6 EIA-232 Управление 4,5 В ~ 15 В. 3 В ~ 15 В. 6
LTC1556CGN#PBF LTC1556CGN#PBF Lehneйnahnehnohnologiar / analogowhe uestroйpsta
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер 0 ° C ~ 70 ° C TA Трубка 1 (neograniчennnый) Rohs3 1998 /files/lineartechnologyanalogdevices-ltc1555cgntrpbf-datasheets-3003.pdf 20-ssop (0,154, Ирина 390 мм) 8,65 мм 20 16 Ear99 1 E3 ИНЕРФЕРА СИМ-КАРТИ Олово (sn) В дар Дон Крхлоп 250 0,635 мм LTC1556 20 Пероклэннн 40 1 Н.Квалиирована R-PDSO-G20 Откргит 3,6 В. 2,7 В. Дюнапразлнн УДОН 800 kgц Управление 1,8 В ~ 5,5 В. 2,7 В ~ 10
74AVCBH164245GRG4 74AVCBH164245GRG4 Тел
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 74AVCBH Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 1 (neograniчennnый) CMOS Rohs3 48-tfsop (0,240, ширина 6,10 мм) 12,5 мм 1,2 ММ 6,1 мм СОУДНО ПРИОН 48 8 223.195796mg 3,6 В. 1,4 В. 48 Активна (posteDnyй obnownen: 1 nedelю nanazhad) в дар 1,15 мм 2 ЗOLOTO Не Тргенд 2 E4 Nerting Дон Крхлоп 260 1,5 В. 0,5 мм 74AVCBH164245 48 Верный Аатер -/Приоэратхики 1,5/3,3 В. 2 Avc Верно 400 мб / с 8 12ma Три-Госхарство, neryrtyrovano 2,9 млн ПРИМОПЕРЕДИЯ, ПЕРЕВОДАЙК 10 млн 16 -12ma 12ma Дюнапразлнн 3-шТат ОБИГИЯ КОНТРОЛЯ 1,5/3,3 В 1,5/3,3 Управление 1,4 Е 3,6 В. 1,4 Е 3,6 В. 8
NB4N11MDTR2G NB4N11MDTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Rohs3 2005 /files/onsemyonductor-nb4n11mdtr2g-datasheets-3032.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 11 nedely 3,6 В. 8 Активн (Постенни в Обновен: 4 дня назад) в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 3,3 В. 0,65 мм 4n11 8 1 Drugoй yanterfeйs ics Додер 2,5 -гбит / с 1 DIFERENцIAL 600 с Пероводжик 600 с 4 ОДНОАНАПРАВЛЕННА Otkrыtый kollektor 0,6 м СМАННАННА 2 CML CML, LVCMOS, LVDS, LVPECL, LVTTL
MC100EPT26DTR2G MC100EPT26DTR2G На то, чтобы
RFQ

МИН: 1

Mult: 1

0 0x0x0 СКАХАТА 100 Пефер Пефер -40 ° C ~ 85 ° C TA Lenta и катахка (tr) 3 (168 чASOW) Эkl Rohs3 2000 /files/onsemyonductor-mc100ept26dtr2g-datasheets-3035.pdf 8-tssop, 8-марс (0,118, ширина 3,00 мм) 3 ММ 3 ММ 3,3 В. СОУДНО ПРИОН 8 6 3,6 В. 8 Активна (Постенни в Обновен: 2 дня назад) в дар Ear99 Не 1 E3 Олово (sn) БЕЗОПАСНЫЙ Дон Крхлоп 260 3,3 В. 0,65 мм 100EPT26 8 1 40 Исиннн 1 Нюртировано 2,2 млн Пероводжик 1,8 млн -3ma 24ma ОДНОАНАПРАВЛЕННА ТОТЕМНЕП СМАННАННА 2 Lvttl LVDS, LVPECL

В наличии

Пожалуйста, отправьте RFQ, мы ответим немедленно.