Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал | Базовый номер детали | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток – пиковый выход | Ширина импульса (PWD) | Выходной ток на канале | Напряжение питания1-ном. | Драйвер верхней стороны | Напряжение питания1-Макс. | Коэффициент гистерезиса-ном. |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8271ABD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 8 недель | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-H312-500E | Бродком Лимитед | $4,07 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | 22 недели | ЦГА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | 2,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 1,4 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230AB-D-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГАП2СКМ | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stgap2scm-datasheets-0901.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | АКТИВНО (Последнее обновление: 7 месяцев назад) | НЕ УКАЗАН | СТГАП | 1 | НЕ УКАЗАН | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT | 1700 В постоянного тока | 4А 4А | 30 нс 30 нс | 100 нс, 100 нс | 100 В/нс | 20нс | 3В~5,5В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-T250#060 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 1 | 1 | 1,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 500 мА 500 мА | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 5кВ/мкс | 15 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-H342-060E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2011 г. | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | 230 мА | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | 255мВт | 1 | 1 | 2,5 А | 30В | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 22нс | 18 нс | ОДИНОКИЙ | 250 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2А 2А | 22 нс 18 нс | 25 мА | 350 нс, 250 нс | 25кВ/мкс | 15 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-J314#300 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1 | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | СЛОЖНЫЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25кВ/мкс | 10 В~30 В | 600 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC21732QDWRQ1 | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 6 недель | CQC, CSA, TUV, UL, VDE | да | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 3,3 В | UCC21732 | 5,5 В | 3В | 1 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT | 5700 В (среднеквадратичное значение) | 10А | 10А 10А | 28 нс 24 нс Макс. | 130 нс, 130 нс | 150 В/нс | 30 нс | 13 В~33 В | 10А | 15 В | ДА | 33В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8314TR2V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod8314-datasheets-9817.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 11 недель | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 Вт | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 40 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 300 нс | 16 В~30 В | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261ACC-C-IPR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 30В | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 8 | EAR99 | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | 600 мА | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 50 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 2,8 В Макс. | 400 мА 600 мА | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 13,5 В~30 В | 28 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-T250#560 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 1 | 1 | 1,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 500 мА 500 мА | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 5кВ/мкс | 15 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-T250#360 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 1 | 1 | 1,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 500 мА 500 мА | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 5кВ/мкс | 15 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8231BB-D-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9531L3-V-E3-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9531l3ve3ax-datasheets-0774.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | CSA, SEMKO, UL, VDE | да | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8232AB-D-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230AB-D-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-Т250#300 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | ЦГА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 1 | 1 | 1,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 500 мА 500 мА | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 5кВ/мкс | 15 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9531L3-E3-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9531l3ve3ax-datasheets-0774.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | ЦСА, СЕМКО, УЛ | да | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-J314 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcplj314-datasheets-8673.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 260мВт | 30В | 1 | 7е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 600 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | СЛОЖНЫЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25кВ/мкс | 10 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3184ТСДВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod3184tsd-datasheets-0657.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | 36 недель | 818,989374мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 35В | 15 В | 8 | да | 25 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | 295мВт | 1 | 3А | 30В | 3А | 27нс | 20 нс | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38 нс 24 нс | 210нс, 210нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 65 нс | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8232DB-D-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 2 | 500 мА | 60 нс | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 4,5 В~5,5 В | 5,6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8232BB-D-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 16 | EAR99 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8274GB4D-IM1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 6 (Время на этикетке) | Эмкостная связь | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 14-ВДФН | 5 мм | 14 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | С-ПДСО-G14 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 19нс | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-K342-060E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 8-SOIC (ширина 0,268, 6,81 мм) | 230 мА | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 255мВт | 1 | 1 | 2,5 А | 30В | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 22нс | 18 нс | ОДИНОКИЙ | 250 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2А 2А | 22 нс 18 нс | 25 мА | 350 нс, 250 нс | 25кВ/мкс | 15 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8342TV | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod8342r2-datasheets-7992.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 12 недель | UL | да | совместимый | е3 | Олово (Вс) | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2,5 А 2,5 А | 38 нс 24 нс | 25 мА | 210нс, 210нс | 20 кВ/мкс | 65нс | 10 В~30 В | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3182TSR2 | ОН Полупроводник | 2,45 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod3182s-datasheets-8861.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 36 недель | 818,989374мг | UL | 8 | да | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | 3А | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 38нс | 24 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38 нс 24 нс | 210нс, 210нс | 35кВ/мкс | 10 В~30 В | 65 нс | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-T250 | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | /files/broadcom-hcplt250-datasheets-8675.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | ЦСА, УР | Нет СВХК | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 500 мА 500 мА | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 5кВ/мкс | 15 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9531L2-E3-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9531l3ve3ax-datasheets-0774.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | ЦСА, СЕМКО, УЛ | да | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P314-560E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Олово | е3 | 250 мВт | 1 | 1 | 600 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25кВ/мкс | 10 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8275ABD-IM1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,9 мм | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 14-ВДФН | 5 мм | 14 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | С-ПДСО-G14 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 8нс | 4,2 В~30 В | 4А |
