Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Достичь соответствия кода | Код HTS | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Терминальная позиция | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Температурный класс | Рабочая температура (макс.) | Рабочая температура (мин) | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Напряжение – изоляция | Входное напряжение-ном. | Входное напряжение (мин.) | Входное напряжение (макс.) | Подстройка/регулируемый выход | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток – пиковый выход | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8281BD-ISR | Силиконовые лаборатории, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | совместимый | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8283BD-ISR | Силиконовые лаборатории, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | совместимый | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8282CD-ISR | Силиконовые лаборатории, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | совместимый | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8284BD-ISR | Силиконовые лаборатории, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | совместимый | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8281CD-ISR | Силиконовые лаборатории, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | совместимый | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8284CD-ISR | Силиконовые лаборатории, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | совместимый | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8283CD-ISR | Силиконовые лаборатории, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | совместимый | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8282BD-ISR | Силиконовые лаборатории, ООО | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | значок-pbfree да | совместимый | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8287CD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | Неизвестный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8287BD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | Неизвестный | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8286CD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8286cdis-datasheets-3149.pdf | 6 недель | Неизвестный | да | EAR99 | 2 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8284BD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | Неизвестный | да | 8542.39.00.01 | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8283BD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Соответствует RoHS | Неизвестный | да | 8542.39.00.01 | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BM6108FV-LBE2 | Ром | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 105°С | -40°С | Соответствует RoHS | ССОП | УР | 1 | 1А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8274AB4D-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | Поверхностный монтаж | 125°С | -40°С | 0,9 мм | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8274ab4dim-datasheets-1440.pdf | ЛГА | 5 мм | 14 | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 14 | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | 0,65 мм | АВТОМОБИЛЬНЫЙ | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 4А | 75 нс | 4А | 1,8 А | 47 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСДМ-00Т9-0001 | Шуртер Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | Модуль | 3,299998г | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСДМ-0ДТ2-5020 | Шуртер Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Поставщик не определен | 85°С | -5°С | ГИБРИДНЫЙ | 24,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | Модуль | 15 | 10 недель | 99,988768мг | 15 | EAR99 | 1 | ДВОЙНОЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2,54 мм | 15 | ДРУГОЙ | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | 15 В | 2 | 12 В | 10 В | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСДМ-0ДН9-0001 | Шуртер Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | Модуль | 99,988768мг | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСДМ-00О9-0001 | Шуртер Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не определен | Соответствует ROHS3 | Модуль | 3,299998г | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПСДМ-0ДО2-5040 | Шуртер Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поставщик не определен | ГИБРИДНЫЙ | 24,5 мм | Соответствует ROHS3 | 2011 год | Модуль | 15 | 99,988768мг | EAR99 | 1 | НЕТ | ДВОЙНОЙ | ПИН/ПЭГ | НЕ УКАЗАН | 2,54 мм | 15 | ДРУГОЙ | 85°С | -5°С | НЕ УКАЗАН | Не квалифицирован | Р-ПДМА-П15 | 15 В | 2 | 12 В | 10 В | 15 В | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3180АСД | ОН Полупроводник | 1,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Непригодный | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod3180asd-datasheets-8776.pdf | Без свинца | 1 | 25В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0314#560 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 1 | 1 | 600 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | СЛОЖНЫЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5772(D4,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5772tpe-datasheets-7209.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 2,5 А 2,5 А | 15 нс 8 нс | 8мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 10 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3140#060 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 1 | 1 | 600 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | СЛОЖНЫЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P341-060E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 700мВт | 30В | 1 | 2э-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 3А | 3А | 200 нс | 0,025А | 43нс | 40 нс | ОДИНОКИЙ | 200 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2,5 А 2,5 А | 43 нс 40 нс | 25 мА | 200 нс, 200 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 70 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W314-500E | Бродком Лимитед | $3,03 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-acplw314500e-datasheets-5707.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 22 недели | ЦГА, УР | EAR99 | Олово | 250 мВт | 1 | 600 мА | 700 нс | 50 нс | 50 нс | 700 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0314#500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2007 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Содержит свинец | 22 недели | ЦГА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 1 | 1 | 600 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | СЛОЖНЫЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5774(Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5774tpe-datasheets-3384.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 1,2 А 1,2 А | 15 нс 8 нс | 8мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 10 В~30 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8220CB-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8220cddisr-datasheets-0864.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 12 В | 24В | 6,5 В | 1 | Р-ПДСО-G8 | 2,5 А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,06 мкс | 0,04 мкс | 2,5 В Макс. | 1,5 А 2,5 А | 20 нс 20 нс Макс. | 30 мА | 60 нс, 40 нс | 30 кВ/мкс (тип.) | 12,2 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P347-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 22 недели | ЦГА, УР | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | СЛОЖНЫЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 800 мА 800 мА | 8нс 8нс | 25 мА | 110 нс, 110 нс | 50 кВ/мкс | 40 нс | 15 В~30 В | 1А |
