Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Технология | Высота сидя (Макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Статус квалификации | Код JESD-30 | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ФОД3150АСДВ | ОН Полупроводник | 2,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod3150asd-datasheets-8171.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 5 недель | UL | совместимый | е3 | Олово (Вс) | 1 | ВЫХОД ФЕТ ОПТОПАРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП351(ТП1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp351f-datasheets-4916.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 600 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП700А(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp700af-datasheets-8211.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 12 недель | cUR, UR, VDE | Неизвестный | 6 | Нет | 160мВт | 30 В | 1 | 160мВт | 2э-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 10 мА | 200 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 15нс | 8 нс | 200 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,55 В | 2А 2А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3020-300E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | 7мА | Без свинца | 17 недель | ЦГА, УР | Нет СВХК | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 250мВт | 1 | 1 | 400 мА | 30 В | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTV-3120S-TA1 | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3120sta1-datasheets-8223.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | cUR, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 1 | 2,5 А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А 2,5 А | 42 нс 50 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8320 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8320r2v-datasheets-0341.pdf | 6-SOIC (0,362, ширина 9,20 мм), 5 выводов | 9,2 мм | 25 мА | 2,6 мм | 3,95 мм | Без свинца | 4 недели | 400мг | UL | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 часа назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | 1 | 500мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 2,5 А | 25 мА | 200 мА | 400 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 60нс | 60 мкс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 400 нс, 400 нс | 35кВ/мкс | 16 В~30 В | 100 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8314R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8314r2-datasheets-8132.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 7 недель | UL | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 Вт | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 40 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 16 В~30 В | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-351J-500E | Бродком Лимитед | $5,28 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcomlimited-acpl351j500e-datasheets-8055.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | CSA, UL, VDE | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 4,5 А 4,5 А | 37 нс 30 нс | 25 мА | 150 нс, 150 нс | 100 кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | 5А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8332В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8332r2-datasheets-1712.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 24 недели | 758мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 600мВт | 260 | 1 | НЕ УКАЗАН | 3А | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 16 мА | 50 нс | 50 нс | 250 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 2,5 А 2,5 А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 250 нс, 250 нс | 35кВ/мкс | 3В~15В | 100 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8230AB-D-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8316V | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fod8316r2-datasheets-7734.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,5 мм | 7,5 мм | 30 В | 16 | 24 недели | 758мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 5,5 В | 1 | НЕ УКАЗАН | 3А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 34 нс | 34 нс | 500 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 2,5 А 2,5 А | 34нс 34нс | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-350J-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcomlimited-acpl350j500e-datasheets-8075.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | CSA, UL, VDE | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2,5 А 2,5 А | 37 нс 30 нс | 25 мА | 150 нс, 150 нс | 100 кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDU20I12SVXUMA1 | Инфинеон Технологии | $6,82 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°С~125°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 2,65 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-1edu20i12svxuma1-datasheets-8076.pdf | 7,5 мм | 36 | 22 недели | EAR99 | 1 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 4,85 В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-Г36 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК | 0,535 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACNT-H313-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2016 год | 8-SOIC (ширина 0,543, 13,80 мм) | 30 В | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | е3 | Олово (Вс) | 1 | 2,5 А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 500 нс | 7500 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 40 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SID1181KQ | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SCALE-iDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/powerintegrations-sid1181kqtl-datasheets-8033.pdf | 16-PowerSOIC (0,350, ширина 8,89 мм), 15 выводов | 8 недель | CSA, UL, VDE | 1 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,6А 4А | 465 нс 460 нс | 340 нс, 330 нс | 50 кВ/мкс | 22 В~28 В | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП705А(ТП,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp705af-datasheets-7769.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 12 недель | cUR, UR, VDE | 6 | 1 | 40мВт | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 200 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,57 В | 400 мА 400 мА | 35 нс 15 нс | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 50 нс | 10 В~30 В | 600 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8384 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8384-datasheets-8112.pdf | 6-SOIC (0,346, ширина 8,80 мм), 5 выводов | 30 В | Без свинца | 6 недель | 400мг | UL | АКТИВНО (последнее обновление: 15 часов назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 30 В | 1 | 2,1e-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 3А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 Вт | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 35 нс 25 нс | 25 мА | 210нс, 210нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 65 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП351Х(ТП1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp351htp1f-datasheets-8119.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | CQC, cUR, UR, VDE | 260мВт | 1 | 600 мА | 50 нс | 50 нс | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 20 кВ/мкс | 500 нс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8318В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8318v-datasheets-8121.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3 мм | 7,5 мм | 30 В | Без свинца | 16 | 24 недели | 758мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | 5,5 В | 1 | НЕ УКАЗАН | 3А | 30 В | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 30 В | 34 нс | 34 нс | 500 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 2,5 А 2,5 А | 34нс 34нс | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8316 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/onsemiconductor-fod8316r2-datasheets-7734.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 16 | 24 недели | 758мг | UL | Нет СВХК | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | 100мВт | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 5В | 5,5 В | 3В | 1 | НЕ УКАЗАН | 3А | 30 В | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 2,5 А | 17 мА | 34 нс | 34 нс | 500 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 2,5 А 2,5 А | 34нс 34нс | 500 нс, 500 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП351Х(Д4-ТП1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp351htp1f-datasheets-8119.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | CQC, cUR, UR, VDE | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 1 | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 20 кВ/мкс | 500 нс | 10 В~30 В | 600 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SID1181KQ-TL | Энергетическая интеграция | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | SCALE-iDriver™ | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/powerintegrations-sid1181kqtl-datasheets-8033.pdf | 16-PowerSOIC (0,350, ширина 8,89 мм), 15 выводов | 8 недель | CSA, UL, VDE | 1 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 3,6А 4А | 465 нс 460 нс | 340 нс, 330 нс | 50 кВ/мкс | 22 В~28 В | 8А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-350J-000E | Бродком Лимитед | $5,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcomlimited-acpl350j500e-datasheets-8075.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 17 недель | CSA, UL, VDE | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2,5 А 2,5 А | 37 нс 30 нс | 25 мА | 150 нс, 150 нс | 100 кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-312T-000E | Бродком Лимитед | $4,19 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, R²Coupler™ | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 1999 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcomlimited-acpl312t300e-datasheets-9767.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | Без свинца | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | Нет СВХК | 8 | EAR99 | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | Олово | е3 | 400мВт | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 35В | 30 В | 2А | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 500 нс | 500 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-155Э | Лайт-Он Инк. | 0,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 12 недель | cUR, МЭК/EN/DIN, UR | неизвестный | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В постоянного тока | 1,37 В | 800 мА 800 мА | 35 нс 35 нс | 25 мА | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 70нс | 10 В~30 В | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8231AB-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицирован | 500 мА | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 250 мА 500 мА | 20 нс 20 нс Макс. | 60нс, 60нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-351J-000E | Бродком Лимитед | $5,69 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcomlimited-acpl351j500e-datasheets-8055.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 17 недель | CSA, UL, VDE | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 4,5 А 4,5 А | 37 нс 30 нс | 25 мА | 150 нс, 150 нс | 100 кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | 5А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5752(TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 2,11 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5752d4tpe-datasheets-7326.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, CSA, cUL, UL | 6 | 1 | 2,5 А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 150 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2,5 А 2,5 А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI82390BB-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | совместимый | 2 | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 5,5 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,04 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 5,6 нс | 10 В~24 В | 4А | 12 В | 6,5 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СИ82398БД-ИС | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si82395bdis-datasheets-9093.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 3,8 мА | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 5,5 В | 2,5 В | EAR99 | 2 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | 2 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G16 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,055 мкс | 0,04 мкс | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 40 нс, 40 нс | 35кВ/мкс | 10 В~24 В | 5,6 нс | 12 В |
