| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Направление | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток – пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Выходной ток на канале | Драйвер верхней стороны |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| ВКПЛ-3020-560 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 250 мВт | 1 | 8-ДИП Крыло чайки | 400 мА | 1,5 В | 700 нс | 50 нс | 700 нс | 200 мА | 200 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5771(D4-TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5771tpe-datasheets-3027.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 1А 1А | 15 нс 8 нс | 8мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 10 В~30 В | 1А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-3020-500 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | ЦГА, УР | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 1 | 1 | 400 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-3020 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2004 г. | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | ЦГА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | не_совместимо | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 30В | 1 | 7е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 400 мА | 12 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IX3120GES | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | 4,572 мм | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 9,652 мм | 8 | 8 недель | МЭК/EN/DIN, УР | 1 | ДВОЙНОЙ | НЕ УКАЗАН | 2,54 мм | 30В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G8 | 2,5 А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 1,24 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 25 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3184СВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3184tsd-datasheets-0657.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | 7 недель | 720мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | Нет СВХК | 35В | 15 В | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 25 мА | 295мВт | 1 | 295мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 30В | 3А | 25 мА | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 27нс | 20 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 65 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5772(D4-TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5772tpe-datasheets-7209.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 недель | CQC, cUR, UR, VDE | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В | 2,5 А 2,5 А | 15 нс 8 нс | 8мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 50 нс | 10 В~30 В | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3140-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 мА | Без свинца | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 1 | 1 | 600 мА | 28,2 В | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | СЛОЖНЫЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 25 кВ/мкс | 10 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8342TR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fod8342r2-datasheets-7992.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 12 недель | УР | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 1 | 3А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 25 мА | 210 нс, 210 нс | 20 кВ/мкс | 10 В~30 В | 65 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3020-060 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Содержит свинец | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 1 | 1 | 400 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3182ТВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3182s-datasheets-8861.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 16 мА | Без свинца | 7 недель | 900мг | УЛ, ВДЭ | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 38нс | 24 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 10 В~30 В | 65 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTV-3150-LS | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3150lsta1-datasheets-8253.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | cUL, IEC/EN/DIN, UR | 8 | 295мВт | 1 | 1А | 25 мА | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 500 нс | 500 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 1А 1А | 42 нс 50 нс | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 10 В~30 В | 1А | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3184ТСВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3184tsd-datasheets-0657.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | 7 недель | 819мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | Нет СВХК | 35В | 15 В | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 25 мА | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 30В | 3А | 210 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 27нс | 20 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 65 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0302-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 1 | 1 | 400 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3182СВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3182s-datasheets-8861.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 5 недель | 720мг | УЛ, ВДЭ | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 295мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 25 мА | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 38нс | 24 нс | ОДИНОКИЙ | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,43 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 210 нс, 210 нс | 35кВ/мкс | 10 В~30 В | 65 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP5751(TP,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp5751e-datasheets-4944.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 8 недель | CQC, CSA, cUL, UL | 6 | 1 | 1А | 150 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 1А 1А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 150 нс, 150 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 50 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВКПЛ-3020-300 | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | Содержит свинец | 17 недель | ЦГА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 250 мВт | 1 | 1 | 400 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-T250-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -20°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | /files/broadcom-hcplt250000e-datasheets-5554.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 мА | Без свинца | 17 недель | ЦГА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 1 | 1 | 1,5 А | 27В | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | СЛОЖНЫЙ | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | 500 мА 500 мА | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 5кВ/мкс | 15 В~30 В | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8321В | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8321r2-datasheets-7317.pdf | 6-SOIC (0,346, ширина 8,80 мм), 5 выводов | 25 мА | Без свинца | 6 недель | 400мг | МЭК/ЭН/ДИН, УЛ | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | е3 | Олово (Вс) | 500мВт | 1 | 500мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 3А | 25 мА | 25 мА | 400 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 60нс | 60 нс | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 16 В~30 В | 5В | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8314TR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8314r2-datasheets-8132.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 4 недели | UL | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 Вт | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 40 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 16 В~30 В | 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-3150 | Лайт-Он Инк. | 1,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3150sta1-datasheets-8242.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 12 недель | cUR, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 295мВт | 1 | 1А | 10 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 75нс | 50 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 800 мА 800 мА | 42 нс 50 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 120 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-T251-300E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 мА | Без свинца | 17 недель | ЦГА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 1 | 1 | 400 мА | 28,2 В | 1 мкс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | ОДИНОКИЙ | 1 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | - 100 мА | 20 мА | 1 мкс, 1 мкс | 10 кВ/мкс | 15 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W302-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/broadcom-acplw302000e-datasheets-5545.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 мА | Без свинца | 22 недели | ЦГА, УР | Нет СВХК | 30В | 10 В | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 250 мВт | 30В | 1 | 7е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 400 мА | 35В | 30В | 400 мА | 25 мА | 12 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-3120 | Лайт-Он Инк. | 1,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3120sta1-datasheets-8223.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 12 недель | cUR, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 295мВт | 1 | 2,5 А | 2,5 А | 16 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 45 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А 2,5 А | 42 нс 50 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 5В | 120 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-3150-Л | Лайт-Он Инк. | 1,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3150lsta1-datasheets-8253.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 12 недель | cUL, IEC/EN/DIN, UR | 8 | 295мВт | 1 | 1А | 25 мА | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 500 нс | 500 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 1А 1А | 42 нс 50 нс | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 10 В~30 В | 1А | 120 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W302-060E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 1 | 400 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 0,025А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3150ТВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/onsemiconductor-fod3150tsr2-datasheets-0215.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 7 недель | 900мг | МЭК, УЛ | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | 1А | 500 нс | ВЫХОД ФЕТ ОПТОПАРА | 0,025А | 500 нс | 500 нс | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 60 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3150А | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod3150asd-datasheets-8171.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 5 недель | UL | совместимый | е3 | Олово (Вс) | 1 | ВЫХОД ФЕТ ОПТОПАРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 3А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTV-3150-LM | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3150lsta1-datasheets-8253.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 12 недель | cUL, IEC/EN/DIN, UR | 8 | 295мВт | 1 | 1А | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 500 нс | 500 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 1А 1А | 42 нс 50 нс | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 10 В~30 В | 1А | 120 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W302-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | EAR99 | Олово | 250 мВт | 1 | 400 мА | 700 нс | 50 нс | 50 нс | 700 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В |
Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.