Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Ширина | Без свинца | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Количество вариантов | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Максимальное выходное напряжение | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Максимальный ток во включенном состоянии | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Задержка распространения | Количество выходов | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Обратное напряжение проба | Направление | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток – пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Ширина импульса (PWD) | Выходной ток на канале | Напряжение питания1-ном. | Тип канала |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IX3120GE | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 8 недель | МЭК/EN/DIN, УР | 1 | 8-ДИП | 2,5 А | 1,24 В | 500 нс | 2А | 2А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,24 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP701H(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp701hf-datasheets-8278.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | Без свинца | 12 недель | кУЛ, УЛ | 6 | УЛ ПРИЗНАЛ | неизвестный | 1 | 1 | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,57 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 700 нс, 700 нс | 20 кВ/мкс | 500 нс | 10 В~30 В | 600 мА | 600 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IX3120GETR | Подразделение интегральных микросхем IXYS | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | МЭК/EN/DIN, УР | 1 | 8-СМД | 2,5 А | 1,24 В | 500 нс | 2А | 2А | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,24 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 20 мА | 500 нс, 500 нс | 25кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-3150С | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3150sta1-datasheets-8242.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | cUR, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 295мВт | 1 | 1А | 25 мА | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 500 нс | 500 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 800 мА 800 мА | 42 нс 50 нс | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 1А | 120 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0314-560E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 мА | Без свинца | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 1 | 600 мА | 28,2 В | 25 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 50 нс | СЛОЖНЫЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 700 нс, 700 нс | 25кВ/мкс | 10 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI10I12MFXUMA1 | Инфинеон Технологии | 2,72 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | ЭйсДрайвер™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/infineontechnologies-1edi20i12mfxuma1-datasheets-4481.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | Нет СВХК | 15 В | 3,5 В | 8 | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | НЕ УКАЗАН | 2,3А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT | 1А | 330 нс | 1 | 9нс 6нс | 13 В~18 В | 15 В | Одинокий | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-3150М | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3150sta1-datasheets-8242.pdf | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 12 недель | cUR, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 295мВт | 1 | 1А | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 500 нс | 500 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 800 мА 800 мА | 42 нс 50 нс | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 1А | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8314TR2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8314r2-datasheets-8132.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 4 недели | UL | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 Вт | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 40 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 16 В~30 В | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-3150 | Лайт-Он Инк. | 1,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3150sta1-datasheets-8242.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 12 недель | cUR, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 295мВт | 1 | 1А | 10 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 75нс | 50 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 800 мА 800 мА | 42 нс 50 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-T251-300E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 мА | Без свинца | 17 недель | ЦСА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 1 | 1 | 400 мА | 28,2 В | 1 мкс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | ОДИНОКИЙ | 1 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | - 100 мА | 20 мА | 1 мкс, 1 мкс | 10 кВ/мкс | 15 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W302-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2010 год | /files/broadcom-acplw302000e-datasheets-5545.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 12 мА | Без свинца | 22 недели | ЦСА, УР | Нет СВХК | 30В | 10 В | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 250 мВт | 30В | 1 | 7е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 400 мА | 35В | 30В | 400 мА | 25 мА | 12 мА | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 400 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-3120 | Лайт-Он Инк. | 1,73 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~105°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3120sta1-datasheets-8223.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 12 недель | cUR, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 295мВт | 1 | 2,5 А | 2,5 А | 16 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 45 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А 2,5 А | 42 нс 50 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 5В | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0302-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 1999 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 12 мА | Без свинца | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 250 мВт | 1 | 8-СО | 400 мА | 28,2 В | 1,5 В | 700 нс | 50 нс | 700 нс | 200 мА | 200 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8314T | ОН Полупроводник | 1,81 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8314r2-datasheets-8132.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 12 недель | UL | АКТИВНО (последнее обновление: 6 дней назад) | да | е3 | Олово (Вс) | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,025А | ОДИНОКИЙ | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,5 Вт | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 40 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 16 В~30 В | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3150АСДВ | ОН Полупроводник | 2,10 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod3150asd-datasheets-8171.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 5 недель | UL | совместимый | е3 | Олово (Вс) | 1 | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП351(ТП1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp351f-datasheets-4916.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 600 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП700А(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,55 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp700af-datasheets-8211.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 12 недель | cUR, UR, VDE | Неизвестный | 6 | Нет | 160 мВт | 30В | 1 | 160 мВт | 2э-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 10 мА | 200 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 15нс | 8 нс | 200 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,55 В | 2А 2А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3020-300E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-СМД, Крыло Чайки | 7мА | Без свинца | 17 недель | ЦСА, УР | Нет СВХК | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 250 мВт | 1 | 1 | 400 мА | 30В | 700 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | 50 нс | 50 нс | ОДИНОКИЙ | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| LTV-3120S-TA1 | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-ltv3120sta1-datasheets-8223.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | cUR, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 1 | 2,5 А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 2,5 А 2,5 А | 42 нс 50 нс | 25 мА | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 120 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП352Ф(ТР4,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | Непригодный | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp352tp1f-datasheets-8401.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | cUR, UR, VDE | 1 | 8 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 2А 2А | 15 нс 8 нс | 20 мА | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 50 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3020-360E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 мА | Без свинца | 17 недель | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 250 мВт | 1 | 8-ДИП Крыло чайки | 400 мА | 28,2 В | 1,5 В | 700 нс | 50 нс | 700 нс | 200 мА | 200 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 20 мА | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FOD8482 | ОН Полупроводник | 2,16 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 5 недель | да | 1 | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В | 15 нс 10 нс | 20 мА | 300 нс, 300 нс | 20 кВ/мкс | 250 нс | 4,5 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3150С | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fod3150tsr2-datasheets-0215.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 7 недель | 720мг | UL | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | Олово | е3 | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | 35В | 16 мА | 25 мА | 500 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 60нс | 60 нс | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 60 нс | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 1,5 А | 5В | 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8332 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2015 год | /files/onsemiconductor-fod8332r2-datasheets-1712.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | Без свинца | 24 недели | 758мг | UL | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | EAR99 | Нет | е3 | Олово (Вс) | 600мВт | 1 | 3А | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 250 нс | 50 нс | 250 нс | 4243 В (среднеквадратичное значение) | Двунаправленный | 1,45 В | 2,5 А 2,5 А | 50 нс 50 нс | 25 мА | 250 нс, 250 нс | 35кВ/мкс | 3В~15В | 100 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3150СДВ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2002 г. | /files/onsemiconductor-fod3150tsr2-datasheets-0215.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 7 недель | 720мг | МЭК, УЛ | Нет СВХК | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1,5 А | 1А | 25 мА | 500 нс | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 0,025А | 500 нс | 500 нс | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,5 В | 1А 1А | 60 нс 60 нс | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | 1,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД3150АСД | ОН Полупроводник | 1,43 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod3150asd-datasheets-8171.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 5 недель | UL | совместимый | е3 | Олово (Вс) | 1 | ВЫХОД ПОЛЕТОВОГО ОПТОПАРА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2А 2А | 60 нс 60 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 3А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЛТВ-3150С-ТА1 | Лайт-Он Инк. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2003 г. | /files/liteonnc-ltv3150sta1-datasheets-8242.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | cUR, МЭК/EN/DIN, UR | 8 | 295мВт | 1 | 1А | 25 мА | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 500 нс | 500 нс | 400 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,37 В | 800 мА 800 мА | 42 нс 50 нс | 400 нс, 400 нс | 15 кВ/мкс | 15 В~30 В | 1А | 120 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-3020-000E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7мА | 9,65 мм | Без свинца | 17 недель | ЦСА, УР | Нет СВХК | 8 | EAR99 | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 1 | 250 мВт | 400 мА | 30В | 20 мА | 12 мА | 700 нс | 50 нс | 50 нс | 700 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | Однонаправленный | 1,5 В | 200 мА 200 мА | 50 нс 50 нс | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | 400 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-T251-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -20°К~85°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 мА | Без свинца | 17 недель | ЦСА, УР | 8 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 1 | 1 | 400 мА | 28,2 В | 1 мкс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 0,02 А | ОДИНОКИЙ | 1 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,6 В | - 100 мА | 20 мА | 1 мкс, 1 мкс | 10 кВ/мкс | 15 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP152(Е | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp152tple-datasheets-2675.pdf | 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 5 выводов | 12 недель | CQC, cUL, UL | 1 | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 22 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,57 В | 2А 2А | 18 нс 22 нс | 15 мА | 170 нс, 190 нс | 20 кВ/мкс | 50 нс | 10 В~30 В | 2,5 А |
