Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Тип | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Частота | Рабочий ток питания | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | Толщина | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код HTS | Количество функций | Номинальный ток питания | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Без галогенов | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Базовый номер детали | Количество контактов | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Конфигурация элемента | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Рассеяние активности | Подкатегория | Выходная полярность | Максимальный ток питания | Статус квалификации | Максимальный переход температуры (Tj) | Диапазон температуры окружающей среды: высокий | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Входные характеристики | Тип интерфейса микросхемы | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Максимальный входной ток | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Время подъема | Осень (тип.) | Время задержки отключения | Рабочее напряжение | Задержка распространения | Количество выходов | Напряжение – изоляция | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Выходной ток-Макс. | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Обратное напряжение (постоянный ток) | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Выходной ток на канале | Напряжение питания1-ном. | Напряжение питания1-мин. | Драйвер верхней стороны | Напряжение питания1-Макс. | Тип канала | Изолированное питание | Число бит драйвера |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| HCPL-316J | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Печатная плата, внешнее крепление | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2005 г. | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 5В | Содержит свинец | 16 | 22 недели | CSA, МЭК/EN/DIN, UR | 16 | EAR99 | Свинец, Олово | Нет | 1 | е0 | Олово/Свинец (Sn/Pb) | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | 2 | 2,5 А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 30 В | 22 мА | 500 нс | 100 мс | 100 нс | 500 нс | 500 нс | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 2,5 А | ПЕРЕГРУЗКА ПО ТОКУ; ПЕРЕНАПРЯЖЕНИЕ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ; ПЕРЕХОДНЫЙ | 0,5 мкс | 0,5 мкс | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 500 нс, 500 нс | 15 кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC21225ANPLT | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/texasinstruments-ucc21225anplt-datasheets-8078.pdf | 13-ВФЛГА | 5 мм | 1 мм | 5 мм | 13 | 12 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 13 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 910 мкм | EAR99 | 1 | ДА | НИЖНИЙ | НЕТ ЛИДЕСА | 260 | 3,3 В | UCC21225 | 18В | 3В | 2 | НЕ УКАЗАН | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 792В | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 0,03 мкс | 0,03 мкс | 6А | 4А 6А | 6нс 7нс | 30 нс, 30 нс | 100 В/нс | 6нс | 3В~18В | 12 В | 6,5 В | ДА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI60N12AFXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°С~150°С ТДж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | 2014 год | /files/infineontechnologies-1edi60n12afxuma1-datasheets-8468.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | Без свинца | 8 | 17 недель | Нет СВХК | 15 В | 3,5 В | 8 | да | EAR99 | 1 | е3 | Олово (Вс) | Без галогенов | 400мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 5В | НЕ УКАЗАН | 9,4А | ПОЛУМОСТОВОЙ ДРАЙВЕР МОП-транзистор | 6А | 130 нс | 1 | 10А | 10 нс 9 нс | 10 В~35 В | 15 В | НЕТ | Одинокий | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| FDA217S | Подразделение интегральных микросхем IXYS | 1,57 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 85°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2012 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/ixys-fda217s-datasheets-8080.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 8 недель | ЕН, МЭК, ТУВ | 2 | 8-СМД | 1,26 В | 500 мкс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,26 В | 5мА | 2 мс, 0,5 мс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП352(ТП1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | 1,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp352tp1f-datasheets-8401.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 12 недель | CSA, cUL, UL | 8 | Нет | 260мВт | 1 | 2,5 А | 2,5 А | 20 мА | 200 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 15 нс | 8 нс | 200 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 2А 2А | 15 нс 8 нс | 200 нс, 200 нс | 20 кВ/мкс | 15 В~30 В | 5В | 50 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISO5852SDWR | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,65 мм | 7,5 мм | Без свинца | 4,5 мА | 16 | 12 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 2,25 В | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | 2,35 мм | 1 | 2,8 мА | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | 1255 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | ИСО5852 | 1 | истинный | 150°С | 125°С | 5,5 А | И ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET НА ЗАТВОРЕ | 18нс | 20 нс | 2121 кВ | 76 нс | 2 | 5700 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 А 3,4 А | 18 нс 20 нс | 110 нс, 110 нс | 100 кВ/мкс | 15 В~30 В | 2,7 А 5,5 А | НЕТ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8752AB-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8751abisr-datasheets-8058.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Нет СВХК | да | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 20 кВ/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8751AB-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8751abisr-datasheets-8058.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Нет СВХК | да | НЕ УКАЗАН | 1 | НЕ УКАЗАН | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 20 кВ/мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8234BB-D-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 3,5 мА | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 5мА | 16 | 8 недель | 508,363649мг | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 6мА | 60 нс | 12нс | 12 нс | 60 нс | 60 нс | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8234BB-D-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-ВФЛГА | 14 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 14 | EAR99 | 1,2 Вт | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8271GB-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 2,5 В | 1 | 8мА | 1,1 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 150°С | 125°С | Р-ПДСО-Г8 | 4А | 4мА | 10,5 нс | 13,3 нс | 30 нс | 1 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 60 нс, 60 нс | 150 кВ/мкс | 4,2 В~30 В | 8 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233BB-D-IMR | Кремниевые лаборатории | $7,70 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 14-ВФЛГА | 14 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 14 | EAR99 | 1,2 Вт | 2 | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BAD-C-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,58 мм | 2,05 мм | 11,5 мм | 6 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 6 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | 4А | 60 нс | 50 нс | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 6,5 В~30 В | 10 нс | НЕТ | Однонаправленный | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BCD-C-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 4,58 мм | 2,05 мм | 11,5 мм | 6 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 6 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 250 мВ | 10 мА | 60 нс | 5,5 нс | 8,5 нс | 50 нс | 2 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 13,5 В~30 В | 10 нс | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ADUM5230ARWZ-RL | Аналоговые устройства Inc. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | iCoupler® | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 1 МГц | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/analogdevicesinc-adum5230arwzrl-datasheets-8229.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | Содержит свинец | 200 мА | 16 | 8 недель | УР | 18,5 В | 12 В | 16 | ПРОИЗВОДСТВО (Последнее обновление: 1 месяц назад) | нет | EAR99 | ТАКЖЕ РАБОТАЕТ ПРИ ПИТАНИИ 5 В. | 8543.70.99.60 | 1 | 200 мА | е3 | Матовый олово (Sn) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 5В | АДУМ5230 | 16 | 30 | 150 мВт | истинный | Не квалифицированный | 10 мА | ТРИГГЕР ШМИТТА | ПОЛУМОСТОВОЙ ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР | 100 нс | 25нс | 10 нс | 100 нс | 2 | 2500 В (среднеквадратичное значение) | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | 0,1 мкс | 0,1 мкс | 25 нс 10 нс Макс. | 100 нс, 100 нс | 25 кВ/мкс | 12 В~18,5 В | 8 нс | 15 В | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| UCC5350SBDR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 1,75 мм | 3,91 мм | 8 | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 8 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | 1,58 мм | EAR99 | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДА | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 260 | 3,3 В | UCC5350 | 3В | 1 | НЕ УКАЗАН | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 990В | 3000 В (среднеквадратичное значение) | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 8,5 А 10 А | 10 нс 10 нс | 100 нс, 100 нс | 100 кВ/мкс | 20нс | 9,5 В~33 В | 15 В | 9,5 В | 33В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8233BB-D-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BBC-C-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,8 мм | 1,5 мм | 3,8 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 8 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | 1 | Одинокий | 225 МВт | 4А | 250 мВ | 10 мА | 60 нс | 5,5 нс | 8,5 нс | 50 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 9,4 В~30 В | 10 нс | НЕТ | Однонаправленный | Нет | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8235AB-D-IS1 | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 1,75 мм | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 9,9 мм | 16 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 5,5 В | 4,5 В | 16 | EAR99 | 1 | 1,2 Вт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 16 | 2 | НЕ УКАЗАН | Драйверы периферийных устройств | Не квалифицированный | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 4А | ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 6,5 В~24 В | 5,6 нс | 12 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8220DB-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8220cddisr-datasheets-0864.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,9 мм | 3,9 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 12 В | 24В | 6,5 В | 1 | Р-ПДСО-Г8 | 2,5 А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,06 мкс | 0,04 мкс | 2,5 В Макс. | 1,5 А 2,5 А | 20 нс 20 нс Макс. | 30 мА | 60 нс, 40 нс | 30 кВ/мкс (тип.) | 14,8 В~24 В | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ISO5452DWR | Техасские инструменты | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2 (1 год) | Эмкостная связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/texasinstruments-iso5452dwr-datasheets-8066.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 10,3 мм | 2,65 мм | 7,5 мм | Без свинца | 16 | 12 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Нет СВХК | 5,5 В | 2,25 В | 16 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 неделю назад) | да | 2,35 мм | 1 | е4 | Никель/Палладий/Золото (Ni/Pd/Au) | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 5В | ИСО5452 | 1 | истинный | 4,5 мА | 5,5 А | И ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET НА ЗАТВОРЕ | 1,42 кВ | 110 нс | 5700 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 А 3,4 А | 18 нс 20 нс | 110 нс, 110 нс | 50 кВ/мкс | 15 В~30 В | 2,7 А 5,5 А | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BCC-C-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,8 мм | 1,5 мм | 3,8 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 8 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 15 В | 1 | Одинокий | НЕ УКАЗАН | 4А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 250 мВ | 10 мА | 5,5 нс | 8,5 нс | 50 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 13,5 В~30 В | 10 нс | НЕТ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BAC-C-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 1997 год | /files/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 4,8 мм | 1,5 мм | 3,8 мм | 8 | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 30 В | 5В | 8 | EAR99 | 1 | 2мА | ДА | 300мВт | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 15 В | 1 | 75мВт | 4А | 60 нс | 50 нс | 2 | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 0,06 мкс | 0,05 мкс | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 6,5 В~30 В | 10 нс | НЕТ | Однонаправленный | Нет | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8238BB-D-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2015 год | /files/siliconlabs-si8238bbdis1r-datasheets-8090.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | да | 1,2 Вт | 2 | 4А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2А 4А | 12 нс 12 нс Макс. | 60 нс, 60 нс | 20 кВ/мкс | 9,4 В~24 В | 5,6 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8274BB1-IS1R | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Не соответствует требованиям RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 16-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | да | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75 нс, 60 нс | 150 кВ/мкс | 19нс | 6,7 В~30 В | 4А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-P343-500E | Бродком | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~105°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 16 мА | 30 В | 22 недели | ЦГА, УР | 6 | EAR99 | 745 МВт | 1 | 4А | 4А | 200 нс | 43нс | 40 нс | 200 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,55 В | 3А 3А | 43 нс 40 нс | 25 мА | 200 нс, 200 нс | 35кВ/мкс | 15 В~30 В | 70 нс | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП701(ТП,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2011 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp701tpf-datasheets-7981.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | Без свинца | 16 недель | кУЛ, УЛ | 6 | 1 | 600мА | 600мА | 20 мА | 700 нс | 50 нс | 50 нс | 700 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 700 нс, 700 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~30 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ФОД8342R2 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2016 год | /files/onsemiconductor-fod8342r2-datasheets-7992.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | 11 недель | УР | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 11 часов назад) | да | EAR99 | е3 | Олово (Вс) | 1 | 3А | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 210 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,5 В | 2,5 А 2,5 А | 38нс 24нс | 25 мА | 210 нс, 210 нс | 20 кВ/мкс | 10 В~30 В | 65 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8271GB-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Не соответствует требованиям RoHS | 2017 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8271gbisr-datasheets-8023.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | да | 1 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 60 нс, 60 нс | 150 кВ/мкс | 8нс | 4,2 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261BCD-C-ISR | Кремниевые лаборатории | $7,01 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Общего назначения | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 6-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 30 В | 8 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 6 | EAR99 | 1 | 4А | 50 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,8 В Макс. | 500 мА 1,2 А | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 28нс | 13,5 В~30 В | 10 нс | Однонаправленный | Нет |
