Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактСоединённые драйверы ворот (1845 г.)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Технология | Высота сидя (макс.) | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Длина | Ширина | Рабочее напряжение питания | Без свинца | Максимальный ток питания | Количество окончаний | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Максимальное напряжение питания | Минимальное напряжение питания | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Радиационная закалка | Достичь соответствия кода | Количество функций | Поверхностный монтаж | Максимальная рассеиваемая мощность | Положение терминала | Терминальная форма | Пиковая температура оплавления (Цел) | Напряжение питания | Терминал Питч | Базовый номер детали | Напряжение питания-Макс (Vsup) | Минимальное напряжение питания (Vsup) | Количество вариантов | Аналоговая микросхема — другой тип | Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) | Время ответа | Количество элементов | Подкатегория | Код JESD-30 | Поставщик пакета оборудования | Максимальный выходной ток | Тип интерфейса микросхемы | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Включить время задержки | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Задержка распространения | Выходной ток высокого уровня | Выходной ток нижнего уровня | Напряжение – изоляция | Рассеиваемая мощность-Макс. | Направление | Ограничение пикового выходного тока. | Встроенная защита | Управление выходного тока | Время включения | Время выключения | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Ток — выходной высокий, низкий | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Задержка распространения tpLH/tpHL (Макс.) | Переходная устойчивость к синфазному режиму (мин.) | Искажение угла импульса (макс.) | Напряжение – выходное питание | Ток — пиковый выход | Широтно-импульсное вмешательство (PWD) | Драйвер верхней стороны |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SI8282BD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8281cdis-datasheets-1000.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | да | 1 | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А 3 А | 5,5 нс 8,5 нс | 50 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 5нс | 9,5 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP352(D4-HW-TP1,S | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП705Ф(Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | УР | 6 | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 нс, 200 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~20 В | 450 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП523(ШРП-МА,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9552-AX | Ренесас Электроникс Америка | $3,94 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9552l3ax-datasheets-1020.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 недель | БСИ, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, НЕМКО, СЕМКО, УЛ | 8 | да | Нет | 250 мВт | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 2,5 А | 2,5 А | 25 мА | 100 нс | 100 нс | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,65 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 500 нс, 500 нс | 25 кВ/мкс | 15 В~30 В | 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8273AB-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8274gb1im-datasheets-0994.pdf | 14-ВФЛГА | 5 мм | 14 | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 14 | 1 | НИЖНИЙ | ПОПКА | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 4А | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 60 нс, 60 нс | 150 кВ/мкс | 4,6 В~30 В | 8 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП523-2(ЯСК,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП700АФ(Д4-ТП,6) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП250(Д4-ТП1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП705Ф(Д4,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | ТЮВ, УР | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 нс, 200 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~20 В | 450 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9552L2-AX | Ренесас Электроникс Америка | $8,96 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9552l3ax-datasheets-1020.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | БСИ, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, НЕМКО, СЕМКО, УЛ | да | ДА | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,3 Вт | 1,65 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 25 кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП705Ф(ТП,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | УР | 1 | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 нс, 200 нс | 10 кВ/мкс | 10 В~20 В | 450 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 1EDI2015ASXUMA1 | Инфинеон Технологии | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, EiceDriver™ | Поверхностный монтаж | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | 36-БССОП (ширина 0,295, 7,50 мм) | 1 | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8281CD-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8281cdis-datasheets-1000.pdf | 20-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | да | 1 | СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А 3 А | 5,5 нс 8,5 нс | 50 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 5нс | 12 В~30 В | 4А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГАП1СТР | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GapDRIVE™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stgap1str-datasheets-0907.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | UL | 24 | EAR99 | СТГАП | 1 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 130 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А 2,5 А | 25 нс 25 нс Макс. | 130 нс, 130 нс | 4,5 В~36 В | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8261ACD-C-IMR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si826xsampkit-datasheets-5697.pdf | 8-ВЕЛГА | 30 В | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | 8 | 30 В | 1 | 6е-8 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 600мА | 60 нс | 0,03 А | 50 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 0,3 Вт | 2,8 В Макс. | 400 мА 600 мА | 5,5 нс 8,5 нс | 30 мА | 60 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 13,5 В~30 В | 28 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8274GB4D-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8274gb1im-datasheets-0994.pdf | 14-ВФЛГА | 5 мм | 14 | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 14 | 1 | НИЖНИЙ | ПОПКА | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 4А | 75 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 105 нс, 75 нс | 200 кВ/мкс | 4,2 В~30 В | 47 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СТГАП1С | СТМикроэлектроника | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100, GapDRIVE™ | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/stmicroelectronics-stgap1str-datasheets-0907.pdf | 24-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 19 мА | UL | 36В | 4,5 В | 24 | EAR99 | 65мВт | СТГАП | 1 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР IGBT/MOSFET | 130 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А 2,5 А | 25 нс 25 нс Макс. | 130 нс, 130 нс | 4,5 В~36 В | 10 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8273ABD-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8274gb1im-datasheets-0994.pdf | 14-ВФЛГА | 5 мм | 14 | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 14 | 1 | НИЖНИЙ | ПОПКА | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 4А | 75 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75нс, 75нс | 200 кВ/мкс | 4,6 В~30 В | 8 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9531L3-V-E3-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/cel-ps9531l3ve3ax-datasheets-6028.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | CSA, SEMKO, UL, VDE | 1 | 2,5 А | 175 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 15 В~30 В | 75 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| BM60210FV-CE2 | РОМ Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | Магнитная муфта | Соответствует ROHS3 | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/rohm-bm60210fvce2-datasheets-6039.pdf | 20-ССОП (ширина 0,240, 6,10 мм) | 6,5 мм | Без свинца | 20 | 6 недель | EAR99 | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | НЕ УКАЗАН | 0,65 мм | 24В | 1 | НЕ УКАЗАН | Р-ПДСО-G20 | 5А | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 75 нс | 0,075 мкс | 0,075 мкс | 3А 3А | 50 нс 50 нс | 75нс, 75нс | 100 кВ/мкс | 10 В~24 В | ДА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP2451A(ТП,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Разрезанная лента (CT) | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует RoHS | 2014 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2451atpf-datasheets-0836.pdf | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | 8 недель | CSA, cUL, UL | 8 | неизвестный | 160мВт | 1 | 600мА | 500 нс | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 50 нс | 500 нс | 3750 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,55 В | 400 мА 400 мА | 50 нс 50 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 20 кВ/мкс | 10 В~30 В | 350 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9552L3-AX | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9552l3ax-datasheets-1020.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 недель | БСИ, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, НЕМКО, СЕМКО, УЛ | 8 | да | Нет | ДА | 300мВт | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 100 нс | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,65 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 25 кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9531L3-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 8-СМД, Крыло Чайки | ЦСА, СЕМКО, УЛ | 1 | 8-СМД | 2,5 А | 1,56 В | 175 нс | 2А | 2А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 75 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9552-V-AX | Ренесас Электроникс Америка | $10,20 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Полоска | 1 (без блокировки) | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps9552l3ax-datasheets-1020.pdf | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 16 недель | BSI, CSA, ДЕМКО, ФИМКО, НЕМКО, СЕМКО, UL, VDE | 8 | да | Нет | НЕТ | 300мВт | 30 В | 1 | 5е-7 нс | 1 | Оптопара — выходы IC | 500 нс | 100 нс | 500 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | Однонаправленный | 1,65 В | 2А 2А | 100 нс 100 нс | 25 мА | 500 нс, 500 нс | 25 кВ/мкс | 300 нс | 15 В~30 В | 2,5 А | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8220CD-D-IS | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 2А (4 недели) | Эмкостная связь | 2,65 мм | Соответствует RoHS | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8220cddisr-datasheets-0864.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | 7,5 мм | 16 | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | EAR99 | 1 | ДВОЙНОЙ | КРЫЛО ЧАЙКИ | 12 В | 24В | 6,5 В | 1 | 2,5 А | ПЕРИФЕРИЙНЫЙ ДРАЙВЕР НА ОСНОВЕ БУФЕРА ИЛИ ИНВЕРТОРА | 40 нс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А | ПЕРЕХОДНЫЙ; ПОД НАПРЯЖЕНИЕМ | ИСТОЧНИК ПРИЕМНИК | 0,06 мкс | 0,04 мкс | 2,5 В Макс. | 1,5 А 2,5 А | 20 нс 20 нс Макс. | 30 мА | 60 нс, 40 нс | 30 кВ/мкс (тип.) | 12,2 В~24 В | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ТЛП523-4(ЛФ1,Ф) | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | 1 (без блокировки) | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS9531L1-V-AX | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~125°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 125°С | -40°С | Оптическая связь | Соответствует ROHS3 | 8-ДИП (0,400, 10,16 мм) | CSA, SEMKO, UL, VDE | 1 | 8-ДИП | 2,5 А | 1,56 В | 175 нс | 2А | 2А | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,56 В | 2А 2А | 40 нс 40 нс | 25 мА | 175 нс, 175 нс | 50 кВ/мкс | 75нс | 15 В~30 В | 2,5 А | 75 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8274AB1-IM | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Автомобильная промышленность, AEC-Q100 | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Трубка | 3 (168 часов) | Эмкостная связь | 0,94 мм | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8274gb1im-datasheets-0994.pdf | 14-ВФЛГА | 5 мм | 14 | 6 недель | CQC, CSA, UR, VDE | Неизвестный | 14 | 1 | НИЖНИЙ | ПОПКА | 5В | 0,65 мм | 5,5 В | 2 | АНАЛОГОВАЯ ЦЕПЬ | 4А | 60 нс | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 1,8 А 4 А | 10,5 нс 13,3 нс | 75 нс, 60 нс | 150 кВ/мкс | 4,6 В~30 В | 19 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SI8285CD-ISR | Кремниевые лаборатории | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -40°К~125°К | Лента и катушка (TR) | Эмкостная связь | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/siliconlabs-si8285cdisr-datasheets-0977.pdf | 16-SOIC (ширина 0,295, 7,50 мм) | CQC, CSA, UR, VDE | да | EAR99 | совместимый | 1 | БУФЕРНЫЙ ИЛИ ИНВЕРТОРНЫЙ ДРАЙВЕР MOSFET | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 2,5 А 3 А | 5,5 нс 8,5 нс | 50 нс, 50 нс | 35кВ/мкс | 5нс | 12 В~30 В | 4А |
