Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Пакет/ключи | Входной ток | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Полярность | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Максимальное выходное напряжение | Потребляемая мощность | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-Макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| CNY17-4-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 недель | 6 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PS2761B-1-F3-A | КЛЭ | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | 110°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | Нет | 150 мВт | 1 | 4-СОП | 70В | 70В | Транзистор | 50 мА | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 40 мА | 1,1 В | 4 мкс 5 мкс | 25 мА | 40 мА | 40 мА | 70В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-814-30AE | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl81430ae-datasheets-2641.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 20 мА | Без свинца | 17 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 200мВт | 200мВт | 1 | 35В | 35В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 35В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(D4Y-TPL,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 17 юаней-3С1 (ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПК123X1YFZ0F | SHARP/Цокольная технология | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | 6,5 мм | Неизвестный | 4 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 200мВт | 1 | 200мВт | 1 | 70В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 200 мВ | 70В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 7,5 мА | 50% при 5 мА | 150% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-814-W0AE | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2007 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl814w0ae-datasheets-2643.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 50 мА | Без свинца | 17 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 200мВт | 200мВт | 1 | 35В | 35В | 50 мА | Транзистор | 50 мА | 18 мкс | 18 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 35В | 50 мА | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50% при 1 мА | 150% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ2С(ТА)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,23 В | 3 мкс 3 мкс | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT2ES(TA)-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,23 В | 3 мкс 3 мкс | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11А4М-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | 6 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 250 мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,2 В | 10% | 50нА | 10% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 17-3-360 юаней | Бродком Лимитед | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | Без свинца | 17 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 10 мкс | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 150 мА | 1,4 В | 5 мкс 5 мкс | 150 мА | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||
| 4Н25-360В | Бродком Лимитед | 0,59 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2004 г. | 6-СМД, Крыло Чайки | 10 мА | Без свинца | 17 недель | Нет СВХК | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 4Н25 | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 100 мА | 80 мА | Транзистор с базой | 80 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 2500 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 500мВ | 500мВ | 100 мА | 1,2 В | 3 мкс 3 мкс | 100 мА | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||
| 4Н35-360В | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcomlimited-4n35300e-datasheets-0914.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 10 мА | Без свинца | 17 недель | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | е3 | 350 мВт | 4Н35 | 350 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30 В | 30 В | 100 мА | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 10 мкс | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 3550 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 30 В | 100 мА | 1,2 В | 3 мкс 3 мкс | 100 мА | 100% | 500000нА | 100% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||
| 17-2 юаней | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,61 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | Без свинца | 20 недель | Неизвестный | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | НПН | 200мВт | 1 | 1 | 80В | 200мВт | 80В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ2ЕС(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,23 В | 3 мкс 3 мкс | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| МСТ2 | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 20 мА | 20 недель | Неизвестный | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | НПН | 200мВт | 1 | 1 | 200мВт | 80В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,23 В | 3 мкс 3 мкс | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL3H7(K)(EA)-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el3h7ag-datasheets-6705.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 недель | 4 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 5 мкс 3 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL3H7(I)(EB)-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el3h7ag-datasheets-6705.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 недель | 4 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 5 мкс 3 мкс | 50 мА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TLP385(BL-TPL,E | Полупроводники Toshiba и системы хранения данных | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | 2016 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp385blle-datasheets-4649.pdf | 6-SOIC (0,295, ширина 7,50 мм), 4 вывода | 12 недель | 4 | 1 | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,25 В | 2 мкс 3 мкс | 50 мА | 80В | 200% при 5 мА | 600% при 5 мА | 3 мкс, 3 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ЭЛ3Х4(ТБ)-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el3h4g-datasheets-5751.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 недель | 4 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 1,2 В | 6 мкс 8 мкс | 20% при 1 мА | 300% при 1 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 17-4-360 юаней | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | Без свинца | 17 недель | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 10 мкс | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 150 мА | 1,4 В | 5 мкс 5 мкс | 150 мА | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| MCT2ES1(ТБ) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,23 В | 3 мкс 3 мкс | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17-1S(ТА) | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,34 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| EL3H7(J)(EB)-ВГ | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el3h7ag-datasheets-6705.pdf | 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) | 20 недель | 4 | да | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Нет | 200мВт | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 200 мВ | 200 мВ | 50 мА | 1,2 В | 5 мкс 3 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 17-2 млн юаней | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | 0,76 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 20 недель | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 17-3 юаней | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 20 недель | CSA, ДЕМКО, ФИМКО, НЕМКО, СЕМКО, УЛ | Неизвестный | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 200мВт | 1 | 1 | 80В | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 80В | 300мВ | 80В | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| MCT2ES1(ТБ)-В | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 400мВ | 1,23 В | 3 мкс 3 мкс | 20% | 50нА | 20% при 10 мА | 3 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17-4M-V | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | 6 | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | 200мВт | 1 | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 80В | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| 17-2-560 юаней | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2007 год | 6-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | Без свинца | 17 недель | 6 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | е3 | Матовый олово (Sn) | 250 мВт | 250 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | 10 мкс | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 150 мА | 1,4 В | 5 мкс 5 мкс | 150 мА | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||
| 17-1 млн юаней | Эверлайт Электроникс Ко Лтд. | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2012 год | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 20 недель | 6 | да | УТВЕРЖДЕНО УЛ | 250 мВт | 1 | 1 | 80В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | ТРАНСИСТОРНЫЙ ВЫХОД ОПТОПАРА | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 300мВ | 50 мА | 1,65 В Макс. | 6 мкс 8 мкс | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 10 мкс, 9 мкс |
