Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Длина | Входной ток | Высота | Ширина | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | Утверждающее агентство | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Базовый номер детали | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Выходной ток | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Расстояние между строками | Время отклика-Макс. | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение пробоя коллектор-эмиттер | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Обратное напряжение (постоянный ток) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Coll-Emtr Bkdn Минимальное напряжение напряжения | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| FODM453 | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~85°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm453-datasheets-4762.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 4,3 мм | 25 мА | 2,2 мм | 4,6 мм | Без свинца | 6 недель | 181,32355мг | 5 | АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) | да | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНА UL | Нет | е3 | Олово (Вс) | 5В | 100мВт | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 8мА | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | 800 нс | 800 нс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,6 В | 5В | 8мА | 20% при 16 мА | 50% при 16 мА | 400 нс, 350 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6156-2X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,60 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61562x001-datasheets-4671.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИЛ252 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | $5,58 | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il252-datasheets-4678.pdf | 1,2 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | 6 недель | Неизвестный | 6 | Нет | 400мВт | 1 | 250мВт | 1 | 6-ДИП | 30В | 30В | 60 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 30В | 1,2 В | 60 мА | 30В | 100% при 10 мА | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСД1Х | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 0,64 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 2 недели | Нет СВХК | 8 | да | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 2 | 2 | 50В | Транзистор | 0,05 А | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,6 мкс 2,2 мкс | 50В | 50нА | 20% при 10 мА | 300% при 10 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH620A-3X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh620a3x001-datasheets-4684.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 15 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 250мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| QTM452T1 | КТ Брайтек (QTB) | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует RoHS | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/qtbrightekqtb-qtm452t1-datasheets-4632.pdf | 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов | 16 недель | 1 | Транзистор | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 1,45 В | 25 мА | 8мА | 20 В | 20% при 16 мА | 50% при 16 мА | 350 нс, 300 нс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCDT1102G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1102g-datasheets-4706.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 50 мА | 14 недель | Неизвестный | 6 | Нет | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 6-ДИП | 32В | 32В | 60 мА | 1,6 В | Транзистор | 60 мА | 7 мкс | 10,16 мм | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 32В | 300мВ | 32В | 50 мА | 1,25 В | 7 мкс 6,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 32В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 11 мкс, 7 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ608-3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,66 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6083-datasheets-4582.pdf | 1,1 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 5мА | 6 недель | Нет СВХК | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 55В | 55В | 50 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 50 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 55В | 50 мА | 1,1 В | 5 мкс 7 мкс | 50 мА | 6В | 50 мА | 50 мА | 55В | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 8 мкс, 7,5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| 4Н32ВМ | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-4n32vm-datasheets-4586.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | Без свинца | 5 недель | 855мг | Нет СВХК | 6 | АКТИВНО (Последнее обновление: 4 дня назад) | да | EAR99 | ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE | Олово | Нет | е3 | 250мВт | 4Н32 | 1 | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 30В | 30В | 80 мА | Дарлингтон с базой | 80 мА | ВЫХОДНАЯ оптопара ДАРЛИНГТОН | 5 мкс | 100 мкс | ОДИНОКИЙ | 0,000005 с | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 3В | 1В | 1В | 150 мА | 1,2 В | 3В | 150 мА | 500 % | 500% при 10 мА | 5 мкс, 100 мкс (макс.) | |||||||||||||||||||||||||||
| SFH6106-3X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61064-datasheets-4576.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-2X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615a2x006-datasheets-4603.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 11 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,35 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| Х11Д3М | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-h11d3m-datasheets-4627.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 7 недель | 855мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 300мВт | 1 | 300мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 200В | 80 мА | Транзистор с базой | 80 мА | Транзисторный выход оптопара | 5 мкс | 5 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 100 мА | 1,15 В | 100 мА | 20 % | 200В | 20% при 10 мА | 5 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||
| H11AA3X | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 2,86 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 10 мА | 2 недели | Нет СВХК | 6 | 1 | 6-ДИП | 35В | 50 мА | Транзистор с базой | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 35В | 50% при 10 мА | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH617A-4X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh617a3x006-datasheets-4512.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 11 недель | 4 | да | EAR99 | UL ПРИЗНАЛ ДОБРЕНИЕ VDE | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 400мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| IS829X | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 2,41 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 2 недели | 2 | 8-ДИП | Транзистор | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,4 В Макс. | 50 мА | 35В | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | 3 мкс, 2,5 мкс | 200 мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6106-1 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,89 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61064-datasheets-4576.pdf | 1,25 В | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 6 недель | Нет СВХК | 4 | Олово | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-3X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615a2x006-datasheets-4603.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 11 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Олово | Нет | е3 | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ИСД5Х | ООО «Изоком Компонентс 2004» | 2,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -25°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 50 мА | 2 недели | Нет СВХК | 8 | да | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 2 | 2 | 70В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | 2,6 мкс | 2,2 мкс | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 2,6 мкс 2,2 мкс | 50нА | 50% при 10 мА | 400% при 10 мА | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6106-4 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,74 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61064-datasheets-4576.pdf | 1,25 В | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | Без свинца | 6 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 70В | 70В | 50 мА | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 6В | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-3XSM | ООО «Изоком Компонентс 2004» | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | /files/isocom-sfh615a3xsm-datasheets-6722.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 2 недели | да | ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE | 1 | 1 | Транзистор | 0,05 А | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,65 В Макс. | 3 мкс 14 мкс | 70В | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 4,2 мкс, 23 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| СФХ600-3 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,85 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2006 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6003-datasheets-4472.pdf | 1,25 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | Без свинца | 6 недель | БСИ, CSA, МЭК | Нет СВХК | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 70В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2,5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3,2 мкс, 3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||||
| ISP817AXSM | ООО «Изоком Компонентс 2004» | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | -30°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 4-СМД, Крыло Чайки | 2 недели | 1 | Транзистор | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 1,2 В | 4 мкс 3 мкс | 50 мА | 50 мА | 80В | 80% при 5 мА | 160% при 5 мА | 200 мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH617A-3X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,17 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh617a3x006-datasheets-4512.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 11 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 400мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 14 мкс | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| TCDT1123G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,36 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1123g-datasheets-4538.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 14 недель | 6 | Олово | Нет | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 4,2 мкс | 4,7 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 300мВ | 90В | 50 мА | 1,25 В | 4,2 мкс 4,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 7 мкс, 5 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| CNY17F-3X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,56 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | 11 недель | Неизвестный | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 70В | 70В | 60 мА | 1,65 В | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 14 мкс | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ |
