Продукты
Производитель
запрос цен
Нвес
КонтактФотоэлектрические оптоизоляторы(10195)
| Сравнить | Изображение | Имя | Производитель | Цена (долл. США) | Количество | Вес (кг) | Размер (ДхШхВ) | Статус детали | Ряд | Установить | Тип монтажа | Рабочая температура | Упаковка | Уровень чувствительности к влаге (MSL) | Максимальная рабочая температура | Минимальная рабочая температура | Тип входа | Статус RoHS | Опубликовано | Техническая спецификация | Напряжение — номинальный постоянный ток | Пакет/ключи | Входной ток | Без свинца | Срок выполнения заказа на заводе | Масса | ДОСТИГНУТЬ СВХК | Количество контактов | Статус жизненного цикла | Код Pbfree | ECCN-код | Дополнительная функция | Контактное покрытие | Радиационная закалка | Код JESD-609 | Терминальные отделки | Напряжение | Максимальная рассеиваемая мощность | Количество вариантов | Рассеяние активности | Количество элементов | Подкатегория | Поставщик пакета оборудования | Скорость передачи данных | Максимальное выходное напряжение | Выходное напряжение | Прямой ток | Прямое напряжение | Тип выхода | Максимальный входной ток | Тип оптоэлектронного устройства | Прямой ток-макс. | Время подъема | Осень (тип.) | Конфигурация | Напряжение – изоляция | Обратное напряжение проба | Напряжение насыщения коллектор-эмиттер | Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) | Макс. ток коллектора | Напряжение — прямое (Vf) (тип.) | Время подъема/спада (типичное) | Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) | Выходной ток на канале | Текущий коэффициент передачи | Ток — выход/канал | Напряжение - Выход (Макс.) | Темный ток-Макс. | Текущий коэффициент передачи (мин.) | Текущий коэффициент передачи (макс.) | Время включения/выключения (типовое) | Насыщенность Vce (макс.) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| SFH615AGB-X009 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 4 | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 50 мА | 100% при 5 мА | 600% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH615A-3X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,78 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 4 | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-0453-560E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | 8-SOIC (ширина 0,154, 3,90 мм) | Без свинца | 22 недели | 8 | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО VDE | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 1 Мбит/с | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 27 % | 15% при 16 мА | 1 мкс, 1 мкс (макс.) | ||||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2561Л-1-ВА | Ренесас Электроникс Америка | 0,80 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2561l1va-datasheets-6151.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 16 недель | да | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 1 | 1 | 80В | Транзистор | 0,08А | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 80 мА | 50 мА | 80% при 5 мА | 400% при 5 мА | 300мВ | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| SFH600-2X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,88 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 6 недель | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-СМД | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор с базой | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2,5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3,2 мкс, 3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| ACPL-W454-500E | Бродком Лимитед | 2,75 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-acplw454500e-datasheets-7379.pdf | 6-SOIC (ширина 0,268, 6,80 мм) | Без свинца | 22 недели | 6 | EAR99 | ТТЛ-СОВМЕСТИМОСТЬ, ПРИЗНАНИЕ УЛ, ОДОБРЕНИЕ VDE, ОТКРЫТЫЙ КОЛЛЕКЦИОНЕР | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | 20 В | 25 мА | Транзистор | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 25% при 16 мА | 60% при 16 мА | 200 нс, 300 нс | |||||||||||||||||||||||||||||||
| ПС2565-1-А | Ренесас Электроникс Америка | 0,77 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps2565l1f3a-datasheets-5082.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 16 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е1 | Олово/Серебро/Медь (Sn/Ag/Cu) | 150 мВт | 150 мВт | 1 | 80В | 80 мА | Транзистор | 80 мА | 3 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 50 мА | 1,17 В | 3 мкс 5 мкс | 50 мА | 50 мА | 80% при 5 мА | 400% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| SFH610A-2X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,95 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 4 | Нет | 5В | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||
| SFH610A-2X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,98 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh61064-datasheets-4576.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | Без свинца | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||
| SFH618A-3X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,94 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 4 | Олово | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 55В | 60 мА | 1,1 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 55В | 100 мА | 1,1 В | 3,5 мкс 5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 55В | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||
| CNY17-1X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-cny172x007-datasheets-5572.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | 11 недель | 6 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,39 В | 2 мкс 2 мкс | 100 мА | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||
| SFH619A-X007 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,06 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 15 недель | 4 | да | EAR99 | УТВЕРЖДЕНО УЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 6В | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 300В | 60 мА | Дарлингтон | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1,2 В | 300В | 125 мА | 3,5 мкс 14,5 мкс | 125 мА | 1000% | 200нА | 1000% при 1 мА | 4,5 мкс, 29 мкс | ||||||||||||||||||||||||||
| СФХ608-4 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 1,09 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh6083-datasheets-4582.pdf | 1,1 В | 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 5мА | 6 недель | Неизвестный | 6 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 6-ДИП | 55В | 55В | 50 мА | 1,5 В | Транзистор с базой | 50 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 55В | 50 мА | 1,1 В | 5 мкс 7 мкс | 50 мА | 50 мА | 50 мА | 55В | 160% при 1 мА | 320% при 1 мА | 8 мкс, 7,5 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||
| SFH618A-3X017 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 6 недель | 4 | да | EAR99 | ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 55В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 55В | 100 мА | 1,1 В | 3,5 мкс 5 мкс | 50 мА | 200нА | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||
| SFH610A-1X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| SFH610A-4X001 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| TCDT1103G | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2010 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tcdt1102g-datasheets-4706.pdf | 6-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 14 недель | 6 | Нет | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 6-ДИП | 32В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 300мВ | 32В | 50 мА | 1,25 В | 7 мкс 6,7 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 32В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 11 мкс, 7 мкс | 300мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| SFH615AGR | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,58 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2001 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615agrx017-datasheets-5842.pdf | 1,25 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 60 мА | Без свинца | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 70В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 5 мА | 300% при 5 мА | 2 мкс, 25 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||||
| SFH620A-3X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 15 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | ||||||||||||||||||||||||||
| SFH610A-3X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| 172см Юаней | ОН Полупроводник | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2008 год | /files/onsemiconductor-cny173sr2vm-datasheets-4952.pdf | 6-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 7 недель | 810мг | 6 | АКТИВНО (последнее обновление: 3 дня назад) | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Олово (Вс) | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 70В | 60 мА | Транзистор с базой | 60 мА | Транзисторный выход оптопара | 6 мкс | 24 мкс | ОДИНОКИЙ | 4170 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 400мВ | 1,35 В | 4 мкс 3,5 мкс Макс. | 50 мА | 70В | 50нА | 63% при 10 мА | 125% при 10 мА | 2 мкс, 3 мкс | |||||||||||||||||||||
| SFH610A-3X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 4 | Нет | 5В | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 70В | 60 мА | 1,25 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 70В | 100% при 10 мА | 200% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||
| TCED1100 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 2,21 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -40°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2009 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-tced1100-datasheets-5917.pdf | 1,15 В | 4-ДИП (0,300, 7,62 мм) | 6 недель | 4 | Нет | 250мВт | 1 | 250мВт | 1 | 35В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 1В | 35В | 80 мА | 300 мкс 250 мкс | 80 мА | 8 % | 600% при 1 мА | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| ВО615А-4Х018Т | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж, сквозное отверстие | Поверхностный монтаж | -55°К~110°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | /files/vishaysemiconductoroptodivision-vo615a4x018t-datasheets-4982.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 14 недель | 4 | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | 70мВт | 1 | 70мВт | 1 | 70В | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 3 мкс | 4,7 мкс | ОДИНОКИЙ | 5000 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 300мВ | 70В | 50 мА | 1,43 В | 3 мкс 4,7 мкс | 50 мА | 160% при 10 мА | 320% при 10 мА | 6 мкс, 5 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||
| SFH617A-1X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | 0,87 доллара США | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~110°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh617a3x006-datasheets-4512.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | Без свинца | 11 недель | 4 | да | EAR99 | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е3 | Матовый олово (Sn) | 150 мВт | 1 | 400мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | ОДИНОКИЙ | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,35 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 50нА | 40% при 10 мА | 80% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | ||||||||||||||||||||||||||
| ПС2703-1-А | Ренесас Электроникс Америка | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | НЕПОК | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2005 г. | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/renesaselectronicsamerica-ps27031a-datasheets-5954.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | Без свинца | 16 недель | 4 | да | УЛ ПРИЗНАЛ | Нет | е6 | Олово/Висмут (Sn/Bi) | 150 мВт | 1 | 1 | 120 В | 120 В | Транзистор | 50 мА | 0,05 А | 10 мкс | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 300мВ | 300мВ | 30 мА | 1,1 В | 10 мкс 10 мкс | 50 мА | 30 мА | 50% при 5 мА | 400% при 5 мА | ||||||||||||||||||||||||||||
| SFH618A-3X006 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 6 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-ДИП | 55В | 60 мА | 1,1 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 55В | 100 мА | 1,1 В | 3,5 мкс 5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 55В | 100% при 1 мА | 200% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | 400мВ | |||||||||||||||||||||||||||
| SFH620A-3X016 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Сквозное отверстие | Сквозное отверстие | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | переменный ток, постоянный ток | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-ДИП (0,400, 10,16 мм) | 15 недель | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 250мВт | 1 | 70В | 60 мА | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 70В | 100 мА | 1,25 В | 2 мкс 2 мкс | 50 мА | 100% при 10 мА | 320% при 10 мА | 3 мкс, 2,3 мкс | |||||||||||||||||||||||||||||||||||
| HCPL-2502-500E | Бродком Лимитед | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Лента и катушка (TR) | 1 (без блокировки) | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 2013 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcpl2502500e-datasheets-7311.pdf | 8-СМД, Крыло Чайки | 16 мА | Без свинца | 17 недель | 8 | EAR99 | СОВМЕСТИМОСТЬ CMOS, ПРИЗНАНА UL | е3 | Матовый олово (Sn) | 100мВт | 1 | 100мВт | 1 | Оптопара — транзисторные выходы | 1 Мбит/с | 20 В | 20 В | 25 мА | Транзистор с базой | 25 мА | ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара | ОДИНОКИЙ | 3750 В (среднеквадратичное значение) | 5В | 8мА | 1,5 В | 8мА | 15% при 16 мА | 22% при 16 мА | 200 нс, 600 нс | ||||||||||||||||||||||||||||
| SFH6186-4 | Подразделение Vishay Semiconductor Opto | Мин: 1 Мульт: 1 | 0 | 0x0x0 | скачать | Поверхностный монтаж | Поверхностный монтаж | -55°К~100°К | Трубка | 1 (без блокировки) | 100°С | -55°С | округ Колумбия | Соответствует ROHS3 | 1995 год | https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf | 4-СМД, Крыло Чайки | 60 мА | 6 недель | Нет СВХК | 4 | Нет | 150 мВт | 1 | 150 мВт | 1 | 4-СМД | 55В | 55В | 60 мА | 1,5 В | Транзистор | 60 мА | 5300 В (среднеквадратичное значение) | 6В | 400мВ | 55В | 100 мА | 1,1 В | 3,5 мкс 5 мкс | 60 мА | 50 мА | 50 мА | 55В | 160% при 1 мА | 320% при 1 мА | 6 мкс, 5,5 мкс | 400мВ |
