Фотоэлектрические оптоизоляторы - Поиск электронных компонентов - Лучший агент по электронным компонентам - ICGNT
Сравнить Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Ряд Установить Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Пакет/ключи Входной ток Без свинца Срок выполнения заказа на заводе Масса Утверждающее агентство ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Статус жизненного цикла Код Pbfree ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Код HTS Количество функций Код JESD-609 Терминальные отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Напряжение питания Минимальное напряжение питания (Vsup) Количество вариантов Рассеяние активности Время ответа Количество элементов Подкатегория Поставщик пакета оборудования Скорость передачи данных Максимальный выходной ток Максимальное выходное напряжение Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Максимальный входной ток Тип оптоэлектронного устройства Прямой ток-макс. Максимальный ток во включенном состоянии Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Время отклика-Макс. Напряжение – изоляция Рассеиваемая мощность-Макс. Обратное напряжение проба Прямое напряжение-Макс. Напряжение пробоя коллектор-эмиттер Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Коллектор-эмиттер напряжения (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Выходной ток на канале Текущий коэффициент передачи Coll-Emtr Bkdn Напряжение-мин. Ток — выход/канал Напряжение - Выход (Макс.) Темный ток-Макс. Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.)
VOM617A-8T ВОМ617А-8Т Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vom617a8t-datasheets-7079.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 60 мА 8 недель 4 EAR99 УТВЕРЖДЕНО УЛ Нет 170 мВт 1 1 80В Транзистор 60 мА 0,06А ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 100 мА 1,1 В 3 мкс 3 мкс 100 мА 50 мА 130% при 5 мА 260% при 5 мА 6 мкс, 4 мкс
CNY17F-1XSM CNY17F-1XSM ООО «Изоком Компонентс 2004»
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 6-СМД, Крыло Чайки 60 мА 2 недели Нет СВХК 6 1 6-СМД 70В Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 2 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 70В 40% при 10 мА 80% при 10 мА 3 мкс, 2,3 мкс 400мВ
H11A2XSM H11A2XSM ООО «Изоком Компонентс 2004»
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 6-СМД, Крыло Чайки 2 недели 1 6-СМД Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 2 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 30В 20% при 10 мА 400мВ
ACPL-217-50DE АКПЛ-217-50ДЕ Бродком Лимитед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2011 год 4-SOIC (ширина 0,173, 4,40 мм) 17 недель ЦСА, УЛ 4 EAR99 УТВЕРЖДЕНО УЛ Олово Нет е3 200мВт 1 200мВт 1 80В 80В 50 мА Транзистор 50 мА ОДИНОКИЙ 3000 В (среднеквадратичное значение) 80В 400мВ 80В 50 мА 1,2 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 300% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 400мВ
TPC816S1A RAG ТПК816С1А ТРЯПКА Тайванская полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ТПК816 Поверхностный монтаж -30°К~100°К Диги-Рил® 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tpc816s1drag-datasheets-6805.pdf 4-СМД 15 недель 1 Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 4 мкс 3 мкс 50 мА 70В 80% при 5 мА 160% при 5 мА 200 мВ
4N26S 4Н26С Лайт-Он Инк. 0,38 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2003 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/liteoninc-4n26s-datasheets-6938.pdf 6-СМД, Крыло Чайки Без свинца 12 недель 6 УЛ ПРИЗНАЛ 250 мВт 250 мВт 1 30В 30В 10 мА Транзистор с базой 80 мА Транзисторный выход оптопара 3 мкс ОДИНОКИЙ 1500 В (среднеквадратичное значение) 500мВ 30В 100 мА 1,2 В 3 мкс 3 мкс 80 мА 100 мА 20 % 50нА 20% при 10 мА
FOD8173SD FOD8173SD ОН Полупроводник 0,37 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fod817300-datasheets-5269.pdf 4-СМД, Крыло Чайки Без свинца 7 недель 4 АКТИВНО (последнее обновление: 2 дня назад) да EAR99 ОДОБРЕНО UL, ОДОБРЕНО VDE Нет е3 Олово (Вс) 200мВт 200мВт 1 70В 50 мА Транзистор 50 мА 18 мкс 18 мкс ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 200 мВ 200 мВ 50 мА 1,2 В 4 мкс 3 мкс 50 мА 50% при 5 мА 600% при 5 мА
TLP184(GR-TPL,SE TLP184(GR-TPL,SE Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp184grtplse-datasheets-6916.pdf 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода 12 недель 4 Нет 200мВт 1 80В Транзистор 20 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 10 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TLP185(GR-TPL,SE TLP185(GR-TPL,SE Полупроводники Toshiba и системы хранения данных 0,50 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода 12 недель 4 да УТВЕРЖДЕНО УЛ Нет 200мВт 1 1 80В Транзистор 50 мА 0,05А ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 80нА 100% при 5 мА 300% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TLP185(Y-TPL,SE TLP185(Y-TPL,SE Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода 12 недель 4 Нет 200мВт 1 80В Транзистор 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 50% при 5 мА 150% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
ISP817DXSMT/R ISP817DXSMT/Р ООО «Изоком Компонентс 2004»
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки Без свинца 2 недели да ПРИЗНАН УЛ, ОДОБРЕН ВДЕ 1 1 Транзистор 0,05А ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 4 мкс 3 мкс 35В 50 мА 80В 300% при 5 мА 600% при 5 мА 200 мВ
TLP292-4(V4GBTRE TLP292-4(V4GBTRE Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~125°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) 125°С -55°С переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp2924v4gbtre-datasheets-6833.pdf 16-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) 12 недель 16 4 16-СО 80В 1,25 В Транзистор 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 50 мА 50 мА 80В 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс 300мВ
H11A4X H11A4X ООО «Изоком Компонентс 2004» 0,42 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 2 недели 1 6-ДИП Транзистор с базой 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 2 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 30В 10% при 10 мА 400мВ
TLP290(BL-TP,SE TLP290(BL-TP,SE Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp290bltpse-datasheets-6827.pdf 4-SOIC (ширина 0,179, 4,55 мм) 12 недель 4 УЛ ПРИЗНАЛ Нет 200мВт 1 1 80В Транзистор 50 мА 0,05А ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 80нА 200% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
TPC816S1B RAG ТПК816С1Б ТРЯПКА Тайванская полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ТПК816 Поверхностный монтаж -30°К~100°К Диги-Рил® 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tpc816s1drag-datasheets-6805.pdf 4-СМД 15 недель 1 4-СОП Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 4 мкс 3 мкс 50 мА 50 мА 70В 130% при 5 мА 260% при 5 мА 200 мВ
HCPL-5760 HCPL-5760 Бродком Лимитед
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~125°К Трубка 1 (без блокировки) переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 8-ДИП (0,300, 7,62 мм) Освобождать 12 недель 8 EAR99 ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет е4 Никель/Золото (Ni/Au) 260мВт 1 0,00001 нс 1 Оптопара — выходы IC 40 мА 20 В Дарлингтон 15 мА ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара 0,04 А 10 мкс ОДИНОКИЙ 1500 В постоянного тока 40 мА 10 мкс 0,5 мкс 40 мА 4 мкс, 8 мкс
IL300-EF-X009T IL300-EF-X009T Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf 8-СМД, Крыло Чайки Без свинца 32 недели 8 да Нет 1 е3 Матовый олово (Sn) 210мВт 1 210мВт 1 Оптопара — транзисторные выходы 500мВ 10 мА Фотоэлектрические, линеаризованные 60 мА ОПТОЭЛЕКТРОННОЕ УСТРОЙСТВО 1,75 мкс 1,75 мкс ДВОЙНАЯ ОДНОВРЕМЕННАЯ РАБОТА 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,25 В 1 мкс 1 мкс 1,1 % Тип 70 мкА. 500мВ
TPC816S1D RAG ТПК816С1Д ТРЯПКА Тайванская полупроводниковая корпорация
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать ТПК816 Поверхностный монтаж -30°К~100°К Диги-Рил® 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2016 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/taiwansemiconductorcorporation-tpc816s1drag-datasheets-6805.pdf 4-СМД 15 недель 1 4-СОП Транзистор 5000 В (среднеквадратичное значение) 1,2 В 4 мкс 3 мкс 50 мА 50 мА 70В 300% при 5 мА 600% при 5 мА 200 мВ
HCPL-M700-000E HCPL-M700-000E Бродком Лимитед 2,83 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2007 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcplm700000e-datasheets-7616.pdf 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов Без свинца 22 недели 5 EAR99 СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ е3 Матовый олово (Sn) 100мВт 1 100мВт 1 Оптопара — транзисторные выходы 20 мА Дарлингтон 20 мА Транзисторный выход оптопара ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ 3750 В (среднеквадратичное значение) 60 мА 1,4 В 60 мА 300% при 1,6 мА 2600% при 1,6 мА 5 мкс, 10 мкс
EL8171S1(TU)-G ЭЛ8171С1(ТУ)-Г Эверлайт Электроникс Ко Лтд.
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) Соответствует ROHS3 https://pdf.utmel.com/r/datasheets/everlightelectronicscoltd-el8171s1tug-datasheets-6811.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 20 недель 8541.40.80.00 Транзисторный выход оптопара 1,2 В
SFH615A-4XSMT/R SFH615A-4XSMT/Р ООО «Изоком Компонентс 2004»
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -30°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 4-СМД, Крыло Чайки 2 недели 1 Транзистор 5300 В (среднеквадратичное значение) 1,65 В Макс. 4,6 мкс 15 мкс 50 мА 70В 160% при 10 мА 320% при 10 мА 6 мкс, 25 мкс 400мВ
TLP183(BLL-TPL,E TLP183(BLL-TPL,E Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~125°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2013 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp183bltple-datasheets-6889.pdf 6-SOIC (0,179, ширина 4,55 мм), 4 вывода 12 недель 4 да Нет 200мВт 1 80В Транзистор 50 мА 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 200% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс
FODM121BR2 FODM121BR2 ОН Полупроводник 0,57 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/onsemiconductor-fodm2701-datasheets-5704.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 50 мА 7 недель 155 мг 4 АКТИВНО (последнее обновление: 1 день назад) да EAR99 УЛ ПРИЗНАЛ Олово е3 150 мВт 1 150 мВт 1 80В 80В 50 мА Транзистор 50 мА 3 мкс 3 мкс ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 400мВ 80 мА 1,3 В Макс. 3 мкс 3 мкс 80 мА 50% при 5 мА 150% при 5 мА
HCPL-4731-500E HCPL-4731-500E Бродком Лимитед $5,59
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж 0°С~70°С Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2007 год 8-СМД, Крыло Чайки Без свинца 22 недели 8 EAR99 СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ е3 Матовый олово (Sn) 115 МВт 4,5 В 2 115 МВт 2 Оптопара — транзисторные выходы 18В 10 мА Дарлингтон 10 мА ЛОГИЧЕСКАЯ ИС ВЫХОДНАЯ оптопара 3750 В (среднеквадратичное значение) 2,5 В 1,4 В 60 мА 1,25 В 60 мА 600% при 500 мкА 8000% при 500 мкА 3 мкс, 34 мкс
HCPL-M701-000E HCPL-M701-000E Бродком Лимитед 2,59 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°К~85°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 2006 г. https://pdf.utmel.com/r/datasheets/broadcom-hcplm701000e-datasheets-7610.pdf 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 5 выводов 1,6 мА Без свинца 22 недели 5 EAR99 СОВМЕСТИМОСТЬ TTL, ПРИЗНАНА УЛ е3 Матовый олово (Sn) 100мВт 100мВт 1 Оптопара — транзисторные выходы 100 кбит/с 18В 18В 20 мА Дарлингтон 20 мА Транзисторный выход оптопара ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ 6e-8s 3750 В (среднеквадратичное значение) 60 мА 1,4 В 60 мА 500% при 1,6 мА 2600% при 1,6 мА 500 нс, 1 мкс
TLP127TPRUF TLP127TPRUF Полупроводники Toshiba и системы хранения данных
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -55°К~100°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2009 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp127tpruf-datasheets-6792.pdf 6-SMD (4 вывода), крыло чайки 16 недель УЛ ПРИЗНАЛ ДА 1 1 Оптопара — транзисторные выходы Дарлингтон 0,025А ОДИНОЧНЫЙ СО ВСТРОЕННЫМ ДИОДОМ И РЕЗИСТОРОМ 2500 В (среднеквадратичное значение) 0,2 Вт 1,15 В 40 мкс 15 мкс 50 мА 4000% 300В 150 мА 300В 200нА 1000% при 1 мА 50 мкс, 15 мкс 1,2 В
ACNU-250L-000E АКНУ-250Л-000Э Бродком Лимитед $3,83
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж -40°К~105°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 8-SOIC (ширина 0,378, 9,60 мм) 22 недели 1 Транзистор с базой 5000 В (среднеквадратичное значение) 0,8 В 18 мА 12 мА 30В 23% при 12 мА 53% при 12 мА 0,3 мкс, 0,7 мкс
ILQ620GB-X009 ILQ620GB-X009 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 3,45 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) 100°С -55°С переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ild620gb-datasheets-4850.pdf 16-СМД, Крыло Чайки Без свинца 6 недель 16 Нет 500мВт 4 500мВт 4 16-СМД 70В 60 мА 1,15 В Транзистор 60 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 70В 100 мА 1,15 В 20 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 70В 100% при 5 мА 600% при 5 мА 3 мкс, 2,3 мкс 400мВ
SFH615AA-X007 SFH615AA-X007 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,55 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~100°К Трубка 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh615agrx017-datasheets-5842.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 6 недель 4 да EAR99 УТВЕРЖДЕНО УЛ Нет е3 Матовый олово (Sn) 150 мВт 1 150 мВт 1 70В 60 мА Транзистор 60 мА ОДИНОКИЙ 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 70В 100 мА 1,25 В 50 мА 50% при 5 мА 600% при 5 мА 2 мкс, 25 мкс
TLP185(GRL-TL,SE TLP185(ГРЛ-TL,SE Полупроводники Toshiba и системы хранения данных 0,53 доллара США
запросить цену

Мин: 1

Мульт: 1

0 0x0x0 скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без блокировки) округ Колумбия Соответствует RoHS 2015 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/toshibasemiconductorandstorage-tlp185grltlse-datasheets-6801.pdf 6-SOIC (0,173, ширина 4,40 мм), 4 вывода 12 недель 4 да УТВЕРЖДЕНО УЛ Нет 200мВт 1 1 80В Транзистор 50 мА 0,05А ОДИНОКИЙ 3750 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 300мВ 50 мА 1,25 В 2 мкс 3 мкс 50 мА 80нА 100% при 5 мА 200% при 5 мА 3 мкс, 3 мкс

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.