Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 149 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 135 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 184 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 186 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31

Notice: fwrite(): write of 146 bytes failed with errno=28 No space left on device in /www/wwwroot/chipsmt.ru/system/library/log.php on line 31
Подразделение Vishay Semiconductor Opto

Подразделение полупроводниковой оптики Vishay (8828)

Сравнивать Изображение Имя Производитель Цена (долл. США) Количество Вес (кг) Размер (ДхШхВ) Статус детали Тип Ряд Устанавливать Тип монтажа Рабочая температура Упаковка Уровень чувствительности к влаге (MSL) Максимальная рабочая температура Минимальная рабочая температура Технология Тип входа Статус RoHS Опубликовано Техническая спецификация Напряжение — номинальный постоянный ток Текущий рейтинг Пакет/кейс Емкость Длина Входной ток Высота Ширина Рабочее напряжение питания Цвет Без свинца Форма Глубина Количество окончаний Время выполнения заказа на заводе ДОСТИГНУТЬ СВХК Количество контактов Ведущая презентация Код Pbfree Ориентация ECCN-код Дополнительная функция Контактное покрытие Радиационная закалка Достичь кода соответствия Код HTS Количество функций Номинальная мощность Номинальный ток питания Код JESD-609 Терминал отделки Поверхностный монтаж Максимальная рассеиваемая мощность Напряжение питания Положение терминала Терминальная форма Пиковая температура оплавления (Цел) Напряжение питания Терминал Питч Количество контактов Количество каналов Время при пиковой температуре оплавления — макс. (с) Рассеяние мощности Время ответа Количество элементов Подкатегория Пакет устройств поставщика Скорость передачи данных Максимальное выходное напряжение Сенсорный экран Выходная мощность Тип микросхемы интерфейса Выходное напряжение Прямой ток Прямое напряжение Тип выхода Максимальный входной ток Особенности монтажа Угол обзора Стиль объектива Количество светодиодов Время подъема Осень (тип.) Конфигурация Тестовый ток Напряжение пробоя Напряжение – изоляция Обратное напряжение пробоя Обратное напряжение Прямое напряжение-Макс. Тип диода Макс. обратное напряжение (постоянный ток) Напряжение насыщения коллектор-эмиттер Напряжение коллектор-эмиттер (VCEO) Макс. ток коллектора Напряжение — прямое (Vf) (тип.) Время подъема/спада (типичное) Ток — постоянный ток вперед (если) (макс.) Обратное напряжение (постоянный ток) Выходной ток на канал Напряжение питания1-ном. Полупроводниковый материал Стандарты Длина волны Длина волны — Пик Пиковая длина волны Ток — выход/канал Темный ток Размер Спектральная полоса пропускания Тип оптоволоконного устройства Инфракрасный диапазон Напряжение - Выход (Макс.) Интенсивность излучения (Ie) Мин @ Если Ток холостого хода, тип. при 25°C Диапазон связи, низкое энергопотребление Неисправность Напряжение — обратное постоянное напряжение (Вр) (Макс.) Спектральный диапазон Активная область Текущий — Темный (тип.) Световой ток-ном. Текущий коэффициент передачи (мин.) Текущий коэффициент передачи (макс.) Время включения/выключения (типовое) Насыщенность Vce (макс.)
VSMY2853RG ВСМЫ2853РГ Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) SurfLight™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Разрезанная лента (CT) 2А (4 недели) Соответствует ROHS3 2013 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vsmy2853rg-datasheets-4544.pdf 2-SMD, Z-изгиб 2,3 мм Без свинца КРУГЛЫЙ 2,3 мм 17 недель Неизвестный 2 да Вид сверху ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ 1 55мВт 190мВт 1 55мВт 100 мА 56° рассеянный 10 нс 10 нс ОДИНОКИЙ 100 мА 1,65 В 850 нм 20 мВт/ср при 100 мА
TSTS7100 ЦТС7100 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие 100°С ТДж Масса 1 (без ограничений) 100°С Соответствует ROHS3 2007 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tsts7100-datasheets-6303.pdf 1,4 В ТО-18-2 Металлическая банка 5,5 мм Без свинца 5,5 мм 17 недель Неизвестный 2 Вид сверху Нет 500мВт 500мВт 1 100 мА 1,7 В 10° Круговой 1 800 нс 400 нс 100 мА 1,3 В 250 мА 950 нм 950 нм 10 мВт/ср при 100 мА
VSMY2943RG ВСМЫ2943РГ Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) SurfLight™ Поверхностный монтаж, нижний вход -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 2А (4 недели) 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2008 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vsmy2943rg-datasheets-1573.pdf 2-SMD, Z-изгиб 17 недель Неизвестный Вид сверху 100 мА 54° 10 нс 1,4 В 100 мА 940 нм 940 нм 27 мВт/ср при 100 мА
VSMY99445DS ВСМY99445DS Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2016 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vsmy99445ds-datasheets-2416.pdf 3-SMD, без свинца Без свинца 12 недель Вид сверху неизвестный 8541.40.20.00 Инфракрасный (ИК) 90° 2,9 В 940 нм 320 мВт/ср при 1 А
TSUS5400 ЦУС5400 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°C~85°C ТА Масса 1 (без ограничений) 100°С -55°С Соответствует ROHS3 2014 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tsus5402-datasheets-3271.pdf 150А Радиальный 30пФ 5,8 мм 8,7 мм 5,8 мм Без свинца 5,8 мм 17 недель Неизвестный 2 2,54 мм Вид сверху Нет 210мВт 210мВт 1 100 мА 1,3 В 44° Круглый, Рассеянный, Круглый 1 800 нс 800 нс 100 мА 2,2 В 150 мА 950 нм 950 нм 7 мВт/ср при 100 мА
VSMY2940GX01 ВСМY2940GX01 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) Автомобильная промышленность, AEC-Q101, SurfLight™ Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 2А (4 недели) Соответствует ROHS3 /files/vishaysemiconductoroptodivision-vsmy2940gx01-datasheets-6587.pdf 2-СМД, Крыло Чайки 17 недель Вид сверху 20° 1,4 В 100 мА 940 нм 75 мВт/ср при 100 мА
TSTS7300 ЦТС7300 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) Сквозное отверстие Сквозное отверстие 100°С ТДж Масса 1 (без ограничений) 100°С Соответствует ROHS3 2013 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tsts7300-datasheets-6990.pdf 1,3 В ТО-18-2 Металлическая банка 5,5 мм 5,5 мм 7 недель 2 Вид сверху Нет 500мВт 500мВт 1 250 мА 1,7 В 24° Круговой 1 800 нс 100 мА 1,3 В 250 мА 950 нм 950 нм 4 мВт/ср при 100 мА
TSMF1000 ЦМФ1000 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) Печатная плата, поверхностное крепление Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) 85°С -40°С Соответствует ROHS3 2017 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tsmf1030-datasheets-6227.pdf 2,4 В 2-SMD, Z-изгиб 2,5 мм Прозрачный Без свинца 2 мм 14 недель Неизвестный 2 Вид сверху 190мВт 180мВт 1 20 мА 1,3 В 34° Круглый, Бесцветный, Рассеянный 1 30 нс 100 мА 1,3 В 100 мА 890 нм 870 нм 2,5 мВт/ср при 20 мА
VSMB294008RG ВСМБ294008РГ Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 2А (4 недели) Соответствует ROHS3 2012 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vsmb294008g-datasheets-8739.pdf 2-SMD, Z-изгиб 17 недель Неизвестный Вид сверху 8541.40.20.00 Инфракрасный (ИК) 100 мА 14° 15нс 1,45 В 940 нм 30 мВт/ср при 100 мА
VSLY5850 ВСЛИ5850 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) SurfLight™ Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°C~85°C ТА Масса 1 (без ограничений) Соответствует ROHS3 2005 г. /files/vishaysemiconductoroptodivision-vsly5850-datasheets-9221.pdf Т 1 3/4 Без свинца 7 недель Неизвестный 2 Вид сверху ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Нет 1 190мВт 55мВт 100 мА Круглый, Бесцветный, Купол, Круглый 1 10 нс 10 нс ОДИНОКИЙ 1,65 В 850 нм 5 мм 300 мВт/ср при 100 мА
TS8510VA ТС8510ВА Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж -40°C~100°C ТА Поднос 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 /files/vishaysemiconductoroptodivision-ts8510va-datasheets-0218.pdf умереть Вид сверху 8541.40.20.00 120° 1,42 В 70 мА 855 нм
VSMF2890RGX01-GS08 ВСМФ2890РГС01-GS08 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) Поверхностный монтаж, нижний вход -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 2А (4 недели) Соответствует ROHS3 2-SMD, Z-изгиб Вид сверху 24° 1,4 В 100 мА 890 нм 20 мВт/ср при 100 мА
VSMY3850-GS18 ВСМY3850-GS18 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Инфракрасный (ИК) SurfLight™ Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -40°C~85°C ТА Лента и катушка (TR) 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2014 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vsmy3850gs08-datasheets-7847.pdf 2-LCC (J-вывод) КРУГЛЫЙ 7 недель 2 Вид сверху ВЫСОКАЯ НАДЕЖНОСТЬ Олово Нет 1 Инфракрасные светодиоды 55мВт 120° Круговой 1 ОДИНОКИЙ 1,6 В 100 мА 850 нм 3е-8м 12 мВт/ср при 100 мА
TFBS4711-TR3 TFBS4711-TR3 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -30°К~85°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) КМОП Соответствует ROHS3 2011 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfbs4711tr1-datasheets-0952.pdf СМД/СМТ 6 мм 3 мм 1,9 мм 5,5 В Без свинца 6 7 недель 6 да Вид сбоку Нет 8542.39.00.01 1 75А е4 Золото (Au) - с никелевым (Ni) барьером 2,7 В~5,5 В ОДИНОКИЙ НЕУКАЗАНО 255 0,95 мм 6 10 115,2 Кбит/с (SIR) СХЕМА ИНТЕРФЕЙСА 80 мА 300 нс 300 нс ИрФИЗ 1.2 900 нм 6,0 мм х 3,0 мм х 1,9 мм 75 мкА
TFDU5307-TT3 TFDU5307-TT3 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать -30°К~85°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 2007 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tfdu5307tr1-datasheets-1884.pdf 8,5 мм Нет СВХК 8 да Вид сверху неизвестный 1,1 мА е3 Матовый олово (Sn) ДА 2,7 В~5,5 В Оптоволоконные трансиверы 1,152 Мбит/с (МИР) ПОВЕРХНОСТНЫЙ МОНТАЖ ИрФИЗ 1.4 900 нм 8,5 мм х 2,9 мм х 2,5 мм ТРАНСИВЕР 550 мкА 70 см Да
TEMD5110X01 ТЭМД5110X01 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Печатная плата, поверхностное крепление Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) 100°С -40°С Соответствует ROHS3 2011 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-temd5110x01-datasheets-9887.pdf 4-SMD, без свинца 4,2 мм 1,08 мм 5 мм Без свинца 7 недель Неизвестный 2 Нет 215мВт 215мВт 100 нс 50 мА 1,3 В 130° 100 нс 100 нс 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 60В 940 нм 2нА 60В 790 нм ~ 1050 нм 7,5 мм2 2нА
TEFD4300 ТЭФД4300 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -40°К~100°К Масса 1 (без ограничений) 100°С -40°С Соответствует ROHS3 2012 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-tefd4300-datasheets-0612.pdf Радиальный Без свинца 32 недели Неизвестный 2 Нет 215мВт 215мВт 100 нс 50 мА 40° Прозрачный 100 нс 100 нс 60В ПРИКОЛОТЬ 10 В 60В 950 нм 150пА 10 В 350 нм ~ 1120 нм 150пА
VBP104FAS ВБП104ФАС Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Печатная плата, поверхностное крепление Поверхностный монтаж -40°К~100°К Диги-Рил® 3 (168 часов) Соответствует ROHS3 2009 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vbp104fas-datasheets-0409.pdf 2-СМД, Крыло Чайки 4,4 мм 1,2 мм 3,9 мм Без свинца КВАДРАТ 13 недель Неизвестный 2 да ФИЛЬТР ДНЕВНОГО СВЕТА, ВЫСОКАЯ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬ Нет 8541.40.60.50 1 е3 Матовый олово (Sn) 215мВт 215мВт Фотодиоды 50 мА 1,3 В 130° 100 нс 100 нс ОДИНОКИЙ 60В 60В ПРИКОЛОТЬ 60В 60В Кремний 950 нм 2нА ДА 780 нм ~ 1050 нм 4,4 мм2 2нА 0,035 мА
VEMD5510C ВЭМД5510С Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 4 (72 часа) Соответствует ROHS3 2018 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd5510c-datasheets-1705.pdf 4-SMD, контактная площадка без контакта со свинцом 9 недель 70нс 130° ПРИКОЛОТЬ 550 нм 440 нм ~ 700 нм 7,5 мм2 200пА
VEMD5510CF ВЭМД5510CF Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж -40°К~100°К Лента и катушка (TR) 2А (4 недели) Соответствует ROHS3 2018 год /files/vishaysemiconductoroptodivision-vemd5510cf-datasheets-4894.pdf 4-SMD, контактная площадка без контакта со свинцом 9 недель 70нс 130° ПРИКОЛОТЬ 540 нм 440 нм ~ 620 нм 7,5 мм2 200пА
CNY17F-3X001 CNY17F-3X001 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,56 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-cny17f3x001-datasheets-4554.pdf 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 60 мА 11 недель Неизвестный 6 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 6-ДИП 70В 70В 60 мА 1,65 В Транзистор 60 мА 3 мкс 14 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 70В 100 мА 1,39 В 2 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 70В 100% при 10 мА 200% при 10 мА 3 мкс, 2,3 мкс 400мВ
ILQ615-1 ILQ615-1 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 2,69 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2011 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-ilq6151-datasheets-4795.pdf 1,15 В 16-ДИП (0,300, 7,62 мм) 10 мА 6 недель Неизвестный 16 Нет 500мВт 4 500мВт 4 16-ДИП 70В 70В 60 мА 1,3 В Транзистор 60 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 70В 50 мА 1,15 В 2 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 70В 40% при 10 мА 80% при 10 мА 3 мкс, 2,3 мкс
VOL628A ВОЛ628А Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Поверхностный монтаж Поверхностный монтаж -55°К~110°К Лента и катушка (TR) 1 (без ограничений) 110°С -55°С переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vol628a-datasheets-5235.pdf 4-СМД, Крыло Чайки 60 мА 6 недель Неизвестный 4 150 мВт 1 4-ЛСОП (2,54 мм) 80В 80В 60 мА 1,16 В Транзистор 130 мА 3,5 мкс 5 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 400мВ 100 мА 1,16 В 3,5 мкс 5 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 80В 50% при 1 мА 600% при 1 мА 6 мкс, 5,5 мкс 400мВ
VO615A-7 ВО615А-7 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,37 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) 110°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo615a4x018t-datasheets-4982.pdf 4-DIP (0,300, 7,62 мм) 60 мА 14 недель Неизвестный 4 Нет 70мВт 1 70мВт 1 4-ДИП 70В 70В 60 мА 1,43 В Транзистор 60 мА 3 мкс 4,7 мкс 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 50 мА 1,43 В 3 мкс 4,7 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 70В 80% при 5 мА 160% при 5 мА 6 мкс, 5 мкс 300мВ
VO615A-4X006 ВО615А-4X006 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,35 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo615a4x018t-datasheets-4982.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) 14 недель 4 EAR99 UL ПРИЗНАЛ Нет 70мВт 1 70мВт 1 70В 70В 60 мА Транзистор 60 мА ОДИНОКИЙ 5000 В (среднеквадратичное значение) 300мВ 70В 50 мА 1,43 В 3 мкс 4,7 мкс 50 мА 160% при 10 мА 320% при 10 мА 6 мкс, 5 мкс
VO618A-2 ВО618А-2 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) 110°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo618a2-datasheets-5667.pdf 4-DIP (0,300, 7,62 мм) 60 мА 11 недель Неизвестный 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-ДИП 80В 80В 60 мА 1,1 В Транзистор 60 мА 3 мкс 14 мкс 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 80В 50 мА 1,1 В 2 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 80В 63% при 1 мА 125% при 1 мА 3 мкс, 2,3 мкс 400мВ
SFH1617A-3 SFH1617A-3 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,82 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~110°К Трубка 1 (без ограничений) 110°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 2012 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh1617a3-datasheets-5857.pdf 4-DIP (0,300, 7,62 мм) 60 мА 11 недель 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-ДИП 70В 70В 60 мА 1,25 В Транзистор 60 мА 5000 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 70В 100 мА 1,35 В 2 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 70В 100% при 10 мА 200% при 10 мА 3 мкс, 2,3 мкс 400мВ
SFH620A-3X006 SFH620A-3X006 Подразделение Vishay Semiconductor Opto
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -55°С переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-vo3120x007t-datasheets-8474.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) Без свинца 15 недель 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-ДИП 70В 60 мА 1,25 В Транзистор 60 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 70В 100 мА 1,25 В 2 мкс 2 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 70В 100% при 10 мА 320% при 10 мА 3 мкс, 2,3 мкс 400мВ
SFH618A-3X016 SFH618A-3X016 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 0,93 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -55°С округ Колумбия Соответствует ROHS3 1995 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-sfh618a3x017t-datasheets-5215.pdf 4-DIP (0,400, 10,16 мм) 6 недель 4 Нет 150 мВт 1 150 мВт 1 4-ДИП 55В 60 мА 1,1 В Транзистор 60 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 400мВ 55В 100 мА 1,1 В 3,5 мкс 5 мкс 60 мА 50 мА 50 мА 55В 100% при 1 мА 200% при 1 мА 6 мкс, 5,5 мкс 400мВ
IL755-1 Ил755-1 Подразделение Vishay Semiconductor Opto 1,62 доллара США
запрос цен

Мин: 1

Мульт: 1

скачать Сквозное отверстие Сквозное отверстие -55°К~100°К Трубка 1 (без ограничений) 100°С -55°С переменный ток, постоянный ток Соответствует ROHS3 2014 год https://pdf.utmel.com/r/datasheets/vishaysemiconductoroptodivision-il7551x001-datasheets-4718.pdf 1,2 В 6-ДИП (0,300, 7,62 мм) 10 мА 6 недель Неизвестный 6 Нет 250мВт 1 250мВт 1 6-ДИП 60В 60В 60 мА 1,5 В Дарлингтон с базой 60 мА 5300 В (среднеквадратичное значение) 60В 1,2 В 50 мкс 50 мкс 60 мА 60В 750% при 2 мА

В наличии

Пожалуйста, отправьте запрос предложения, мы ответим немедленно.